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입방정계 질화붕소 박막의 증착 방법

  • 기술번호 : KST2015123774
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 입방정계 질화붕소(cBN) 박막을 증착하는 방법에 관한 것으로서, 질소를 함유한 불활성 기체에 수소 기체를 첨가한 혼합 기체 분위기 하에서 물리적 증착을 실시하는 것을 특징으로 하며, 박막 증착시 cBN 함량의 감소나 산화민감성 증가를 억제하면서 박막의 압축잔류응력을 최대한 감소시켜 밀착력이 우수한 박막의 증착이 가능하므로, 본 발명의 증착 방법을 이용하여 제조된 cBN 박막 내마모성 재료는 박리가 일어나지 않으며 경도가 매우 우수하다.
Int. CL C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/16 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100022966 (2010.03.15)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0991770-0000 (2010.10.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20101103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시 용산구
2 박종극 대한민국 서울특별시 서초구
3 이욱성 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김애라 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (역삼동, 한신인터밸리**) 서관 ***호(테라아이피씨특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0163579-73
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0176299-98
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2010.03.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2010.03.26 수리 (Accepted) 9-1-2010-0019174-50
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0178057-49
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0407612-49
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0484312-96
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0552354-21
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0552371-08
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0480494-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
질소, 수소 및 불활성 기체의 혼합 기체 분위기에서 입방정계 질화붕소(cBN) 박막을 기판 상에 물리적 증착(physical vapor deposition)하는 방법에 있어서, 증착된 박막의 잔류응력을 감소시키기 위하여 상기 혼합 기체 중의 수소의 부피 함량이 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 증착된 박막의 잔류응력이, 3GPa 이하인 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막의 증착 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 혼합 기체 중의 수소의 부피 함량이 5% 내지 10%인 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막의 증착 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 불활성 기체가, 아르곤 기체인 것을 특징으로 하는 증착 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 물리적 증착이, 스퍼터링법(sputtering)에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막의 증착 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 스퍼터링법이 비대칭 마그네트론 스퍼터링법(unbalanced magnetron sputtering)인 것을 특징으로 하는, 입방정계 질화붕소 박막의 증착 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 비대칭 마그네트론 스퍼터링법이, 직경 5cm 내지 10cm의 스퍼터링 타겟에 300W 내지 500W의 RF전원을 연결시키고, 기판에는 100kHz 내지 13
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술연구원 소재원천기술개발사업 경원소 공유결합형 초경도 박막합성기술