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압축잔류응력이 감소된 입방정질화붕소 박막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 입방정질화붕소 박막

  • 기술번호 : KST2015122402
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 입방정질화붕소(cubic boron nitride; c-BN) 박막의 제조 방법은, 기판에 펄스 형태의 바이어스 전압을 인가하는 단계; 및 상기 펄스 형태의 바이어스 전압을 이용하여 이온을 상기 기판에 충돌시킴으로써 상기 c-BN 박막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 상기 c-BN 박막의 압축잔류응력을 제어하기 위해, 상기 펄스 형태의 바이어스 전압의 온/오프 시간 비를 조절할 수도 있다. 기판에 인가되는 음(-)의 바이어스(bias) 전압으로 펄스 형태의 전압을 사용함으로써 박막에 인가되는 압축잔류응력을 최소화할 수 있으며, 펄스 형태의 전압의 온/오프 시간 비의 조절에 의하여 이온/중성입자의 비를 증가시킴으로써, 이온 에너지가 낮은 영역에서 c-BN 박막의 증착을 수행할 수 있다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130023277 (2013.03.05)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0110186 (2014.09.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시 노원구
2 박종극 대한민국 서울 서초구
3 이욱성 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0192007-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2013-0092960-80
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0453924-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0834619-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0834620-57
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0024858-65
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번호 청구항
1 1
기판에 펄스 형태의 바이어스 전압을 인가하는 단계; 및 상기 펄스 형태의 바이어스 전압을 이용하여 이온을 상기 기판에 충돌시킴으로써 입방정질화붕소 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 입방정질화붕소 박막의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 입방정질화붕소 박막의 압축잔류응력을 제어하기 위해, 상기 펄스 형태의 바이어스 전압의 온/오프 시간 비를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 입방정질화붕소 박막의 제조 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 펄스 형태의 바이어스 전압의 온/오프 시간 비를 조절하는 단계는, 상기 펄스 형태의 바이어스 전압에서 오프 구간에 대한 온 구간의 시간 비율을 5 이상으로 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 입방정질화붕소 박막의 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 입방정질화붕소 박막을 형성하는 단계는, 스퍼터링 공정 또는 화학기상증착 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 입방정질화붕소 박막의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 입방정질화붕소 박막을 형성하는 단계는, 붕소 입자 및 질소 입자를 상기 기판에 충돌시키는 단계; 및 상기 음의 바이어스 전압에 의해 가속된 이온을 상기 기판에 충돌시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 입방정질화붕소 박막의 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 이온은 아르곤 이온인 것을 특징으로 하는 입방정질화붕소 박막의 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 펄스 형태의 바이어스 전압은, 직류 펄스 전압 또는 교류 펄스 전압인 것을 특징으로 하는 입방정질화붕소 박막의 제조 방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 펄스 형태의 바이어스 전압은, 단극성 전압 또는 양극성 전압인 것을 특징으로 하는 입방정질화붕소 박막의 제조 방법
9 9
기판에 펄스 형태의 바이어스 전압을 인가하는 과정, 및 상기 펄스 형태의 바이어스 전압을 이용하여 이온을 상기 기판에 충돌시키는 과정에 의하여 제조되며, 상기 기판상에 위치하는, 입방정질화붕소 박막
10 10
제 9항에 있어서, 상기 펄스 형태의 바이어스 전압은, 직류 펄스 전압 또는 교류 펄스 전압인 것을 특징으로 하는 입방정질화붕소 박막
11 11
제 9항에 있어서, 상기 펄스 형태의 바이어스 전압은, 단극성 전압 또는 양극성 전압인 것을 특징으로 하는 입방정질화붕소 박막
지정국 정보가 없습니다
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1 US20140255286 US 미국 FAMILY

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1 US2014255286 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국표준과학연구원 소재원천기술개발사업 경원소 공유결합형 초경도 박막합성 기술(2M29240)