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리간드 치환 반응된 양자점이 광흡수층으로 산화물반도체 박막 트랜지스터에 적용된 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터
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청구항 1에 있어서, 상기 산화물반도체 박막 트랜지스터는 기판 위에 금속 게이트 전극, 게이트 절연막, 산화물반도체 전하 수송층 및 소스/드레인 전극이 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 산화물반도체 박막 트랜지스터는 유리 또는 플라스틱 기판을 가진 것임을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터
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청구항 2에 있어서, 상기 금속 게이트 전극은 Mo, Al, Ti/Au, Ag, Cu, Pt 중에서 선택된 금속 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터
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5
청구항 2에 있어서, 상기 게이트 절연막은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, SiNx 중에서 선택된 게이트 절연막인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터
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6
청구항 2에 있어서, 상기 소스/트레인 전극은 Ti/Au, Mo, Al, Ag, Cu, Pt, W 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터
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7
청구항 1에 있어서, 상기 리간드 치환된 양자점은 PbS 양자점인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터
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8
청구항 1 또는 청구항 7에 있어서, 상기 리간드 치환된 양자점은 EDT(ethanedithol), MPA(mercaptocarboxylic acids), CTAB(tyltrimethylammonium bromide), HTAC(hexadecyltrimethylammonium chloride) , TBAI(tetrabutylammonium iodide, Na2S 중에서 선택된 리간드로 치환된 PbS 양자점인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터
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청구항 1에 있어서, 리간드 치환된 양자점은 리간드 치환된 양자점은 산화물반도체 박막 트랜지스터의 산화물반도체 전하 수송층 위에 또는 산화물반도체(IGZO) 전하 수송층 및 소스/드레인 전극이 형성된 구조 위에 광흡수층으로 적용되어 있는 구조인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터
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10
청구항 2 또는 청구항 9에 있어서, 광흡수층 위에 비결정질 불소 수지로 된 봉지 박막을 추가로 포함한 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터
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11
기판 위에 금속 게이트 전극을 형성하는 단계; 금속 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 위에 산화물반도체 전하 수송층을 증착하는 단계; 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 리간드 치환된 양자점을 광흡수층으로 코팅하는 단계; 상기 광흡수층 위에 비결정질 불소 수지로 봉지 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터의 제조방법
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청구항 11에 있어서, 기판은 유리 또는 플라스틱 기판을 가진 것임을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터의 제조방법
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청구항 11에 있어서, 상기 금속 게이트 전극은 Mo 금속 게이트 전극이고, 상기 게이트 절연막은 SiO2 게이트 절연막이고, 상기 소스/트레인 전극은 Ti/Au 소스/드레인 전극인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터의 제조방법
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청구항 11에 있어서, 상기 리간드 치환된 양자점은 EDT(ethanedithol) 리간드로 치환된 PbS 양자점인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터의 제조방법
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청구항 11에 있어서, 상기 리간드 치환된 양자점은 콜로이달 형태로 하여 스핀코팅 방법으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 따른 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터가 집적화된 수광 이미지 센서
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