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안티몬-아연 합금을 이용한 상변화형 비휘발성 메모리 소자및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015097709
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상변화형 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 상변화형 비휘발성 메모리 소자는 기판; 및 기판 상부에 형성된 상변화재료층을 포함하는 메모리소자의 스택을 포함하고, 상기 상변화재료층은 안티몬과 아연 합금으로 형성된다. 이에 따라서, 종래의 GST 메모리소자에 비해 고속에서 안정적으로 동작하며 및 저소비전력형 상변화형 메모리소자를 제작할 수 있다.안티몬과 아연 합금, 상변화 재료, 메모리 소자
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070047526 (2007.05.16)
출원인 한국전자통신연구원, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0857466-0000 (2008.09.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080908) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병곤 대한민국 대전 유성구
2 윤성민 대한민국 대전 서구
3 최세영 대한민국 경기 고양시 일산동구
4 박태진 대한민국 경기 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0360229-36
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0068225-75
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0438240-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0097058-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0255316-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0255323-24
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0426637-68
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 및기판 상부에 형성된 상변화재료층을 포함하는 메모리소자의 스택을 포함하고,상기 상변화재료층은 하기 화학식으로 표현되는 안티몬과 아연 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화형 비휘발성 메모리소자:화학식 1ZnxSb100-xx는 5 내지 35의 범위임
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 상변화재료층은 상온에서 비정질상태이며, 결정질로의 가역적 상전이 온도는 180 내지 220℃이고, 결정질로부터 비정질로의 가역적 상전이 온도는 500 내지 540℃인 것을 특징으로 하는 상변화형 비휘발성 메모리소자
4 4
제 1항에 있어서,상기 상변화재료층의 리셋(reset) 동작에 요구되는 전류의 크기는 12mA 미만인 것을 특징으로 하는 상변화형 비휘발성 메모리소자
5 5
제 1항에 있어서,상기 상변화재료층은 2
6 6
제 1항에 있어서,상기 메모리소자의 스택은 하부전극층;상기 하부전극층 상에 형성된 발열성 전극층;상기 발열성 전극층 상에 형성되어 상기 발열성 전극층의 일부를 노출시키는 포어가 형성된 제1절연층;상기 제1절연층 상에 포어를 매립하여 형성된 상변화재료층; 및상기 상변화재료층 상에 형성된 상부전극층을 포함하는상변화형 비휘발성 메모리소자
7 7
제 6항에 있어서,상기 메모리소자의 스택은 상기 상변화재료층과 상부전극층 사이에 제2절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화형 비휘발성 메모리소자
8 8
기판 상에 하부전극층을 형성하는 단계;상기 하부전극층 상에 발열성 전극층을 형성하는 단계;상기 발열성 전극층의 일부를 덮도록 제1절연층을 형성하는 단계;상기 제1절연층을 패터닝하여 발열성 전극층의 일부가 노출되는 포어를 형성하는 단계;상기 포어에 하기 화학식으로 표현되는 안티몬과 아연 합금으로 상변화재료층을 형성하는 단계; 및상기 상변화재료층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 상변화형 비휘발성 메모리소자의 제조방법:화학식 1ZnxSb100-xx는 5 내지 35의 범위임
9 9
삭제
10 10
제 8항에 있어서, 상기 상변화재료층의 형성 단계 후에, 상변화재료층에 제2절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화형 비휘발성 메모리소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP20288587 JP 일본 FAMILY
2 US07952086 US 미국 FAMILY
3 US20080283817 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2008288587 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2008283817 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US7952086 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.