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기판 상단에 게이트 전극, 절연막, 채널층, 금속전극 소스 및 금속전극 드레인을 구비하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 게이트 전극이 포함되는 상기 기판 상단면에 절연막이 형성되는 단계; 상기 절연막 상단면에 저온 원자층 증착방법을 사용하여 무기 채널층이 형성되는 단계; 상기 무기 채널층 상단면 양측에 금속전극 소스와 금속전극 드레인이 형성되는 단계; 및 상기 절연막 상단면, 무기 채널층의 상단면과 측면 및 금속전극의 상단면과 측면에 무기 절연보호막이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 유리기판과 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐알콜, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에테르설폰 등의 투명 폴리머 중 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판 상단면에 화학용액증착법, 물리적 증착법 또는 금속유기 화학기상증착방법을 이용하여 전도물질로 게이트 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 절연막이 폴리비닐, 파릴렌, 벤조시클로부텐, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐알콜, 폴리비닐페놀과 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리카보네이트 또는 폴리이미드 등의 유기물로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 절연막이 Al2O3, Ta2O5, La2O5, Y2O3, TiO2, SiO2, SiNx, AlON의 고유전성의 무기 절연물로 형성된 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 유기물의 유전상수는 1
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제 1항에 있어서, 상기 무기 채널층은 스퍼터링방법, EB증착법, 금속유기 화학기상증착법, 분자빔성장법 또는 원자층 증착방법이 사용되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 채널층이 발광중심을 형성하는 도펀트로서 Mn, 희토류원소, 또는 Tm, Tb, Pr, Sm 중 하나 이상의 원소를 첨가하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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삭제
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제 1항, 제 4항, 제 5항 및 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연막과 무기 채널층이 증착 또는 적층을 통해 서로 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속전극은 Pt, Au, Ag, Ni, Cr으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 무기 절연보호막이 원자층 증착방법을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 무기 절연물의 유전상수는 9
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