맞춤기술찾기

이전대상기술

다환식 화합물을 이용한 탄소 구조체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015124148
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다중 고리로 구성된 다환식 화합물을 이용하여 열안정화 반응 없이 탄화 처리만으로 탄소 구조체를 제조함으로써 공정이 간단한 동시에 재현성이 높아 대량 생산에 적합한 다환식 화합물을 이용한 탄소 구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, (a)다환식 화합물을 포함하는 고분자 용액으로 기판 상에 고분자 구조체를 형성하는 단계; 및 (b)상기 형성된 고분자 구조체를 탄화하는 단계;를 포함한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020130114992 (2013.09.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1571404-0000 (2015.11.18)
공개번호/일자 10-2015-0034972 (2015.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20151124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.27)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조한익 대한민국 서울 은평구
2 손수영 대한민국 부산 사하구
3 이성호 대한민국 경기 안양시 동안구
4 김태욱 대한민국 경기 이천시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0876810-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0069805-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0068918-26
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0309412-21
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0419829-58
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0501906-23
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0501907-79
10 등록결정서
Decision to grant
2015.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0733435-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 내재적 기공성 고분자(Polymers of Intrinsic Microporosity-1, PIM-1)를 포함하는 고분자 용액으로 기판 상에 고분자 구조체를 형성하는 단계; 및 (b) 상기 형성된 고분자 구조체를 탄화하는 단계;를 포함하는 탄소 구조체 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,(c)상기 제조된 탄소 구조체를 흑연화 하는 단계를 더 포함하는 탄소 구조체 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 형성되는 고분자 구조체는 고분자 나노 필름인 탄소 구조체 제조 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 고분자 구조체 형성은 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 바코팅(bar coating), 자기조립(self assembly), 스프레이법(spary), 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 그라비아(gravure), 그라비아 오프셋(gravure-offset), 플렉소 인쇄법(flexography) 및 스크린 프린팅(screen-printing)으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 코팅 방법으로 진행하는 탄소 구조체 제조방법
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 탄화 단계는 불활성 분위기 조건으로 400℃ 내지 1800℃ 온도 범위 내에서 진행하는 탄소 구조체 제조방법
8 8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 탄화 단계는 도핑 가스 존재 하에서 진행하는 탄소 구조체 제조방법
9 9
(a) 다환식 화합물을 포함하는 고분자 용액으로 기판 상에 고분자 구조체를 형성하는 단계; 및 (b)상기 형성된 고분자 구조체를 탄화하는 단계;를 포함하고,상기 탄화 단계는 아세틸렌, 에틸렌 및 메탄으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 탄화 원자 함유 가스를 함께 주입하여 진행하는 탄소 구조체 제조방법
10 10
제 2 항에 있어서,상기 흑연화 단계는 불활성 분위기 또는 진공 분위기 조건으로 1800℃ 내지 3000℃ 온도 범위 내에서 진행하는 탄소 구조체 제조방법
11 11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 고분자 용액 내의 고분자 함량 또는 분자량을 제어함으로써 상기 제조되는 탄소 구조체의 두께를 조절하는 탄소 구조체 제조방법
12 12
고분자 구조체가 탄화된 탄소 구조체이고,상기 고분자 구조체는 내재적 기공성 고분자(Polymers of Intrinsic Microporosity-1, PIM-1)를 포함하는 탄소 구조체
13 13
제 12 항에 있어서,상기 탄소 구조체는 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 구조체
14 14
제12항 또는 제13항에 있어서,상기 탄소 구조체 내에 탄소 원자 육각 고리 구조가 0, 1 또는 2차원인 탄소 구조체
15 15
제 14 항에 있어서,상기 탄소 구조체는 그래핀 또는 탄소 나노 필름이고, 그래핀 또는 탄소 나노 필름의 전기 전도도는 1 내지 2000 S/㎝인 탄소 구조체
16 16
제 14 항에 있어서,상기 탄소 구조체는 탄소 나노 필름이고, 탄소 나노 필름의 가로 및 세로 길이는 각각 1㎚ 내지 1m 범위 내인 탄소 구조체
17 17
제 14 항의 탄소 구조체를 포함하는 전자 재료
18 18
제 14 항의 탄소 구조체를 포함하는 전지 재료
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.