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그라핀이 결합된 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점과 이를 이용한 튜너블 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015122050
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 반도체에 전기적 특성이 우수한 그래핀을 화학적 방법으로 결합시켜서 산화물 반도체-그래핀 핵-껍질 양자점을 제조하고, 이를 이용하여 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 이러한 새로운 양자점을 이용한 발광소자는 광전효율이 우수하고 재료 및 부대 공정 시설 비용이 저렴하며, 공정이 간단하고, 대량생산 및 대면적화가 가능한 효과가 있다. 또한 다양한 다성분계 금속 산화물 반도체를 이용하여 다양한 파장의 발광소자를 제조할 수 있는 핵-껍질 양자점과 이를 이용한 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C09K 11/54 (2006.01) C09K 11/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110112972 (2011.11.01)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1357045-0000 (2014.01.23)
공개번호/일자 10-2013-0048056 (2013.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20140205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원국 대한민국 서울특별시 양천구
2 손동익 대한민국 서울특별시 마포구
3 권병욱 대한민국 서울특별시 성동구
4 박동희 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0860292-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.06 수리 (Accepted) 9-1-2012-0054911-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0147643-83
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0388134-49
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0492364-06
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0597156-90
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0707839-68
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2013.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0094688-41
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0806432-34
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0806433-80
12 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0047595-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
14 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
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번호 청구항
1 1
산화물 반도체 나노 입자를 핵으로 하며, 상기 산화물 반도체 나노 입자의 핵 표면을 따라 화학적 결합이 가능하도록 곡률을 가지고 휘어진 형태를 가지면서 상기 핵 표면과의 사이에서 휘어진 상태로 작용하는 응력으로 인한 밴드갭을 가지는 그라핀이 핵을 껍질 형태로 감싸고 있는 구조로 이루어지되, 상기 산화물 반도체 나노입자와 그라핀은 산소원자와의 결합을 통하여 화학적으로 연결되어 있는 형태로 이루어져 있으며, 전도대(CB) 에너지 준위는 그라핀의 페르미 에너지(4
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 나노 입자는 산화아연인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 그라핀은 단일층 또는 여러개의 층으로 구성된 그라핀 시트(sheet)로 구성된 것을 특징으로 하는 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점은 활성층 전계발광이 가시광선 영역으로 발생하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점은 적색, 녹색, 청색 발광 반도체 나노입자를 혼합한 것을 특징으로 하는 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점은 크기가 5 ~ 30 nm 인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점
11 11
제 1 항에 따른 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점을 단일 활성층으로 가지고 백색 발광소자인 것을 특징으로 하는 발광소자
12 12
제 1 항에 따른 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점을 알코올에 넣어 용액으로 제조하는 단계;투명전극 기판에 친수성 고분자를 코팅하여 제1 전도성 고분자을 형성하는 단계;상기 제1 전도성 고분자층 위에 소수성 고분자를 코팅하여 제2 전도성 고분자층을 형성하는 단계;상기 제2 전도성 고분자층 위에 상기 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점의 알코올 용액을 코팅하여 단일 활성층을 형성하는 단계;상기 단일 활성층 위에 보완층을 형성하는 단계; 및금속 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20140264269 US 미국 FAMILY
2 WO2013065956 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014264269 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2013065956 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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