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소듐이차전지용 캐쏘드 활물질, 그 제조방법 및 이를 채용한 소듐이차전지

  • 기술번호 : KST2015122658
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 소듐이차전지용 캐쏘드 활물질, 그 제조방법 및 이를 채용한 소듐이차전지가 제공된다. 본 발명에 따른 소듐이차전지용 캐쏘드 활물질은 FeF2.5(0.5H2O)-도전성 물질 복합체를 포함하며 저온 비수 침전법에 의해 제조된다. 상기 FeF2.5(0.5H2O)-도전성 물질 복합체는 우수한 용량 및 사이클 특성을 가지며, 저온 비수 침전법에 의해 제조되므로 제조방법이 용이하고 제조비용을 감소시킬 수 있으므로 성능이 개선된 소듐이차전지용 캐쏘드 활물질을 제공할 수 있다.
Int. CL H01M 10/054 (2010.01) H01M 4/52 (2010.01) H01M 4/583 (2010.01)
CPC H01M 4/52(2013.01) H01M 4/52(2013.01) H01M 4/52(2013.01) H01M 4/52(2013.01)
출원번호/일자 1020140021158 (2014.02.24)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0099959 (2015.09.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정경윤 대한민국 서울특별시 동대문구
2 장원영 대한민국 서울특별시 서초구
3 조병원 대한민국 서울특별시 서대문구
4 굴람 알리 파키스탄 서울시 성북구
5 김지영 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0176933-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.08.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.09.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0071593-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0284274-32
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0619474-89
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0536841-10
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번호 청구항
1 1
FeF2
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 FeF2
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 탄소계 도전성 물질은 다중벽 나노튜브(multi wall nano tubes) 또는 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 소듐이차전지용 캐쏘드 활물질
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 탄소계 도전성 물질의 함량이 FeF2
5 5
(a) 탄소계 도전성 물질을 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오르보레이트(1-Butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, BMIMBF4)용액에 분산시키는 단계; (b) 상기 탄소계 도전성 물질이 분산된 BMIMBF4 용액에 질산제이철을 혼합하여 FeF2
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 저온 비수 침전법의 온도 범위가 25℃ 내지 50℃인 것을 특징으로 하는 저온 비수 침전법에 의한 소듐이차전지용 캐쏘드 활물질의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 탄소계 도전성 물질은 다중벽 나노튜브(multi wall nano tubes) 또는 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온 비수 침전법에 의한 소듐이차전지용 캐쏘드 활물질의 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 BMIMBF4:질산 제이철:탄소계 도전성 물질의 중량비가 질산 제이철을 기준으로 10:1:0
9 9
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 소듐이차전지용 캐쏘드 활물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 소듐이차전지
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1 US20150243990 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015243990 US 미국 DOCDBFAMILY
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