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(1) 기재 입자, (2) 상기 기재 입자 표면에 코팅된 탄소나노튜브 층, (3) 상기 탄소나노튜브 층과 결합된 복수 개의 금속 나노입자를 포함하는 도전성 입자로서;상기 탄소나노튜브는 반응성기를 포함하고; 상기 복수 개의 금속 나노입자는 상기 반응성기와 공유결합을 이루어 상기 탄소나노튜브 층과 결합되어 있으며;상기 기재 입자의 크기는 200 nm 내지 7 μm이고;상기 탄소나노튜브 층의 두께는 8-20 nm이며;상기 금속 나노입자의 크기는 5-50 nm인 것을 특징으로 하는 도전성 입자
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제1항에 있어서, 상기 기재 입자는 우레아계 수지, 폴리스티렌계 고분자, 폴리메타아크릴계 고분자 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택된 고분자 입자이고;상기 반응성기는 티올기, 카르복시기, 알킬카르복실레이트기(-COOR), 히드록시기, 아민기 중에서 선택되며(여기서 R은 탄소수 1-6의 알킬); 상기 금속은 금, 은, 구리, 백금, 팔라듐, 니켈, 알루미늄 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 도전성 입자
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 자가조립 방식에 의해 상기 반응성기와 공유결합되어 있는 것을 특징으로 하는 도전성 입자
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(a) 반응성기를 포함하는 탄소나노튜브를 제조하는 단계,(b) 상기 반응성기를 포함하는 탄소나노튜브를 기재 입자 표면에 코팅하여 탄소나노튜브-기재 복합입자를 제조하는 단계,(c) 상기 탄소나노튜브-기재 복합입자에 금속 나노입자를 도입하는 단계를 포함하는 도전성 입자 제조방법으로서;상기 (a)단계는 (a-1) 탄소나노튜브를 산처리하여 카르복실레이트기(-COO-), 카르복시기(-COOH), 히드록시기 또는 이들 2개 이상의 관능기로 도입된 탄소나노튜브를 제조하는 단계; 및 (a-2) 상기 관능기를 티올기, 디설파이드기, 아민기, 카르복시기 중에서 선택된 반응성기로 변환시키는 단계를 거쳐 수행되며;상기 (a-2)단계는 상기 산처리된 탄소나노튜브를 (i) N,N-디시클로헥실카르보디이미드(DCC), N,N-디이소프로필카르보디이미드(DIC), 1-에틸-3-(3-디메틸아미노프로필)카르보디이미드(EDC) 중에서 선택된 카르보디이미드(carbodiimide) 및 (ii) 2-아미노티오페놀, 4-아미노티오페놀, 시스테아민 중에서 선택된 아미노티올의 혼합물과 반응시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 기재 입자는 우레아계 수지, 폴리스티렌계 고분자, 폴리메타아크릴계 고분자 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택된 고분자 입자이고; 상기 반응성기는 티올기, 카르복시기, 알킬카르복실레이트기(-COOR), 히드록시기, 아민기 중에서 선택되며(여기서 R은 탄소수 1-6의 알킬); 상기 금속은 금, 은, 구리, 백금, 팔라듐, 니켈, 알루미늄 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 도전성 입자 제조방법
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(a) 반응성기를 포함하는 탄소나노튜브를 제조하는 단계,(b) 상기 반응성기를 포함하는 탄소나노튜브를 기재 입자 표면에 코팅하여 탄소나노튜브-기재 복합입자를 제조하는 단계,(c) 상기 탄소나노튜브-기재 복합입자에 금속 나노입자를 도입하는 단계를 포함하는 도전성 입자 제조방법으로서,상기 (b)단계는 상기 기재 입자와 상기 탄소나노튜브를 챔버 내에서 회전시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 제조방법
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(a) 반응성기를 포함하는 탄소나노튜브를 제조하는 단계,(b) 상기 반응성기를 포함하는 탄소나노튜브를 기재 입자 표면에 코팅하여 탄소나노튜브-기재 복합입자를 제조하는 단계,(c) 상기 탄소나노튜브-기재 복합입자에 금속 나노입자를 도입하는 단계를 포함하는 도전성 입자 제조방법으로서,상기 기재 입자와 상기 탄소나노튜브는 97-80 : 3-20의 중량비를 가지는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 제조방법
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(a) 반응성기를 포함하는 탄소나노튜브를 제조하는 단계,(b) 상기 반응성기를 포함하는 탄소나노튜브를 기재 입자 표면에 코팅하여 탄소나노튜브-기재 복합입자를 제조하는 단계,(c) 상기 탄소나노튜브-기재 복합입자에 금속 나노입자를 도입하는 단계를 포함하는 도전성 입자 제조방법으로서,상기 기재 입자는 200 nm 내지 7 μm의 크기를 가지고; 상기 탄소나노튜브 층의 두께는 8-20 nm이며; 상기 금속 나노입자의 크기는 5-50 nm인 것을 특징으로 하는 도전성 입자 제조방법
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(a) 반응성기를 포함하는 탄소나노튜브를 제조하는 단계,(b) 상기 반응성기를 포함하는 탄소나노튜브를 기재 입자 표면에 코팅하여 탄소나노튜브-기재 복합입자를 제조하는 단계,(c) 상기 탄소나노튜브-기재 복합입자에 금속 나노입자를 도입하는 단계를 포함하는 도전성 입자 제조방법으로서,상기 (c)단계는 상기 금속 입자의 콜로이드 용액에 상기 탄소나노튜브-기재 복합입자의 분산액을 첨가하여 분산시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자 제조방법
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제1항, 제2항, 제4항 중 어느 한 항에 따른 도전성 입자를 포함하는 이방 도전성 필름
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제1항, 제2항, 제4항 중 어느 한 항에 따른 도전성 입자를 포함하는 전자 패키징 재료
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