맞춤기술찾기

이전대상기술

유무기 하이브리드 적층형 태양전지

  • 기술번호 : KST2015122943
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유무기 하이브리드 적층형 태양전지가 개시된다. 유무기 하이브리드 적층형 태양전지는 제1 무기 태양전지 유닛, 제2 무기 태양전지 유닛, 중간 전극층 및 유기 태양전지 유닛을 구비한다. 제1 무기 태양전지 유닛의 제1 p-형 반도체층은 p-형 불순물이 도핑된 비정질 수소화 실리콘으로 이루어진 제1 박막 및 p-형 불순물이 도핑된 비정질 수소화 실리콘 산화물로 이루어진 제2 박막을 구비한다. 이러한 유무기 하이브리드 적층형 태양전지는 개방전압(Voc)을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01L 51/42 (2006.01)
CPC H01L 31/076(2013.01) H01L 31/076(2013.01) H01L 31/076(2013.01) H01L 31/076(2013.01) H01L 31/076(2013.01)
출원번호/일자 1020140001888 (2014.01.07)
출원인 성균관대학교산학협력단, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1535000-0000 (2015.07.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.07)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울특별시 서초구
2 박진주 대한민국 서울특별시 동대문구
3 신종훈 대한민국 경기도 김포시 유현로 **
4 정준희 대한민국 경기도 수원시 권선구
5 봉성재 대한민국 경기도 수원시 장안구
6 한승희 대한민국 서울특별시 성북구
7 김봉수 대한민국 서울특별시 성북구
8 김태희 대한민국 서울특별시 성북구
9 김진영 대한민국 서울특별시 관악구
10 손해정 대한민국 서울특별시 성북구
11 이도권 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0015817-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0089733-96
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0877222-87
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0058737-33
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0058736-98
8 등록결정서
Decision to grant
2015.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0435967-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 도전막;상기 투명 도전막 상부에 순차적으로 적층된 제1 p-형 반도체층, 제1 진성 반도체층 및 제1 n-형 반도체층을 포함하고, 상기 제1 p-형 반도체층은 상기 투명 도전막 상부에 위치하고 p-형 불순물이 도핑된 비정질 수소화 실리콘으로 이루어진 제1 박막과 상기 제1 박막 상부에 위치하고 p-형 불순물이 도핑된 비정질 수소화 실리콘 산화물로 이루어진 제2 박막을 포함하는 제1 무기 태양전지 유닛;상기 제1 n-형 반도체층 상부에 순차적으로 적층된 제2 p-형 반도체층, 제2 진성 반도체층 및 제2 n-형 반도체층을 포함하는 제2 무기 태양전지 유닛;상기 제2 n-형 반도체층 상부에 위치하는 중간 전극층;상기 중간 전극층 상부에 순차적으로 적층된 정공전달층, 광활성층 및 전자전달층을 포함하는 유기 태양전지 유닛; 및상기 전자전달층 상부에 위치하는 후면전극을 포함하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 박막은 3 내지 5 nm의 두께를 갖고, 상기 제2 박막은 5 내지 7 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 진성 반도체층은 제1 밴드갭을 갖는 진성 비정질 수소화 실리콘으로 이루어지고,상기 제2 진성 반도체층은 상기 제1 밴드갭보다 작은 제2 밴드갭을 갖는 진성 비정질 수소화 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 진성 반도체층은 진성 비정질 수소화 실리콘 또는 산소가 도핑된 수소화 실리콘으로 이루어지고,상기 제2 진성 반도체층은 진성 비정질 수소화 실리콘 또는 게르마늄이 도핑된 수소화 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지
6 6
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제1 진성 반도체층은 80 내지 150 nm의 두께를 갖고,상기 제2 진성 반도체층은 250 내지 400 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 제2 p-형 반도체층은 p-형 불순물 도핑된 비정질 수소화 실리콘 또는 p-형 불순물 도핑된 미세결정 수소화 실리콘으로 이루어지고,상기 p-형 불순물은 0
8 8
제1항에 있어서, 상기 정공전달층은 PEDO:PSS, MoO3, WO3 및 V2O5으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상으로 이루어지고,상기 전자전달층은 TiO2 또는 ZnO으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 적층형 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 기초기술연구회 NAP사업 비정질 실리콘계 텐덤 구조 태양전지용 a-Si 다중접합 광흡수층 제조기술 개발 연구