요약 | 본 발명은 고체 전해질 염료감응형 태양전지의 제조 방법 및 이에 이용되는 고체 전해질 충진 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 고체 전해질을 보다 균일하고 향상된 효율로 충진시킬 수 있어 보다 우수한 광 전환 효율을 나타낼 수 있는 염료감응형 태양전지의 제조 방법이 제공된다. |
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Int. CL | H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020130053403 (2013.05.10) |
출원인 | 한국과학기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1406969-0000 (2014.06.05) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20140620) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2013.05.10) |
심사청구항수 | 20 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 고민재 | 대한민국 | 서울 성북구 |
2 | 김홍곤 | 대한민국 | 서울 강남구 |
3 | 이도권 | 대한민국 | 서울 성북구 |
4 | 김봉수 | 대한민국 | 서울 성북구 |
5 | 김진영 | 대한민국 | 경기 성남시 수정구 |
6 | 유기천 | 대한민국 | 서울 마포구 |
7 | 이진아 | 대한민국 | 서울 송파구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 유미특허법인 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술연구원 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.05.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0416283-35 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2014.04.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.05.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0040061-31 |
5 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.05.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0377176-80 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 기판(10) 상에 금속 산화물 입자를 포함하는 다공질 막(20)을 형성하는 단계;상기 다공질 막(20) 상에 광 감응성 염료를 흡착시키는 단계;상기 광 감응성 염료가 흡착된 다공질 막(20)의 기공 내에 고체 전해질을 진공 조건 하에서 압력 차에 의해 충진하는 단계; 및상기 고체 전해질이 충진된 다공질 막(20) 상에 금속 전극(30)을 형성하는 단계를 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 고체 전해질의 충진 단계는 압력 조건을 50 내지 70 kPa의 진공 조건 하에서 상압으로 점진적으로 상승시켜 확산에 의해 고체 전해질을 충진시키는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 기판(10)은 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 형성된 전도성 박막; 및 상기 전도성 박막을 덮고 다공질 막(20)과 인접하며 금속 산화물을 포함하는 블로킹 레이어를 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
4 |
4 제 3 항에 있어서,상기 투명 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리이미드, 트리아세틸셀룰로오스, 폴리에테르술폰, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리에톡시실란 및 프로필트리에톡시실란으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 플라스틱 기판, 유리 기판, 석영 기판 또는 실리콘 기판인 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
5 |
5 제 3 항에 있어서,상기 전도성 박막은 금속 질화물, 금속 산화물, 탄소 화합물 또는 전도성 고분자를 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
6 |
6 제 3 항에 있어서,상기 블로킹 레이어는 타이타늄 산화물을 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
7 |
7 제 3 항에 있어서,상기 블로킹 레이어의 두께는 100 내지 250 nm인 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 다공질 막(20)의 형성 단계는 금속 산화물 입자, 바인더 및 용매를 포함하는 페이스트를 상기 기판(10) 상에 도포하고, 450 내지 550 ℃의 온도에서 1 내지 2 시간 동안 열처리하는 방법으로 수행되는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 다공질 막(20)에 포함되는 금속 산화물 입자는 타이타늄(Ti) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 스트론튬(Sr) 산화물, 징크(Zn) 산화물, 인듐(In) 산화물, 란타넘(La) 산화물, 바나듐(V) 산화물, 몰리브데넘(Mo) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 틴(Sn) 산화물, 나이오븀(Nb) 산화물, 마그네슘(Mg) 산화물, 알루미늄(Al) 산화물, 이트륨(Y) 산화물, 스칸듐(Sc) 산화물, 사마륨(Sm) 산화물, 및 갈륨(Ga) 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속 산화물 입자; 또는 이들의 복합 산화물 입자인 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 다공질 막(20)은 1 내지 10 ㎛의 두께로 형성되는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 광 감응성 염료의 흡착 단계는 다공질 막(20)이 형성된 기판(10)을 광 감응성 염료를 포함하는 용액에 10 분 내지 24 시간 동안 침지하는 방법으로 수행되는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
12 |
12 제 1 항에 있어서,상기 광 감응성 염료는 1 내지 3 |
13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 고체 전해질은 N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, poly[(2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxy))-1,4-phenylenevinylene], Poly(N-vinylcarbazole), N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine, 4,4'-Bis(carbazol-9-yl)-biphenyl, (de-oxyribose nucleic acid)-(hexadecyl trimethyl ammonium chloride), Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulphonic acid), 및 2,2',7,7'-tetrakis(N,N-di-p-methoxyphenyl-amine)-9,9'-spirobifluorene로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물인 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
14 |
14 제 1 항에 있어서,상기 금속 전극(30)의 형성 단계는 스퍼터링, 음극아크 증착, 증기 증착, 전자빔 증착, 화학기상증착, 원자층 증착, 전기화학적 증착, 스핀 코팅, 분사 코팅, 닥터블레이드 코팅 또는 스크린 인쇄의 방법으로 수행되는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
15 |
15 제 1 항에 있어서,상기 금속 전극(30)은 50 내지 300 nm의 두께로 형성되는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
16 |
16 제 1 항에 있어서,상기 금속 전극(30)은 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조 방법 |
17 |
17 광 감응성 염료가 흡착된 다공질 막(20)을 포함하는 기판(10)이 놓이는 스테이지(100);상기 스테이지(100)를 덮어 밀폐 공간을 형성하는 챔버(200);상기 챔버(200)의 상단에 구비되며, 노즐을 통해 상기 밀폐 공간 내에 고체 전해질을 공급하는 전해질 주입부(250); 및상기 챔버(200)와 연결된 저진공 펌프(300)를 포함하는 염료감응형 태양전지용 고체 전해질 충진 장치 |
18 |
18 제 17 항에 있어서,상기 기판(10)을 스테이지(100) 상에 고정시키는 고정 수단이 상기 스테이지(100) 상에 더욱 구비된 염료감응형 태양전지용 고체 전해질 충진 장치 |
19 |
19 제 17 항에 있어서,상기 기판(10)에 대한 열 전달 수단이 상기 스테이지(100) 상에 더욱 구비된 염료감응형 태양전지용 고체 전해질 충진 장치 |
20 |
20 제 17 항에 있어서,상기 전해질 주입부(250)에는 상기 노즐과 스테이지(100)와의 거리를 조절하는 노즐 길이 조절 수단이 더욱 구비된 염료감응형 태양전지용 고체 전해질 충진 장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US09530570 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20140335648 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2014335648 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US9530570 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
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공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1406969-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20130510 출원 번호 : 1020130053403 공고 연월일 : 20140620 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140530 청구범위의 항수 : 20 유별 : H01L 31/04 발명의 명칭 : 고체 전해질 염료감응형 태양전지의 제조 방법 및 이에 이용되는 전해질 충진 장치 존속기간(예정)만료일 : 20190606 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 412,500 원 | 2014년 06월 05일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2017년 06월 01일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2018년 04월 09일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.05.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0416283-35 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2014.04.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2014.05.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0040061-31 |
5 | 등록결정서 | 2014.05.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0377176-80 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345197063 |
---|---|
세부과제번호 | 2E2283 |
연구과제명 | 플랙서블 박막 태양전지 원천기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 기초기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201201~201412 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1711005267 |
---|---|
세부과제번호 | 2012-0005955 |
연구과제명 | 다중 적층 태양전지 기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200807~201402 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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