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백색광 펄스를 이용하여 고분자를 경화시키는 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019010908
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 구현예에서는, 경화성 고분자, 가교제 및 용매를 포함하는 경화성 조성물을 준비하는 단계, 경화성 조성물을 기판 상에 도포하는 단계, 및 백색광 단펄스에 의해 경화하는 단계를 포함하는 경화성 고분자의 경화 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 51/05 (2006.01.01) C08J 7/04 (2006.01.01) C08J 3/24 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0512(2013.01) H01L 51/0512(2013.01) H01L 51/0512(2013.01)
출원번호/일자 1020150082855 (2015.06.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1683796-0000 (2016.12.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20161208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임정아 대한민국 서울특별시 성북구
2 김수진 대한민국 서울특별시 성북구
3 황도경 대한민국 서울특별시 성북구
4 송용원 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0565540-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0004625-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0029244-48
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0228917-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0228909-12
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0639170-18
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0644489-20
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.09.30 수리 (Accepted) 7-1-2016-0056729-51
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.11.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1076155-51
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-1076156-07
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0861688-99
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번호 청구항
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기판 상에 전도성 조성물을 도포하여 전도층을 형성하는 단계;상기 전도층 상에 하기 화학식 1로 표시되는 폴리 비닐 페놀, 가교제 및 용매를 포함하는 경화성 조성물을 도포하는 단계;상기 경화성 조성물을 10 내지 50℃의 온도에서, 백색광 단펄스에 의해 경화하여 유기 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 유기 게이트 절연층 상에 유기 활성층을 증착하는 단계; 및상기 유기 활성층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 전도성 조성물은 폴리에틸렌디옥시티오펜 및 폴리스티렌술폰산의 공중합체를 포함하는, 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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기판을 자외선 처리하는 단계;상기 기판 상에 전도성 조성물을 도포하여 전도층을 형성하는 단계;상기 전도층 상에 하기 화학식 1로 표시되는 폴리 비닐 페놀, 가교제 및 용매를 포함하는 경화성 조성물을 도포하는 단계;상기 경화성 조성물을 10 내지 50℃의 온도에서, 백색광 단펄스에 의해 경화하여 유기 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 유기 게이트 절연층 상에 유기 활성층을 증착하는 단계; 및상기 유기 활성층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 전도성 조성물은 폴리에틸렌디옥시티오펜 및 폴리스티렌술폰산의 공중합체를 포함하는, 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제12항 또는 제13항에 있어서,상기 기판은 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리술폰, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리에테르술폰인 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제12항 또는 제13항에 있어서,상기 경화성 조성물은 광경화제를 포함하지 않는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제12항 또는 제13항에 있어서,상기 가교제는 폴리멜라민-co-포름알데히드, 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물, 에틸렌디아민테트라아세트산 이무수물, 수베린 산, 수베로일 클로라이드 및 폴리우레아-co-포름알데히드 중 1종 이상인 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제12항 또는 제13항에 있어서,상기 경화성 고분자 조성물은 상기 폴리 비닐 페놀 5중량% 내지 30중량%, 상기 가교제 1중량% 내지 15중량%, 잔부로 상기 용매를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제12항 또는 제13항에 있어서,상기 백색광 단펄스는 0
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제12항 또는 제13항에 있어서,상기 유기 활성층은 펜타센, 2,7-디옥틸[1]벤조티에노[3
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제12항 또는 제13항에 있어서,상기 소스 전극과 드레인 전극은 금, 은, 알루미늄, 니켈 또는 인듐틴산화물을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.