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막분리 시스템을 이용한 혐기성 암모늄 산화균의 배양방법

  • 기술번호 : KST2015122797
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 혐기성 암모늄 산화균의 배양기는, 막분리 시스템을 이용한 혐기성 암모늄 산화균의 배양기로서, 반응조; 상기 반응조 내에 구비된 교반장치; 상기 반응조의 하단에 식종된 혐기성 암모늄 산화균; 및 상기 반응조의 중앙에 위치한 분리막을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 배양기를 이용한 폐수처리 장치를 제공하며, 혐기성 암모늄 산화균의 배양방법 및 이를 이용한 폐수처리 방법을 제공한다. 상기 배양기는, 느린 생장 속도를 갖는 혐기성 암모늄 산화균의 외부 유실을 획기적으로 방지함으로써 안정적인 미생물 농도를 확보할 수 있다. 또한, 상기 배양기는 폐수 및 하수 등의 수처리 분야에서 다양한 활용이 가능하다. 혐기성 암모늄 산화균, 막분리, 연속 회분식 반응조, 미생물 유실방지, 배양기
Int. CL C12M 1/12 (2006.01) C12M 1/02 (2006.01) C12M 3/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090027386 (2009.03.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1079701-0000 (2011.10.28)
공개번호/일자 10-2010-0109019 (2010.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20111104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정진영 대한민국 서울 강남구
2 김이중 대한민국 서울 동작구
3 배효관 대한민국 울산 남구
4 정윤철 대한민국 서울 도봉구
5 이석헌 대한민국 서울 성북구
6 이상협 대한민국 경기도 군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0193435-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.04.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0028218-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0522888-99
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0006922-83
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0102449-17
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0194171-10
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0266462-13
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0266463-58
11 등록결정서
Decision to grant
2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0614300-91
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
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혐기성 암모늄 산화균 배양기를 이용한 혐기성 암모늄 산화균의 배양방법에 있어서, (a) 반응조 내로 유입수가 공급되는 유입공정; (b) 혐기성 암모늄 산화균 및 유입수를 교반하는 교반공정; (c) 유입수가 혐기성 암모늄 산화균과 접촉하여 혐기성 암모늄 산화반응이 일어나는 반응공정; 및 (d) 반응이 종료된 처리수가 분리막을 통과하여 반응조 외부로 배출하는 유출공정을 포함하며, 상기 혐기성 암모늄 산화균 배양기는, 반응조; 상기 반응조 내에 구비된 교반장치; 상기 반응조의 하단에 식종된 혐기성 암모늄 산화균; 및 상기 반응조의 중앙에 위치한 분리막을 포함하여 이루어지며, 상기 반응조는, 상기 (a)~(d) 공정들이 단일 반응조에서 연속적으로 일어나는 연속 회분식 반응조 또는 유입 및 교반이 동시에 진행되는 반연속 회분식 반응조인 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화균 배양방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (b) 공정의 교반은 30~100 rpm의 저속 교반조건에서 행해지는 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화균의 배양방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (d) 공정의 분리막은 평막 또는 중공사막 형태의 여과막인 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화균의 배양방법
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제 6 항에 있어서, 상기 연속식 회분 반응조의 수리학적 체류시간은 20~28 시간인 것을 특징으로 하는 혐기성 암모늄 산화균 배양방법
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12 12
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