1 |
1
(a) 내재적 기공성 고분자(Polymers of Intrinsic Microporosity-1, PIM-1)를 포함하는 고분자 용액으로 기판 상에 고분자 구조체를 형성하는 단계; 및 (b) 상기 형성된 고분자 구조체를 탄화하는 단계;를 포함하는 탄소 구조체 제조방법
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,(c)상기 제조된 탄소 구조체를 흑연화 하는 단계를 더 포함하는 탄소 구조체 제조방법
|
3 |
3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 형성되는 고분자 구조체는 고분자 나노 필름인 탄소 구조체 제조 방법
|
4 |
4
삭제
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 고분자 구조체 형성은 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 바코팅(bar coating), 자기조립(self assembly), 스프레이법(spary), 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 그라비아(gravure), 그라비아 오프셋(gravure-offset), 플렉소 인쇄법(flexography) 및 스크린 프린팅(screen-printing)으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 코팅 방법으로 진행하는 탄소 구조체 제조방법
|
7 |
7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 탄화 단계는 불활성 분위기 조건으로 400℃ 내지 1800℃ 온도 범위 내에서 진행하는 탄소 구조체 제조방법
|
8 |
8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 탄화 단계는 도핑 가스 존재 하에서 진행하는 탄소 구조체 제조방법
|
9 |
9
(a) 다환식 화합물을 포함하는 고분자 용액으로 기판 상에 고분자 구조체를 형성하는 단계; 및 (b)상기 형성된 고분자 구조체를 탄화하는 단계;를 포함하고,상기 탄화 단계는 아세틸렌, 에틸렌 및 메탄으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 탄화 원자 함유 가스를 함께 주입하여 진행하는 탄소 구조체 제조방법
|
10 |
10
제 2 항에 있어서,상기 흑연화 단계는 불활성 분위기 또는 진공 분위기 조건으로 1800℃ 내지 3000℃ 온도 범위 내에서 진행하는 탄소 구조체 제조방법
|
11 |
11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 고분자 용액 내의 고분자 함량 또는 분자량을 제어함으로써 상기 제조되는 탄소 구조체의 두께를 조절하는 탄소 구조체 제조방법
|
12 |
12
고분자 구조체가 탄화된 탄소 구조체이고,상기 고분자 구조체는 내재적 기공성 고분자(Polymers of Intrinsic Microporosity-1, PIM-1)를 포함하는 탄소 구조체
|
13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 탄소 구조체는 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 구조체
|
14 |
14
제12항 또는 제13항에 있어서,상기 탄소 구조체 내에 탄소 원자 육각 고리 구조가 0, 1 또는 2차원인 탄소 구조체
|
15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 탄소 구조체는 그래핀 또는 탄소 나노 필름이고, 그래핀 또는 탄소 나노 필름의 전기 전도도는 1 내지 2000 S/㎝인 탄소 구조체
|
16 |
16
제 14 항에 있어서,상기 탄소 구조체는 탄소 나노 필름이고, 탄소 나노 필름의 가로 및 세로 길이는 각각 1㎚ 내지 1m 범위 내인 탄소 구조체
|
17 |
17
제 14 항의 탄소 구조체를 포함하는 전자 재료
|
18 |
18
제 14 항의 탄소 구조체를 포함하는 전지 재료
|