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금속/ＧａＡｓ 쇼트키 접합 계면 불순물 제거 방법

  • 기술번호 : KST2015124816
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유황화 및 수소화 처리를 이용한 금속/GaAs 쇼트키 접합 계면 불순물 제거 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 소자 특성을 개선하기 위해 유황화 및 수소화 처리를 이용하여 게이트(gate)와 같은 쇼트키 접합(Schottky contact)부의 금속/GaAs 계면 부산물을 완벽히 제거하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면, 계면 산화물 발생 억제를 위한 유황화 처리 및 계면 반응부산물 제거를 위한 수소화 처리를 복합적으로 적용함으로써, 종래의 HCl 용액으로 표면 처리(습식 세정)하는 경우에 비해 계면 불순물(산화물 및 반응부산물)을 효과적으로 제거할 수 있으며, 계면 불순물을 완전히 제거할 수 있게 됨에 따라 종래에 비해 특성이 우수한 소자를 제조할 수 있게 된다. 또한 원자 단위로 제어된 안정된 금속/GaAs 쇼트키 접합 형성으로 소자의 고속/고주파 동작의 신뢰성 및 재현성이 향상될 수 있고, 제품의 높은 수율을 보장할 수 있게 된다. 화합물 반도체, 쇼트키 접합, 계면 불순물 제거, 유황화, 수소화, GaAs
Int. CL H01L 29/47 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 29/66856(2013.01) H01L 29/66856(2013.01)
출원번호/일자 1020060091629 (2006.09.21)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0757738-0000 (2007.09.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형호 대한민국 서울 강남구
2 강민구 대한민국 경기 성남시 분당구
3 김해천 대한민국 대전 유성구
4 최선규 대한민국 경기 광명시 광

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0682331-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0032750-17
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0349594-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속/GaAs 쇼트키 접합 계면 형성시에, 후면에 오믹 접촉 합금층이 형성된 GaAs 기판을 (NH4)2S 용액으로 표면 유황화 처리하여 GaAs 표면에 유황 보호막을 형성한 후 금속층을 증착하여 금속전극을 형성하고, 이어 금속전극을 형성한 GaAs 기판을 수소 분위기에서 열처리하는 수소화 처리를 실시하여 금속/GaAs 쇼트키 접합 계면에 생성된 불순물을 수소의 열적 확산을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 금속/GaAs 쇼트키 접합 계면 불순물 제거 방법
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청구항 1에 있어서,상기 유황화 처리 공정은 GaAs 기판을 (NH4)2S 용액에 10 ~ 50분간 담가둠으로써 GaAs 표면에 유황 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속/GaAs 쇼트키 접합 계면 불순물 제거 방법
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청구항 1에 있어서,상기 수소화 처리 공정은 금속전극을 형성한 GaAs 기판을 300 ~ 700 mTorr 수소 분위기 하에서 150 ~ 500℃의 온도범위로 10 ~ 30분간 열처리하는 것을 특징으로 하는 금속/GaAs 쇼트키 접합 계면 불순물 제거 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.