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저머늄 및 셀레늄을 이용한 칼코지나이드 스위칭 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015123344
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서에 따르면 SOI기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 제1전극 상에 Gex 및 Se1-x로 구성된 칼코지나이드 물질을 형성하는 단계 및 상기 칼코지나이드 물질 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 x는 0보다 크고 1보다 작은 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 스위칭 소자의 제조방법을 제공할 수 있다. 또한 이러한 제조방법으로 제조된 칼코지나이드 스위칭 소자를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) H01L 45/00 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020130037445 (2013.04.05)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1431656-0000 (2014.08.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정병기 대한민국 서울특별시 성동구
2 김수동 대한민국 서울특별시 성북구
3 이수연 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 신상열 대한민국 부산광역시 북구
5 안형우 대한민국 서울특별시 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0298535-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0013293-94
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0143711-31
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0262618-59
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0371730-99
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0371729-42
9 등록결정서
Decision to grant
2014.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0542886-15
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번호 청구항
1 1
SOI 기판상에 형성된 제1전극;상기 제1전극상에 형성된 Gex 및 Se1-x로 구성된 칼코지나이드 물질; 및상기 칼코지 나이드 물질 상에 형성된 제2전극을 포함하되,상기 x는 0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 x는 0
4 4
제3항에 있어서,상기 x는 0
5 5
SOI기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;제1전극 상에 Gex 및 Se1-x로 구성된 칼코지나이드 물질을 형성하는 단계; 및상기 칼코지나이드 물질 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 x의 범위는 0
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서,상기 x의 범위를 기초로 상기 칼코지나이드 스위칭 소자의 문턱전압을 조절하되,상기 x의 범위는 0
8 8
제5항에 있어서,상기 x 는 0
9 9
제5항에 있어서,상기 SOI기판을 에칭하여 상기 SOI기판 상에 트랜치를 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 제1 전극은 상기 트랜치의 일부에 형성되고,상기 칼코지나이드 물질은 상기 제1전극 및 상기 트랜치의 나머지 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 스위칭 소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 SOI기판의 두께는 300nm이고 상기 트랜치의 깊이는 200 nm인 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 스위칭 소자의 제조방법
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1 US09337422 US 미국 FAMILY
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014299833 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9337422 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술연구원 부품소재산업경쟁력향상(소재부품기술개발) 고성능 박막 스위칭소자용 비정질 칼코지나이드 개발