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실리콘을 함유하고 비정질이며 수소를 함유하지 않고 sp3/sp2 분율이 60 내지 85 % 이며 원자 결합 형태가 주로 사면체 구조를 갖고, 상기 실리콘의 함유량이 0
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제 2 항에 있어서, 상기 실리콘의 함유량이 0
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진공 여과 아크 증착법을 사용하여 초경질 다이아몬드상 탄소박막을 증착시, 이와 동시에 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 실리콘을 스퍼터링함으로써, 초경질 다이아몬드상 탄소박막이 실리콘을 함유하도록 하는 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 아크 이온 소스부, 마그네틱 여과부 및 래스터 장치를 포함하는 진공 여과 아크 장비, 마그네트론 스퍼터 건 및 스퍼터 전원공급계를 포함하는 마그네트론 스퍼터링 부분 및 반응 챔버를 포함하는 합성장비를 사용하여, 진공 여과 아크 장비에 고체상 탄소원을 장착하고 진공 여과 아크 전원을 인가하여 진공 여과 아크 증착법에 의하여 탄소 플라즈마를 발생시키고, 이와 동시에, 마그네트론 스퍼터링부의 스퍼터 건에 실리콘을 장착하고 마그네트론 스퍼터링 전원을 인가하여 실리콘을 스퍼터링하여, 반응 챔버에 장치된 기판상에 탄소와 실리콘을 동시에 증착시키는 단계를 포함하는 초경질 다이아몬드상 탄소박막의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 진공 여과 아크 전원을 55 ~ 90 V, 22 ~ 30 A 범위로 인가하는 초경질 다이아몬드상 탄소박막의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 마그네트론 스퍼터링 전원을 800 ~ 900 V, 0
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제 5 항에 있어서, 상기 초경질 다이아몬드 탄소박막의 합성시 기판에 바이어스를 인가하지 않고 탄소 및 실리콘을 증착시키는 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 진공 여과 아크 장비를 작동시키고 탄소 플라즈마를 형성시킨 상태에서 실리콘을 첨가하기 전에, 반응 챔버에 불활성기체를 유입시키고 기판 바이어스를 인가하여 기판을 건식 세척시키는 단계를 추가적으로 포함하는 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 인가되는 기판 바이어스가 -800 ~ -1000 V 이고 세척시간이 10 ~ 20 분인 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 마그네트론 스퍼터링 건에서의 실리콘 스퍼터링시 반응 챔버내에 불활성기체를 유입시키고, 이 때 유입되는 불활성기체의 양을 조절하여 증착되는 실리콘의 양을 조절하는 단계를 추가적으로 포함하는 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 초경질 다이아몬드상 탄소박막에 첨가되는 실리콘의 양이 0
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제 5 항에 있어서, 상기 반응 챔버 내부의 압력이 10-3 torr ∼ 10-4 torr인 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법
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