[KST2014011450][한국과학기술연구원] |
휘발 성분이 포함된 다성분 산화물 강유전체 박막의 제조방법 |
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[KST2016014307][한국과학기술연구원] |
비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법(NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME) |
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[KST2022000988][한국과학기술연구원] |
아날로그 시냅스 동작을 제공하는 비정질 실리콘 층 및 유전체 층을 포함하는 다층 멤리스터 장치 |
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[KST2017009326][한국과학기술연구원] |
낮고 신뢰성 있는 동작 전압 및 장기 안정성 특성을 갖는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법(nonvolatile resistance random access memory device with low and reliable operating voltage and long term stability and fabrication method thereof) |
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[KST2014049271][한국과학기술연구원] |
이중 자기 이방성 자유층을 갖는 자기 터널 접합 구조 |
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[KST2014036536][한국과학기술연구원] |
높은 소자 수율을 나타내는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물 제조 방법 |
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[KST2019011257][한국과학기술연구원] |
구형의 상보적 저항 변화성 충전재 및 그를 포함하는 비휘발성 상보적 저항 변화 메모리 |
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[KST2020004461][한국과학기술연구원] |
이차원 나노물질과 더블레이어절연층 수직구조 기반 스위칭 소자 |
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[KST2015121702][한국과학기술연구원] |
상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 |
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[KST2015123545][한국과학기술연구원] |
SOI기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자및 그 제조방법 |
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[KST2019011256][한국과학기술연구원] |
상보적 저항 변화성 충전재 및 그를 포함하는 비휘발성 상보적 저항 변화 메모리 |
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[KST2018005820][한국과학기술연구원] |
신뢰성 있는 동작 지표, 소자 간 균일성 및 다중 레벨 데이터 저장 특성을 갖는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법(NONVOLATILE RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH RELIABLE OPERATING PARAMETERS, DEVICE-TO-DEVICE UNIFORMITY AND MULTI-LEVEL CELL STORAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF) |
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[KST2014051345][한국과학기술연구원] |
AIN 열방출층 및 TiN 전극이 적용된 상변화 메모리 |
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[KST2014062605][한국과학기술연구원] |
간접 가열 방식의 상변화 메모리 및 이의 제조 방법 |
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[KST2015122433][한국과학기술연구원] |
질소 도핑된 칼코지나이드 물질을 갖는 오보닉 문턱 스위칭 소자 및 그 제조방법 |
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[KST2015121605][한국과학기술연구원] |
스핀 주입을 이용한 상보성 논리소자 |
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[KST2014061294][한국과학기술연구원] |
계면 제어층을 포함하는 비휘발성 전기적 상변화 메모리소자 및 이의 제조방법 |
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[KST2020012213][한국과학기술연구원] |
전자 셔틀을 이용한 스위칭 소자 |
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[KST2019010888][한국과학기술연구원] |
자가 응집체를 포함하는 유기 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
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[KST2020002484][한국과학기술연구원] |
4성분계 이상의 캘코제나이드 상변화 물질 및 이를 포함하는 메모리 소자 |
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[KST2015123639][한국과학기술연구원] |
저항변화 기억소자용 박막 구조물 및 그 제조 방법 |
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[KST2015120665][한국과학기술연구원] |
비파괴판독형 불휘발성 기억소자의 메모리 셀 소자 및 그제조 방법 |
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[KST2015120402][한국과학기술연구원] |
강유전체게이트를가지는전계효과트랜지스터를이용한불휘발성기억소자및그제조방법 |
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[KST2014049307][한국과학기술연구원] |
자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법 |
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[KST2014049516][한국과학기술연구원] |
고효율 저항 변화 기억 소자용 다층 금속 산화물 박막 구조물 및 그 제조 방법 |
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[KST2022022983][한국과학기술연구원] |
매개 변수 변동이 감소되는 멤리스터 소자 |
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[KST2014061293][한국과학기술연구원] |
투명전도성 산화물 전극 접촉 재료를 갖는 상변화 메모리 셀 |
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[KST2014011454][한국과학기술연구원] |
하나의트랜지스터를사용한메모리소자및그제조방법 |
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[KST2014051333][한국과학기술연구원] |
극소화된 접촉 면적을 갖는 고집적 상변화 메모리 및 이의제조 방법 |
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[KST2019022129][한국과학기술연구원] |
2차원 강유전성 TMDC 물질을 가지는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
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