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기판 위에 적층된 투명전극층 위에 PEIE (Polyehthylenimine ethoxylated)로 이루어진 고분자 표면 개질층이 적층되어 있고, 그 고분자 표면 개질층 위에 양자점 단일층이 적층되어 있으며, 양자점 단일층 위에 정공 수송층이 형성되어 있는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 표면 개질층을 이용한 양자점 단일층 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 기판은 유리, 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이소설포네이트(PES) 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 양자점 단일층 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 고분자 표면 개질층은 1~20nm의 두께로 형성 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 단일층 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 양자점 단일층은 코어(Core), 쉘(Shell) 및 리간드(Ligand); 또는 코어, 쉘, 쉘 및 리간드; 또는 코어와 쉘로만 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점 단일층 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 양자점 단일층의 양자점은 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴텔레라이드(CdTd), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레라이드(ZnTe) 또는 징크설파이드(ZnS)의 2~6족 반도체 화합물, 및 인듐아세나이드((InAs) 또는 인듐포스파이드(InP)의 3~5족 반도체 화합물 중에서 선택된 하나 이상의 양자점으로 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 단일층 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 정공수송층은 NPB(N,N`-bis(1-naphtalenyl)-N-N`-bis(phenyl-benzidine)), DMFL-NPB(N,N0-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N0-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluorene), DPFL-NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-9,9'-diphenyl-fluorene), Spiro-NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-spiro), TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine), Poly-TPD(poly(N,N0-bis(4-butylphenyl)-N,N0-bis(phenyl)benzidine), CBP(4, 4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl), PVK(tetraphenyl-diaminophenyl/poly-vinylcarbazole),F8BT (poly (9,9-din-octyl-fluorene-alt-benzothiadiazolo),α-NPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1=naphtyl)-1,1'-biphenyl-4,4''-diamine), TATC(4,4',4''-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine),DNTPD(N,N'-di(4-(N,N'-diphenyl-amino)phenyl)-N
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청구항 1에 있어서, 정공수송층은 Poly TPD/PVK(tetraphenyl-di aminophenyl/poly-vinylcarbazole) 혼합로 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 단일층 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 정공 수송층 위에 MoO3/Ag, Au 또는 Pt 의 양극층이 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 단일층 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 투명전극층이 극치환되어 음극으로 적용되는 것을 특징으로 하는 양자점 단일층 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 기판 위에 ITO(Indium Tin Oxide)층과 PEIE 고분자 표면 개질층 및 CdSe/ZnS 양자점 단일층이 차례로 형성되어 있고, 그 위에 Poly TPD/PVK 정공 수송층과 MoO3/Ag 양극층이 차례로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 양자점 단일층 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 기판 위에 적층된 투명전극층과 PEIE 로 이루어진 고분자 표면 개질층 사이에 전자수송층이 추가로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고분자 표면 개질층을 이용한 양자점 단일층 발광 다이오드
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청구항 11에 있어서, 기판 위에 ITO(Indium Tin Oxide)층에 ZnO 전자 수송층을 형성한 후 PEIE 고분자 표면 개질층 및 CdSe/ZnS 양자점 단일층이 차례로 형성되어 있고, 그 위에 Poly TPD/PVK 정공 수송층과 MoO3/Ag 양극층이 차례로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 양자점단일층 발광 다이오드
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기판 위에 투명전극층을 형성하는 단계; 상기 투명전극층 위에 PEIE (Polyehthylenimine ethoxylated)로 고분자 표면 개질층을 형성하는 단계; 상기 고분자 표면 개질층 위에 양자점 콜로이드 용액을 코팅하여 양자점 단일층을 형성하는 단계; 및 양자점 단일층 위에 발광재료를 코팅하여 정공 수송층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 표면 개질층을 이용한 양자점 단일층 발광 다이오드의 제조방법
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청구항 13에 있어서, 투명전극층을 형성하는 단계와 고분자 표면 개질층을 형성하는 단계 사이에 전자수송층을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 단일층 발광 다이오드의 제조방법
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청구항 13에 있어서, 코팅은 스핀 코팅(Spin Coating), 노즐 코팅(Nozzle Coating), 스프레이 코팅(Spray Coating), 잉크젯(Inkjet) 및 슬릿 코팅(Slit Coating) 중에서 선택된 방식으로 시행하는 것을 특징으로 하는 양자점 단일층 발광 다이오드의 제조방법
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청구항 13 또는 청구항 14에 있어서, 정공 수송층 위에 MoO3/Ag, Au 또는 Pt로 양극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 단일층 발광 다이오드의 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 12에 따른 양자점 단일층 발광 다이오드를 포함하는 평판 디스플레이
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