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다공성막 지지체, 이 지지체 위에 증착된 실리콘 화합물의 능동층 및 중합성 유기 불소 화합물의 플라즈마 표면 처리층으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 산소에 대한 투과 속도 및 선택도가 동시에 증가된 복합막형 기체 분리막
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제1항에 있어서, 상기 지지체는 0
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 화합물은 헥사메틸디실록산인 것인 복합막형 기체 분리막
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제1항에 있어서, 상기 능동층의 두께는 5,000-10,000Å인 것인 복합막형 기체 분리막
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제1항에 있어서, 상기 중합성 유기 불소 화합물은 헥사플루오르벤젠인 것인 복합막형 기체 분리막
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저온 플라즈마 장치의 관형 반응기에 다공성막 지지체를 장착하고, 상기 반응기의 내부 압력을 5밀리토르 이하로 유지시킨 다음, 완전 탈기시킨 실리콘 화합물 단량체를 공급하고, 상기 반응기의 내부 압력을 다시 60밀리토르 이상으로 승압·유지시킨 다음, 플라즈마 방전시켜 상기 지지체 위에 실리콘 화합물을 중합·증착시킴으로써 능동층을 형성하고, 이 능동층을 중합성 유기 불소 화합물로 단시간 플라즈마 처리하여 상기 능동층의 표면을 개질시키는 것을 특징으로 하는, 제1항 기재의 복합막형 기체 분리막의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 실리콘 화합물은 헥사메틸디실록산인 것인 방법
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제6항에 있어서, 상기 능동층의 두께는 5,000-10,000Å인 것인 방법
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제6항에 있어서, 상기 중합성 유기 화합물이 헥사플루오르벤젠인 것인 방법
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 실리콘 화합물의 플라즈마 중합은 20와트의 방전 출력으로 10-20분간 플라즈마 방전시켜 이루어지는 것인 방법
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제6항에 있어서, 상기 중합성 유기 불소 화합물에 의한 능동층 표면의 플라즈마처리는 30초간 이루어지는 것인 방법
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제6항 또는 11항에 있어서, 상기 중합성 유기 불소 화합물에 의한 능동층의 표면의 플라즈마 처리는 막두께의 증가없이 이루어지는 것인 방법
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