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질소(N), 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 칼코지나이드 물질; 및 상기 칼코지나이드 물질과 전기적으로 연결된 제1전극 및 제2전극을 포함하되,상기 칼코지나이드 물질에서,상기 질소의 원자농도는 2% 내지 6
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제1항에 있어서,상기 칼코지나이드 물질에서,상기 질소의 원자농도는 4
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제1항에 있어서,상기 칼코지나이드 물질에서,상기 저머늄과 셀레늄의 원자비는 5:5 내지 7:3인 것을 특징으로 하는 질소 도핑된 칼코지 나이드 물질을 갖는 오보닉 문턱 스위칭 소자
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제4항에 있어서,상기 칼코지나이드 물질에서,상기 저머늄과 셀레늄의 원자비는 6:4인 것을 특징으로 하는 질소 도핑된 칼코지 나이드 물질을 갖는 오보닉 문턱 스위칭 소자
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제1항에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극은,티타늄(Ti), 티타늄나이트라이드(TiN) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 질소 도핑된 칼코지 나이드 물질을 갖는 오보닉 문턱 스위칭 소자
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제1항에 있어서,일 면에 트랜치를 갖는 절연층을 더 포함하되,상기 제1전극은 상기 트랜치의 일부분에 형성되고,상기 칼코지나이드 물질은 상기 트랜치의 나머지 부분을 채우도록 상기 절연층 및 상기 제1전극상에 형성되고, 상기 제2전극은 상기 칼코지나이드 물질 상에 형성된 것을 특징으로 하는 질소 도핑된 칼코지 나이드 물질을 갖는 오보닉 문턱 스위칭 소자
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기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극 상에 질소(N), 저머늄(Ge) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 칼코지나이드 물질을 형성하는 단계; 및 상기 칼코지나이드 물질 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 칼코지나이드 물질에서,상기 질소의 원자농도는 2% 내지 6
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제8항에 있어서,상기 칼코지나이드 물질을 형성하는 단계는,상기 제1 전극 상에 저머늄 및 셀레늄의 화합물층을 형성하는 단계; 및상기 저머늄 및 셀레늄의 화합물층 상에 질소를 증착함으로써 상기 질소, 저머늄 및 셀레늄을 포함하는 칼코지나이드 물질을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질소 도핑된 칼코지 나이드 물질을 갖는 오보닉 문턱 스위칭 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 칼코지나이드 물질에서,상기 질소의 원자농도는 4
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제9항에 있어서,상기 칼코지나이드 물질에서,상기 저머늄과 셀레늄의 원자비는 5:5 내지 7:3인 것을 특징으로 하는 질소 도핑된 칼코지 나이드 물질을 갖는 오보닉 문턱 스위칭 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 칼코지나이드 물질에서,상기 저머늄과 셀레늄의 원자비는 6:4인 것을 특징으로 하는 질소 도핑된 칼코지 나이드 물질을 갖는 오보닉 문턱 스위칭 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극은,티타늄(Ti), 티타늄나이트라이드(TiN) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 질소 도핑된 칼코지 나이드 물질을 갖는 오보닉 문턱 스위칭 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 절연층을 식각하여 트랜치를 형성하는 단계;상기 트랜치의 일부분에 상기 제1전극을 형성하고, 상기 트랜치의 나머지 부분에 상기 칼코지나이드 물질을 채우는 단계; 및상기 칼코지나이드 물질 상에 상기 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질소 도핑된 칼코지 나이드 물질을 갖는 오보닉 문턱 스위칭 소자의 제조방법
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