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투명 기판;상기 투명 기판 상에 형성된 전하 수송층;상기 전하 수송층 상에 형성된 광활성층;상기 광활성층 상에 형성된 정공 수송층; 및상기 정공 수송층 상에 형성된 전극;을 포함하는 양자점 태양전지에 있어서,상기 전하 수송층은 고에너지 광자를 선택적으로 차단하는 양자점을 포함하고,상기 광활성층은 유기물을 포함하는 것인,양자점 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 고에너지 광자는 300 nm 내지 400 nm 범위의 파장을 가지는 것인, 양자점 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 양자점은 0
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제 1 항에 있어서,상기 양자점은 비화인듐(InAs), 인화인듐(InP), 황화납(PbS), 안티몬화인듐(InSb), 비화갈륨(GaAs), 인화갈륨(GaP), 안티몬화갈륨(GaSb), 셀렌화카드뮴(CdSe), 황화카드뮴(CdS), 텔루르화카드뮴(CdTe), 셀레늄화아연(ZnSe), 텔루르화아연(ZnTe) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 양자점 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 양자점의 캐리어 농도는 1016 cm-3 내지 1017 cm-3 인 것인, 양자점 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 양자점은 n-layer 를 형성하는 것인, 양자점 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 양자점은 특정 방향의 노출면을 포함하고,상기 노출면에 리간드가 결합되는 것인, 양자점 태양전지
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제 7 항에 있어서,상기 양자점은 상기 노출면의 비율 또는 상기 리간드의 양에 따라 에너지 준위가 상이한 것인, 양자점 태양전지
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제 7 항에 있어서,상기 양자점은 상기 노출면과 상기 리간드의 전기음성도 차이에 의해 에너지 준위가 조절되는 것인, 양자점 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 전하 수송층은 금속 산화물을 추가 포함하는 것인, 양자점 태양전지
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제 10 항에 있어서,상기 금속 산화물은 TiO2, NiOx, Zn2SnO4, ZnO, ZrO, Al2O3, SnO2, WO3, Nb2O5, TiSrO3 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 양자점 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 투명 기판은 ITO, FTO, IZO, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 양자점 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 광활성층은 벌크이종접합(bulk heterojunction, BHJ) 층을 포함하는 것인, 양자점 태양전지
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제 1 항에 있어서상기 정공 수송층은 MoO3, Spiro-OMeTAD, PEDOT:PSS, G-PEDOT, PANI:PSS, PANI:CSA, PDBT, P3HT, PCPDTBT, PCDTBT, PTAA, V2O5, NiO, WO3, CuI, CuSCN 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 양자점 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 전극은 Ag, Au, Pt, Ni, Cu, In, Ru, Pd, Rh, Mo, Ir, Os, C, 전도성 고분자 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 양자점 태양전지
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투명 기판 상에 전하 수송층을 형성하는 단계;상기 전하 수송층 상에 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 및상기 정공 수송층 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 양자점 태양전지에 있어서,상기 전하 수송층은 고에너지 광자를 선택적으로 차단하는 양자점을 포함하고,상기 광활성층은 유기물을 포함하는 것인,양자점 태양전지의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 고에너지 광자는 300 nm 내지 400 nm 범위의 파장을 가지는 것인, 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 양자점은 0
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제 16 항에 있어서,상기 전하 수송층 및 상기 광활성층을 형성하는 단계는 스핀코팅, 드롭캐스팅, 딥코팅, 바코팅, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 제트 프린팅, 전기분무 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것인, 양자점 태양전지의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 정공 수송층을 형성하는 단계는 물리적기상증착(Physical Vapor Deposition, PVD), 스퍼터링(sputtering), RF/DC 스퍼터링, 원자층증착(Atomic Layer Deposition, ALD), 전자빔 증착(Electron-beam Evaporation), 이온빔 스퍼터링, 화학적기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD), 저압화학기상증착(LPCVD), 플라즈마화학기상증착(PECVD), 이온 플레이팅(ion plating) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것인, 양자점 태양전지의 제조 방법
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