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도핑-프리 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015122205
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상하부 전극과 광흡수층 사이에 도핑(doping) 공정 없이도 전기장 (electric field)을 가해줄 수 있는 중간층(interfacial layer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 도핑공정이 없으므로 유독한 도핑가스를 사용하지 않아도 될 뿐만 아니라, 정공(hole)을 수송하는 역할을 하면서 광투과도가 높은 금속산화물을 빛이 입사되는 윈도우층(window layer)으로 사용함으로써 광흡수층에 도달하는 빛의 손실을 최소화시켜, 광전류밀도가 향상된 고효율 태양전지를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01)
출원번호/일자 1020120079437 (2012.07.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1369729-0000 (2014.02.26)
공개번호/일자 10-2014-0012471 (2014.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20140307) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고민재 대한민국 서울특별시 성북구
2 한승희 대한민국 서울특별시 노원구
3 김홍곤 대한민국 서울특별시 강남구
4 김태희 대한민국 서울특별시 관악구
5 김진영 대한민국 경기도 성남시 수정구
6 김경곤 대한민국 충청북도 충주시
7 김봉수 대한민국 서울특별시 성북구
8 이도권 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0582330-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0087342-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0722939-79
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-1125164-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1125180-17
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1136237-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0129331-66
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 전도성 기판 위에 형성된 비도핑 정공수집층; b) 상기 정공수집층 위에 형성되며, Si과 H로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 물질 또는 산화물 또는 이들의 복합물을 포함하는 비정질 실리콘 광활성층; c) 상기 실리콘 광활성층 상에 형성된 비도핑 전자수집층; 및d) 상기 전자수집층 위에 형성된 금속 전극을 포함하는 도핑-프리(doping-free) 비정질 실리콘 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 a) 비도핑 정공수집층은 Li, Na, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, Lu, La, Sm, Ti, Zr, V, Nb, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Ru, Co, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Pb, 및 F 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들 금속의 산화물 또는 이들의 합금 또는 복합 산화물 또는 이들의 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑-프리 비정질 실리콘 태양전지
3 3
제2항에 있어서, 상기 a) 비도핑 정공수집층은 MoO3 또는 Au을 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑-프리 비정질 실리콘 태양전지
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 c) 비도핑 전자수집층은 Li, Na, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, Lu, La, Sm, Ti, Zr, V, Nb, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Ru, Co, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Pb, 및 F 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들 금속의 산화물, 합금 또는 복합 산화물 또는 이들의 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑-프리 비정질 실리콘 태양전지
6 6
제5항에 있어서, 상기 c) 비도핑 전자수집층은 Ca 또는 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑-프리 실리콘 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 정공 수집층 또는 전자 수집층의 물질은 공액 고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 도핑-프리 실리콘 태양전지
8 8
제7항에 있어서,상기 공액 고분자는 폴리(피롤)류, 폴리카르바졸류, 폴리인돌류, 폴리아제핀류, 폴리아닐린류, 폴리(아세틸렌)류, 폴리 (p-페닐렌 비닐렌)류, 폴리(티오펜)류, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)류 및 폴리(p-페닐렌 설파이드)류로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 고분자 또는 이들 고분자의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑-프리 실리콘 태양전지
9 9
(a) 전도성 기판 위에 도핑 없이 정공 수집층을 형성하는 단계;(b) 상기 정공 수집층 위에 Si과 H로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 물질 또는 산화물 또는 이들의 복합물을 포함하는 i형 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;(c) 상기 i형 비정질 실리콘층 위에 도핑 없이 전자 수집층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 전자 수집층 위에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 제1항에 따른 도핑-프리 비정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 정공수집층 또는 전자수집층은 스퍼터링 방식으로 증착되는 것을 특징으로 하는 도핑-프리 비정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 원천기술개발사업 삼차원 멀티구조체를 이용한 표면 플라즈몬 태양전지 개발