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갈륨비소반도체와산화루테늄접촉베리어의열적안정화방법

  • 기술번호 : KST2015123992
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열적으로 안정된 반도체소자용 게이트금속(gate metal) 및 금속배선 제작을 위해 반도체와 금속 사이의 접촉베리어(contact barrier)에 대한 열적안정성을 향상시키는 방법에 관한 것으로, 특히 갈륨비소반도체 위에 쇼트키장벽을 형성하고 열처리 수행시 300 ℃정도의 낮은 온도에서도 금속과 반도체 사이의 반응에 의한 접합장벽의 열화현상을 지연시켜줌으로써 열적안정성을 실현하려는 데 그 목적이 있다.따라서, 본 발명 갈륨비소반도체와 산화루테늄 접촉베리어의 열적안정화방법은 갈륨비소반도체의 쇼트키접촉용 금속으로 비저항이 작고 안정된 산화물인 산화루테늄의 접촉안정성을 높이기 위하여 갈륨비소반도체의 표면에 수소화를 실시함으로써, 반도체 표면에 존재할 수 있는 결함 및 불순물들의 전기적 이온상태를 중성화시켜 접촉베리어에 영향을 미치는 계면고정효과(interface pinning effect)를 방지할 수 있고, 접촉계면의 산화반응을 억제하게 되어 열적안정성을 유지하게 되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01)
CPC H01L 21/02315(2013.01) H01L 21/02315(2013.01)
출원번호/일자 1019940033313 (1994.12.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0162863-0000 (1998.09.01)
공개번호/일자 10-1996-0026134 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.08)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민석기 대한민국 서울특별시영등포구
2 김은규 대한민국 서울특별시도봉구
3 박용주 대한민국 서울특별시도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0149876-33
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0149877-89
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0149875-98
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0083652-81
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0149879-70
6 의견서
Written Opinion		 1998.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0149878-24
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0083653-26
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

산화루테늄을 직류마그네트론 스퍼터링법으로 갈륨비소반도체 표면 위에 증착함에 있어서, 상기 산화루테늄과 갈륨비소반도체의 계면상에 존재하는 각종 결함들의 전기적 활성상태를 중성화하도록 갈륨비소의 표면을, 수소 플라즈마로 수소화처리한 후, 산화루테늄으로 박막증착함을 특징으로 하는 갈륨비소반도체와 산화루테늄 접촉베리어의 열적안정화방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 갈륨비소표면의 수소화처리는 플라즈마 파워를 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.