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CIS계 박막 코팅 장치

  • 기술번호 : KST2015122310
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIS계 박막 코팅 장치로서 코팅될 반도체 소재 용액을 포함하는 전착조; 상기 전착조 내부에 위치하는 캐소드; 상기 전착조 내부에 위치하는 애노드; 및 상기 기판에 대향 배치되어, 상기 기판에 빛을 조사하는 조명 장치;를 포함하고, 상기 기판 및 애노드는 상기 반도체 소재 용액에 담그어지며, 상기 기판 및 캐소드는 서로 접촉되고, 전착을 위한 전류는 상기 애노드 및 캐소드를 통하여 인가되는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 장치로 CIS계 박막을 제조하면, 빛을 조사하여 전기화학반응을 통해 침착되는 CIS계 박막 내에서 전자가 발생하여 표면으로 확산되도록 하며, 확산된 전자는 반도체 소재 용액 중의 CIS 전구체 금속이온과 반응하여 추가적인 CIS계 박막 침착이 진행되도록 할 수 있다. 즉, 본 발명에서는 전착 중 성장하는 CIS 박막에 빛을 조사하면 CIS계 박막이 두꺼워짐에 따라 빛을 흡수하여 전자를 생성시키는 양도 더욱 많아져 CIS계 박막의 침착이 더욱 빨라지는 자가가속 광전착 (self-accelerated photoelectrochemical deposition) 현상을 이용하므로, CIS계 박막의 제조시간을 단축할 수 있고, 치밀한 미세구조 및 평탄하고 균일한 표면을 갖는 CIS 박막을 제조할 수 있다. 이 전착 막을 태양전지 광흡수층으로 적용할 경우 고효율 및 고품질 특성을 보이는 CIS계 박막을 제조할 수 있으며, 동시에 빛 파장과 세기를 조절하여 전착되는 조성을 조절할 수 있어서 고효율 CIS계 태양전지를 위해 필수적인 구리-결핍 조성을 갖는 박막을 제조할 수 있고, 고가의 진공장비를 사용하지 않고 원재료의 사용효율을 높임으로써 CIS계 박막의 저가 제조공정을 실현할 수 있으며, 더 나아가, 빛을 흡수하여 전자-정공 쌍 형성이 가능한 모든 반도체 박막의 제조에도 활용될 수 있는 CIS계 박막 코팅 장치를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020120116573 (2012.10.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1370637-0000 (2014.02.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.19)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이도권 대한민국 서울 성북구
2 김홍곤 대한민국 서울특별시 강남구
3 고민재 대한민국 충남 천안시 서북구
4 김진영 대한민국 경기 성남시 수정구
5 김봉수 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0852333-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0095934-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0792301-35
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0054147-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0141390-85
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0141408-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
9 등록결정서
Decision to grant
2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0137388-90
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번호 청구항
1 1
전류를 인가하여 기판에 화합물을 코팅하는 전기영동 전착 장치에 있어서,코팅될 반도체 소재 용액을 포함하는 전착조;상기 전착조 내부에 위치하는 캐소드;상기 전착조 내부에 위치하는 애노드; 및상기 기판에 대향 배치되어, 상기 기판에 빛을 조사하는 조명 장치;를 포함하고,상기 기판 및 애노드는 상기 반도체 소재 용액에 담그어지며,상기 기판 및 캐소드는 서로 접촉되고,전착을 위한 전류는 상기 애노드 및 캐소드를 통하여 인가되며,상기 조명 장치는 상기 반도체 소재의 밴드갭에 해당하는 파장보다 짧은 파장의 빛을 조사하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 반도체 소재 용액은 Cu, In, Ga, Zn, Sn, Al 및 그 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 한 가지 이상의 금속의 염화염, 황산염, 질산염, 아세트산염 또는 수산화염을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
3 3
