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Ｓｅ 또는 Ｓ계 박막태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015123045
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Se 또는 S계 광흡수층 기반 박막태양전지에 있어서 하부 투명전극층의 구조를 제어함으로써 상부 투명전극층의 결정성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 Se 또는 S계 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 Se 또는 S계 박막태양전지는 광흡수층 및 전면 투명전극층을 구비하는 Se 또는 S계 박막태양전지에 있어서, 상기 전면 투명전극층은 하부 투명전극층과 상부 투명전극층으로 구성되며, 상기 하부 투명전극층은 비정질 구조의 산화물계 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120061357 (2012.06.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1352537-0000 (2014.01.10)
공개번호/일자 10-2013-0137810 (2013.12.18) 문서열기
공고번호/일자 (20140121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.08)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김원목 대한민국 서울 노원구
2 김진수 대한민국 서울 송파구
3 정증현 대한민국 서울 관악구
4 백영준 대한민국 서울특별시 노원구
5 박종극 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0456468-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0062004-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0657061-94
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0884975-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0884978-57
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0016487-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광흡수층 및 전면 투명전극층을 구비하는 Se 또는 S계 박막태양전지에 있어서, 상기 전면 투명전극층은 하부 투명전극층과 상부 투명전극층으로 구성되며, 상기 하부 투명전극층은 비정질 구조의 산화물계 박막으로 이루어지며, 상기 비정질 구조의 산화물계 박막은 Zn의 산화물 및 Sn의 산화물의 혼합물로 이루어지며, Sn의 조성비가 커질수록 광학 밴드갭이 증가하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 비정질 구조의 산화물계 박막은 광학 밴드갭이 3
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 비정질 구조의 산화물계 박막은 단일 성분의 산화물 반도체 또는 복수종의 산화물 반도체의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 비정질 구조의 진성 산화물계 박막은 Zn, In, Sn, Ti, Ga, Cd, Sb, V의 산화물 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 이루어지며, 이들의 혼합물을 구성하는 원소 중 산소를 제외한 상기 금속 원소들의 원자 조성비가 80% 이상인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 비정질 구조의 산화물계 박막은 복수종의 산화물 반도체의 혼합물로 구성되며, 상기 복수종의 산화물 반도체의 조성에 따라 광학 밴드갭의 제어가 가능한 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 Zn의 산화물 및 Sn의 산화물의 혼합물에 있어서, 산소를 제외한 금속 성분 중 Sn의 원자비가 15∼90atom%로 조정되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 상부 투명전극층은 ZnO계 박막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
9 9
광흡수층, 하부 투명전극층 및 상부 투명전극층을 구비하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법에 있어서, 비정질 구조의 산화물계 박막으로 이루어진 하부 투명전극층을 형성하는 단계; 및 상기 하부 투명전극층 상에 결정질 구조의 산화물계 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 비정질 구조의 산화물계 박막은 Zn의 산화물 및 Sn의 산화물의 혼합물로 이루어지며, Sn의 조성비가 커질수록 광학 밴드갭이 증가하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 비정질 구조의 산화물계 박막은 광학 밴드갭이 3
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 비정질 구조의 산화물계 박막은 단일 성분의 산화물 반도체 또는 복수종의 산화물 반도체의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 비정질 구조의 진성 산화물계 박막은 Zn, In, Sn, Ti, Ga, Cd, Sb, V의 산화물 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 이루어지며, 이들의 혼합물을 구성하는 원소 중 산소를 제외한 상기 금속 원소들의 원자 조성비가 80% 이상인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 비정질 구조의 산화물계 박막은 복수종의 산화물 반도체의 혼합물로 구성되며, 상기 복수종의 산화물 반도체의 조성에 따라 광학 밴드갭의 제어가 가능한 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
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삭제
15 15
제 9 항에 있어서, 상기 Zn의 산화물 및 Sn의 산화물의 혼합물에 있어서, 산소를 제외한 금속 성분 중 Sn의 원자비가 15∼90atom%로 조정되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
16 16
제 9 항에 있어서, 상기 상부 투명전극층은 ZnO계 박막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20130327387 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013327387 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.