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결정화용 구조물, 이를 이용한 결정화 방법, 반도체 활성층형성방법 및 박막트랜지스터 형성방법 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015124973
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 결정화용 구조물, 이를 이용한 결정화 방법 및 반도체 활성층 형성방법 및 박막트랜지스터 형성방법에 관한 것으로, 결정화용 구조물은 하부에 판 형상을 가지는 지지체와 상기 지지체의 판 형상에는 편평한 하부면을 가지는 돌출부가 복수개 서로 소정 간격으로 이격되어 구비되되, 하부면에 온도가 인가되어 대상물에 접근하여 가열할 때, 상기 하부면의 온도는 상기 지지체의 온도 보다 높게 설정된다.실리콘층, 결정화, 박막트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/67109(2013.01) H01L 21/67109(2013.01) H01L 21/67109(2013.01) H01L 21/67109(2013.01) H01L 21/67109(2013.01) H01L 21/67109(2013.01) H01L 21/67109(2013.01)
출원번호/일자 1020070052852 (2007.05.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1336455-0000 (2013.11.27)
공개번호/일자 10-2008-0105362 (2008.12.04) 문서열기
공고번호/일자 (20131204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.06)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 서대문구
2 정태훈 대한민국 서울특별시 서대문구
3 이충희 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
3 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0398503-76
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0079613-34
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0454905-19
4 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2008.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0608986-54
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0181959-11
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0085347-13
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0138865-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0378078-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0580680-52
14 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.09.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2013-0036759-48
15 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0793092-55
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
결정화용 구조물에 있어서,하부에 판 형상을 가지는 지지체; 및상기 지지체의 판 형상에는 편평한 하부면을 가지는 돌출부가 복수개 서로 소정 간격으로 이격되어 구비되되,상기 하부면에 온도가 인가되어 대상물에 접근하여 가열할 때, 상기 하부면의 온도는 상기 지지체의 온도 보다 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
2 2
결정화용 구조물에 있어서,하부에 판 형상을 가지는 지지체; 및상기 지지체의 판 형상에는 제1 저항을 갖는 매트릭스 형상의 배선과 상기 배선을 단선하는 방식으로 일부 배선에 삽입되고 편평한 하부면을 가지며 제2 저항의 소정간격으로 이격되어 구비되는 복수개의 저항체를 구비하되,상기 배선에 전압을 인가함에 따라 상기 저항체가 발열하여 대상물에 소정 간격으로 집중되는 열을 인가하고,상기 제2 저항은 제1 저항 보다 큰 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
3 3
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 하부면 이외의 다른 영역의 온도를 차단하기 위한 차단부를 더 구비하는 결정화용 구조물
4 4
제3 항에 있어서,상기 차단부는 상기 지지체와 공간을 두고 지지되어 열전달을 감소하는 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
5 5
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 편평한 하부면은 10 ㎛2 내지 500 ㎛2 인 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
6 6
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 돌출부의 온도는 200 내지 1500℃를 특징으로 하는 결정화용 구조물
7 7
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 편평한 하부면의 영역과 이외의 영역의 비율은 0
8 8
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 지지체는 투명한 부위를 구비하고 상기 투명한 부위에는 정렬키가 구비되는 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
9 9
제1 항에 있어서,상기 돌출부는 상기 지지체의 판을 기준으로 수직 왕복가능한 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
