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양자점 구조를 활성층으로 이용하는 고휘도 발광소자 및그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015124399
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고휘도 발광소자의 활성층으로 양자점 구조를 이용하여 LED의 넓은 파장 대역폭 특성과 레이저 다이오드의 높은 광출력 특성을 동시에 만족시키는 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판, 방출되는 광을 구속하기 위하여 기판 위에 형성된 제 1 클래딩층, 양자점들의 배열을 제어하기 위하여 제 1 클래딩층 위에 형성된 제 1 초격자층, 사전설정된 파장을 갖는 광을 방출하기 위하여 제 1 초격자층 위에 형성된 양자점 구조의 활성층, 양자점들의 배열을 제어하기 위하여 활성층 위에 형성된 제 2 초격자층, 활성층으로부터 방출되는 광을 구속하기 위하여 제 2 초격자층 위에 형성된 제 2 클래딩층 및 옴 접촉(ohmic contact)을 조절하기 위하여 제 2 클래딩층 위에 형성된 오믹층을 포함하는 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.고휘도 발광소자, 활성층, 양자점, 파장 대역폭, 광출력
Int. CL H01L 33/06 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020030031065 (2003.05.16)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0098798 (2004.11.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.16)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한일기 대한민국 서울특별시노원구
2 허두창 대한민국 서울특별시동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2003-0173219-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0008143-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0336297-90
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0512778-87
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0581319-40
7 의견서
Written Opinion		 2005.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0655850-31
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0655836-02
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2006.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0086931-21
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0255456-18
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0508129-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

고휘도 발광소자로서,

기판,

방출되는 광을 구속하기 위하여 상기 기판 위에 형성된 제 1 클래딩층,

양자점들의 배열을 제어하기 위하여 상기 제 1 클래딩층 위에 형성된 제 1 초격자층,

사전설정된 파장을 갖는 광을 방출하기 위하여 상기 제 1 초격자층 위에 형성된 양자점 구조의 활성층,

상기 양자점들의 배열을 제어하기 위하여 상기 활성층 위에 형성된 제 2 초격자층,

상기 활성층으로부터 방출되는 상기 광을 구속하기 위하여 상기 제 2 초격자층 위에 형성된 제 2 클래딩층, 및

옴 접촉(ohmic contact)을 조절하기 위하여 상기 제 2 클래딩층 위에 형성된 오믹층

을 포함하는 고휘도 발광소자

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 활성층으로부터 얻는 광이득을 조절하기 위하여 상기 오믹층 위에 형성되는 절연층, 및

상기 광의 공진 모드를 억제하기 위한 사전설정된 형태의 전극

을 더 포함하는 고휘도 발광소자

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 양자점들의 크기와 밀도는 상기 활성층을 형성하는 반도체 물질들의 조성, 두께 및 적층 주기를 조절함으로써 제어되는 고휘도 발광소자

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 양자점들은 서로 다른 격자상수를 갖는 InAs 계열과 GaAs 계열의 화합물 반도체를 사전설정된 두께 및 사전설정된 적층 주기로 교번하여 성장시킴으로써 자발형성(self assemble)되는 InGaAs 계열의 양자점인 고휘도 발광소자

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 양자점들의 배열은 상기 제 1 및 제 2 초격자층을 형성하는 반도체 물질들의 조성, 두께 및 적층 주기를 조절함으로써 제어되는 고휘도 발광소자

6 6

제 4 항에 있어서,

상기 양자점 구조의 활성층은 510℃의 온도하에서 형성되는 고휘도 발광소자

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 고휘도 발광소자의 광출력은 0

8 8

고휘도 발광소자 제조 방법으로서,

기판을 마련하는 단계,

방출되는 광을 구속하도록 상기 기판 위에 제 1 클래딩층을 형성하는 단계,

상기 제 1 클래딩층 위에 양자점들의 배열을 제어하는 제 1 초격자층을 형성하는 단계,

상기 제 1 초격자층 위에 사전설정된 파장을 갖는 광을 방출하는 양자점 구조의 활성층을 형성하는 단계,

상기 활성층 위에 상기 양자점들의 배열을 제어하는 제 2 초격자층을 형성하는 단계,

상기 활성층으로부터 방출되는 상기 광을 구속하도록 상기 제 2 초격자층 위에 제 2 클래딩층을 형성하는 단계, 및

상기 제 2 클래딩층 위에 옴 접촉(ohmic contact)을 조절하는 오믹층을 형성하는 단계

를 포함하는 고휘도 발광소자 제조 방법

9 9

제 8 항에 있어서,

상기 오믹층 위에 상기 활성층으로부터 얻는 광이득을 조절하기 위하여 절연층을 형성하는 단계, 및

상기 광의 공진 모드를 억제하기 위하여 사전설정된 형태의 전극을 형성하는 단계

를 더 포함하는 고휘도 발광소자 제조 방법

10 10

제 8 항에 있어서,

상기 활성층 형성 단계는 상기 양자점들의 크기와 밀도를 결정하기 위하여 상기 활성층을 형성하는 반도체 물질들의 조성, 두께 및 적층 주기를 조절하는 단계를 포함하는 고휘도 발광소자 제조 방법

11 11

제 10 항에 있어서,

상기 양자점들은 서로 다른 격자상수를 갖는 InAs 계열과 GaAs 계열의 화합물 반도체를 사전설정된 두께 및 사전설정된 적층 주기로 교번하여 성장시킴으로써 자발형성(self assemble)되는 InGaAs 계열의 양자점인 고휘도 발광소자 제조 방법

12 12

제 11 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 초격자층 형성 단계는 상기 양자점들의 배열을 제어하기 위하여 상기 제 1 및 제 2 초격자층을 형성하는 반도체 물질들의 조성, 두께 및 적층 주기를 조절하는 단계를 포함하는 고휘도 발광소자 제조 방법

13 13

제 11 항에 있어서,

상기 양자점 구조의 활성층은 510℃의 온도하에서 형성되는 고휘도 발광소자 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.