맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

N20 반응 가스를 이용한 산화물 박막 증착 방법

  • 기술번호 : KST2015122917
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일정한 비율의 불활성 가스와 반응 가스의 플라즈마를 발생시켜서 목적하는 조성의 타겟으로부터 입자를 방출시키고 이 입자를 기판 상에서 성장시켜 증착시키는 것을 포함하는 강유전 산화물 박막의 제조 방법에 있어서, 반응 가스로서 N2O를 사용하는 것을 특징으로 하는 강유전 산화물 박막의 제조 방법이 제공된다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01)
CPC C23C 14/0042(2013.01) C23C 14/0042(2013.01)
출원번호/일자 1019970031340 (1997.07.07)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0239008-0000 (1999.10.18)
공개번호/일자 10-1999-0009075 (1999.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.07.07)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이동헌 대한민국 서울특별시 성동구
2 김태송 대한민국 서울특별시 마포구
3 이전국 대한민국 서울특별시 도봉구
4 정형진 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.07 수리 (Accepted) 1-1-1997-0099427-54
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.07.07 수리 (Accepted) 1-1-1997-0099428-00
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.07 수리 (Accepted) 1-1-1997-0099425-63
4 특허출원서
Patent Application		 1997.07.07 수리 (Accepted) 1-1-1997-0099424-17
5 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.07.07 수리 (Accepted) 1-1-1997-0099426-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0188085-13
12 의견서
Written Opinion		 1999.08.18 수리 (Accepted) 1-1-1999-5296409-61
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.08.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5296410-18
14 등록사정서
Decision to grant		 1999.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0310338-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

불활성 가스에 대한 반응 가스의 사용비가 1 내지 100%인 불활성 가스와 반응 가스의 플라즈마를 발생시켜서, 조성이 Pb(Zr1-xTix)O3, SrBi2Ta2O9, BaBi2Ta2O9, Bi4Ti3O12, Pb1-xLa(Zr1-yTiy)O3, BST, TiO2 또는 Ta2O5 인 타겟으로부터 입자를 방출시키고 이 입자를 기판 상에서 성장시켜 증착시키는 것을 포함하는 스파터링에 의한 강유전 산화물 박막의 제조 방법에 있어서, 반응 가스로서 N2O를 사용하는 것을 특징으로 하는 강유전 산화물 박막의 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 불활성 가스와 반응 가스의 사용비가 80:20인 방법

3 3

제1항에 있어서, 두께가 1000Å 이하인 박막을 제조하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.