10 10
제1 항에 있어서,상기 돌출부는 상기 지지체에 비해 저항이 큰 물질인 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
11 11
상부에 비정질 실리콘층이 증착된 기판을 준비하는 단계;상기 비정질 실리콘층의 상부에 결정화용 구조물을 접촉하거나 또는 소정 간격으로 배치하는 단계; 및상기 결정화용 구조물을 상기 비정질 실리콘층에 소정 면적을 갖는 복수개의 영역들의 온도가 주위 보다 높게 가열하는 방식으로 상기 소정 면적으로 갖는 비정질 실리콘층의 특성이 변경됨으로써 상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
12 12
제11 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘층에 소정 면적을 갖는 복수개의 영역들의 온도가 주위 보다 높게 가열하는 방식은, 하부에 판 형상을 가지는 지지체; 및 상기 지지체의 판 형상에는 편평한 하부면을 가지고 복수개 서로 소정 간격으로 이격되어 구비된 복수개의 돌출부를 구비한 상기 결정화용 구조물을 이용하되,상기 하부면의 온도는 상기 지지체의 온도 보다 높게 설정하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
13 13
제11 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘층에 소정 면적을 갖는 복수개의 영역들의 온도가 주위 보다 높게 가열하는 방식은, 하부에 판 형상을 가지는 지지체; 및 상기 지지체의 판 형상에는 제1 저항을 갖는 매트릭스 형상의 배선과 상기 배선을 단선하는 방식으로 일부 배선에 삽입되고 편평한 하부면을 가지는 상기 제1 저항보다 큰 제2 저항의 소정간격으로 이격된 저항체를 구비한 상기 결정화용 구조물을 이용하되,상기 배선에 전압을 인가함에 따라 상기 저항체가 발열하여 대상물에 소정 간격으로 집중되는 열을 인가하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
14 14
제11 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘층에 소정 면적을 갖는 복수개의 영역들의 온도가 주위 보다 높게 가열하는 방식은, 상기 비정질 실리콘층 상부에 상기 복수개의 영역들을 오픈하는 마스크를 준비하는 단계; 및상기 오픈된 영역에 열, 빛, 가스, 또는 플라즈마를 인가하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
15 15
제12 항 또는 제13항에 있어서,상기 편평한 하부면은 10 ㎛2 내지 500 ㎛2 인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
16 16
제12 항에 있어서,상기 돌출부의 온도는 200 내지 1500℃ 인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
17 17
제12 항 또는 제13항에 있어서,상기 편평한 하부면의 영역과 이외의 영역의 비율은 0
18 18
제11 항에 있어서,상부에 비정질 실리콘층이 증착된 기판을 준비하는 단계 이후에,상기 결정화용 구조물을 상기 비정질 실리콘층을 정렬하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
19 19
제11 항에 있어서,상기 결정화용 구조물을 접촉하거나 또는 소정 간격으로 배치하는 단계는 상기 비정질 실리콘층 상부에서 복수회 이동하면서 수행하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
20 20
제11 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층 상부 또는 하부에는 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
21 21
제11 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계에서, 결정화를 촉진시키기 위해 전기장 또는 자기장을 인가하는 단계를 더 포함하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
22 22
기판 상에 제1 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제1 반도체층의 상부에 결정화용 구조물을 접촉하거나 또는 소정 간격으로 배치하는 단계; 및상기 제1 반도체층의 적어도 일부에 액티브 영역이 형성될 소정 면적을 갖는 복수개의 선택 영역들의 온도를 상기 결정화용 구조물을 이용하여 주위 보다 높게 가열하여 상기 선택 영역들의 물질 특성을 변화시키는 단계;상기 선택 영역들의 적어도 일부를 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계를 구비하는 반도체 활성층의 형성방법
23 23
제22 항에 있어서, 상기 제1 반도체층의 소정 면적을 갖는 복수개의 영역들의 온도가 주위 보다 높게 가열하는 방식은, 상기 제1 반도체층 상부의 상기 복수개의 영역들을 오픈하는 마스크를 준비하는 단계; 및상기 오픈된 영역에 열, 빛, 가스, 또는 플라즈마를 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 활성층의 형성방법
24 24
삭제
25 25
제22 항 또는 제23 항에 의한 반도체 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상부에 게이트 전극, 상기 활성층에 접속되는 소오스, 드레인 전극을 형성하는 단계를 구비하는 박막 트랜지스터 제조 방법
26 26
기판 상에 게이트 전극과 게이트 절연층을 형성하는 단계;제22 항 또는 제23 항에 의한 반도체 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상부에 게이트 전극, 상기 활성층에 접속되는 소오스, 드레인 전극을 형성하는 단계를 구비하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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1 WO2008147012 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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