제2항에 있어서,상기 반도체 소재 용액은 SeO2, H2SeO3 또는 SeCl4를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 전착조는 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리프로필렌 및 폴리에틸렌으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 전착조는 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리프로필렌 및 폴리에틸렌으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 소재가 코팅(coating) 또는 라이닝(lining)된 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 전착조는 유리 코팅(coating) 또는 유리 라이닝(lining) 된 카본 스틸(carbon steel) 구조물인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 캐소드는 Ti, Ni 및 Pt로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 애노드는 Pt 재질의 판 또는 판형 메시(mesh)인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
9 9
제1항에 있어서,상기 애노드는 Pt 재질의 판 또는 판형 메시(mesh)로서, 폴리머 지지대 위에 고정된 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
10 10
삭제
11 11
제1항에 있어서,상기 조명 장치는 복수 개이고, 각각의 조명 장치는 서로 같은 간격으로 이격되어 상기 캐소드 및 애노드 사이에 설치된 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
12 12
제1항에 있어서,상기 조명 장치는 상기 전착조 벽면을 통해 삽입된 투명관; 광원; 및 집광용 반사경;을 포함하고, 상기 광원 및 집광용 반사경이 상기 투명관 속에 설치됨으로써 상기 반도체 소재 용액과 물리적 접촉이 차단된 기밀형 장치인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
13 13
제12항에 있어서,상기 투명관 및 광원은 막대형이고, 광원으로부터의 빛이 일 방향으로 조사되도록 상기 광원의 후면에 길이방향으로 집광용 반사경이 설치된 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
14 14
제12항에 있어서,상기 투명관은 유리관 또는 석영관(quartz tube)인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
15 15
제12항에 있어서,상기 투명관은 상기 전착조의 일 벽면으로부터 이에 대향되는 타 벽면을 향하여 연장되는 터널 형상의 구조물인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
16 16
제12항에 있어서,상기 투명관은 상기 전착조의 일 벽면으로부터 이에 대향되는 타 벽면까지 연장되는 터널 형상의 구조물인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
17 17
제1항에 있어서,상기 캐소드는 상기 반도체 소재 용액 밖에서 기판을 기계적으로 고정시키는 캐소드 홀더(holder)로서, 상기 캐소드 홀더는 Cu, Ti, Ni, Pt 및 스테인리스 스틸로 이루어지는 군으로부터 선택된 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
18 18
제17항에 있어서,상기 기판 및 캐소드 홀더가 결합하여 평판형 캐소드 패널을 형성하고,상기 평판형 캐소드 패널은 상기 전착조 내부로 삽입됨으로써 상기 반도체 소재 용액에 담그어지며,상기 애노드는 상기 평판형 캐소드 패널에 대향되는 평판형 애노드이고,상기 조명 장치는 집광된 빛이 기판을 향하도록 평판형 캐소드 패널과 애노드 사이에 설치되며,상기 평판형 캐소드 패널은 그 구성요소 각각의 탈착이 가능하여, 기판의 교체로써 연속적인 전착이 가능한 회분(batch)식의 장치인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
19 19
제1항에 있어서,상기 캐소드는 회전이 가능한 원통형의 캐소드 롤러이고,상기 애노드는 상기 캐소드에 대향되는 곡면형 애노드이며,상기 조명 장치는 집광된 빛이 캐소드를 향하도록 캐소드와 애노드 사이에 설치되고,상기 기판은 플렉서블한 소재를 포함하며,상기 기판이 상기 캐소드 롤러로 이송되어 상기 전착조에 포함된 반도체 소재 용액에 노출되는, 연속형의 롤-투-롤 장치인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
20 20
제19항에 있어서,상기 CIS계 박막 코팅 장치는 Cu, Ti, Ni, Pt 및 스테인리스 스틸로 이루어지는 군으로부터 선택된 소재의 롤러를 더욱 포함하고, 상기 롤러는 상기 반도체 용액 밖에 설치되며 상기 기판에 접촉함으로써 전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
21 21
제1항에 있어서,상기 CIS계 박막 코팅 장치는 전착조의 온도를 조절하기 위한 열매체 순환용 자켓을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 코팅 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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