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전자싸이크로트론 플라즈마 화학증착법에 의해 제조된 산화아연주석복합계 투명도전 복합막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014049302
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자 사이크로트론 공명(Electro Cyclotron Resonance, ECR) 유기화학 증착법에 의하여, 광투과율이 우수하고, 계면과의 접착력 및 전도도가 우수한 투명도전 아연주석복합산화박막 ZnxSnyOz의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 제조방법에 의해 안정된 아연주석복합산화박막에서 물리적증착법에서 얻어질 수 있는 ZnSnO3, Zn2SnO4 보다 전자사이크로트론 화학증착법에서 훨씬 전기적 전도도가 우수한 아연주석복합산화박막의 화합물을 합성할 수 있어, 투명발열체를 비롯한 각종 전기 제품의 소자로 광범위하게 응용될 수 있을 것으로 기대된다. 아연주석, 플라즈마 화학 증착법, 투명박막, 이온 보호, 투명발열체
Int. CL H01B 1/02 (2006.01) B01J 19/08 (2006.01) C01G 19/00 (2006.01) C01G 9/00 (2006.01)
CPC H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01)
출원번호/일자 1020090062238 (2009.07.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1152621-0000 (2012.05.29)
공개번호/일자 10-2010-0035092 (2010.04.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120605) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080094223   |   2008.09.25
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이중기 대한민국 서울특별시 강남구
2 조병원 대한민국 서울특별시 은평구
3 장원영 대한민국 서울특별시 서초구
4 우주만 대한민국 서울특별시 노원구
5 박지훈 대한민국 경상남도 밀양시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0416609-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0063666-88
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0212303-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0439571-94
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0439573-85
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0752365-40
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-1051316-03
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-1051315-57
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0299952-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
13 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
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번호 청구항
1 1
투명도전 아연주석복합산화박막 ZnxSnyOz 의 제조 방법에 있어서,전자 사이크로트론 공명에 의해 대면적 범위에서 고밀도 플라즈마 이온을 형성하는 단계;상기 플라즈마 이온이 형성된 하단에 금속 전구체를 공급하여 과응축 금속이온을 형성하는 단계; 및이온 보호 덮개와 측면판으로 이루어진 이온 보호 금속 실드(IPMS: Ion Protection Metal Shield)가 부착된 반응기내에서 상기 플라즈마 이온과 상기 과응축 금속이온이 고분자 기질 표면에 화학 결합되어 증착되는 단계 를 포함하며 상기 x는 0
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 금속 전구체는 주석(Sn) 및 아연(Zn) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 금속이 함유된 유기금속 화합물 또는 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 투명도전 아연주석복합산화박막 ZnxSnyOz의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 25 ~ 400℃에서 반응이 진행되는 것을 특징으로 하는 투명도전 아연주석복합산화박막 ZnxSnyOz의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 투명도전 아연주석복합산화박막은 전기전도도가 50 ~ 500 [Ω
6 6
마이크로파발생기(Microwave generator)(1), 석영판(quartz plate)(2) 및 전자석 전류 제어장치(magnetic current control system)(3)로 구성된 전자사이크로트론 공명 플라즈마(Electron Cyclotron Resonance Plasma) 영역; 아연화합물 전구체가 담겨있는 항온조(7), 주석화합물 전구체가 담겨있는 항온조(8) 및 전구체 운반 기체(9)로 구성된 전구체 공급 장치; 롤러(4), 이온 보호 덮개(5A)와 측면판(5B)으로 이루어진 이온 보호 금속 실드(IPMS: Ion Protection Metal Shield)(5), 기판 하단 구조물(6) 및 샤우어링(Shower Ring)(12)으로 구성된 반응증착영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명도전 아연주석복합산화박막 ZnxSnyOz(x는 0
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 1항 및 제 3항 내지 제 5항 중에서 선택된 어느 한 항의 방법으로 제조된 투명도전 아연주석복합산화박막이 고분자 표면에 증착된 것을 특징으로 하는 발열체
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1 US20100075177 US 미국 FAMILY

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1 US2010075177 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 교육과학부 한국과학기술연구원 핵심역량심화과제 ECR 화학증착법을 이용한 차세대전지용 핵심소재 원천기술개발