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제1교류신호를 입력받아 복수의 제1출력단 중 하나의 제1출력단으로 신호를 전달하는 제1나노 스위치;제2교류신호를 입력받아 복수의 제2출력단 중 하나의 제2출력단으로 신호를 전달하는 제2나노 스위치;상기 제1나노 스위치 및 상기 제2나노 스위치로부터 각각 신호를 전달받고, 전달받은 신호를 기초로 정해진 논리값을 출력하는 출력부를 포함하되,상기 제1나노 스위치 및 제2나노 스위치는 입력되는 교류신호의 주파수에 따라서 상기 하나의 제1 및 제2 출력단을 각각 결정하고,상기 제1나노 스위치는,상기 제1교류신호를 전달받는 제1입력전극, 상기 복수의 제1출력단에 각각 연결된 복수의 제1출력전극 및 상기 제1입력전극과 상기 복수의 제1출력전극 사이에 위치된 제1나노 구조체를 포함하고,상기 제2나노 스위치는,상기 제2교류신호를 전달받는 제2입력전극, 상기 복수의 제2출력단에 각각 연결된 복수의 제2출력전극 및 상기 제2입력전극과 상기 복수의 제2출력전극 사이에 위치된 제2나노 구조체를 포함하며,상기 복수의 제1출력전극은 서로 전기적으로 분리되고,상기 복수의 제2출력전극은 서로 전기적으로 분리된 것을 특징으로 하는 전자셔틀 매커니즘을 이용한 XOR 논리회로
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2입력전극, 제1 및 제2나노 구조체, 제1 및 제2출력전극은,SOI(Silicon On Insulator) 기판 및상기 SOI기판 상에 형성된 금속박막층을 패터닝하여 형성된 것을 특징으로 하는 전자셔틀 매커니즘을 이용한 XOR 논리회로
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제3항에 있어서,상기 제1 및 제2나노 구조체의 하부는 고정되고 그 상기 금속박막층을 포함하는 상부가 상기 제1 및 제2입력전극과 상기 복수의 제1 및 제2출력전극 중 하나의 제1 및 제2출력전극 사이를 각각 주기적으로 운동함으로써 제1 및 제2입력전극에서 하나의 제1 및 제2출력전극으로 각각 전자를 전달하는 것을 특징으로 하는 전자셔틀 매커니즘을 이용한 XOR 논리회로
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제4항에 있어서,상기 제1 및 제2나노 구조체는, 입력되는 제1 및 제2교류신호의 주파수에 따라서 상기 하나의 제1 및 제2출력전극을 각각 결정하는 것을 특징으로 하는 전자셔틀 매커니즘을 이용한 XOR 논리회로
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제5항에 있어서,상기 출력부는,상기 제1 및 제2 출력전극에서 출력되는 신호의 논리값이 서로 다른 경우에만 양 또는 음의 출력값을 출력하는 것을 특징으로 하는 전자셔틀 매커니즘을 이용한 XOR 논리회로
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제3항에 있어서,상기 제1 및 제2입력전극 및 제1 및 제2출력전극은 각각 포토리소그라피 공정으로 패터닝되고,상기 제1 및 제2나노 구조체는 각각 e-beam 리소그라피 공정으로 패터닝된 것을 특징으로 하는 전자셔틀 매커니즘을 이용한 XOR 논리회로
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제3항에 있어서,상기 금속박막층은 Ti층 및 Au층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자셔틀 매커니즘을 이용한 XOR 논리회로
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제3항에 있어서,상기 제1 및 제2입력전극, 제1 및 제2나노 구조체, 제1 및 제2출력전극은200nm 내지 1000nm의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 전자셔틀 매커니즘을 이용한 XOR 논리회로
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제3항에 있어서,상기 출력부는 차동증폭기인 것을 특징으로 하는 전자셔틀 매커니즘을 이용한 XOR 논리회로
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