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모스펫 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015125246
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 모스펫 트랜지스터 및 그 제조방법(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor and Manufacturing Method thereof)에 관한 것으로, 소스와 드레인 각각의 채널측 하단부에 서로 다른 이온농도를 갖는 이중층 구조의 할로 도핑 영역을 형성함으로써, 반도체의 집적화에 따라 소스, 드레인과 벌크 사이에서 발생하는 BTBT(band to band tunneling)현상과 sub-threshold leakage의 발생을 동시에 방지할 수 있다. 반도체, MOSFET, 할로 도핑, 모스펫, BTBT
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66492(2013.01) H01L 29/66492(2013.01)
출원번호/일자 1020080078132 (2008.08.08)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0019212 (2010.02.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤일구 대한민국 서울 서대문구
2 박철현 대한민국 서울특별시 서대문구
3 강정한 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 김정훈 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 (이건주특허법률사무소)
3 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0571318-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044706-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0317949-22
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0492349-53
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
기판(10) 상부에 형성된 게이트(21); 상기 게이트(21) 일측 하부에서 상기 기판(10) 내부에 형성된 소스(30); 상기 게이트(21) 타측 하부에서 상기 기판(10) 내부에 형성된 드레인(40); 상기 소스(30)의 채널측 하단부에 인접하여 서로 다른 이온농도를 갖는 복수의 층상구조로 형성되는 소스 할로 도핑부(50); 상기 드레인(40)에 채널측 하단부에 인접하여 서로 다른 이온농도를 갖는 복수의 층상구조로 형성되는 드레인 할로 도핑부(60);를 특징으로 하는 모스펫 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서 상기 소스 할로 도핑부(50)는 제 1 이온 농도를 갖는 제 1 소스 할로 도핑층(51)과, 상기 제 1 소스 할로 도핑층(51)과 상기 소스(30) 사이에 형성되며 제 2 이온 농도를 갖는 제 2 소스 할로 도핑층(52)을 포함하고, 상기 드레인 할로 도핑부(60)는 제 3 이온 농도를 갖는 제 1 드레인 할로 도핑층(61)과 상기 제 1 드레인 할로 도핑층(61)과 상기 드레인(40) 사이에 형성되며 제 4 이온농도를 갖는 제 2 드레인 할로 도핑층(62)을 포함하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 모스펫 트랜지스터
3 3
기판(10)내에 제 1 소스 할로 도핑층(51)과 제 1 드레인 할로 도핑층(61)을 형성하기 위한 부분이 노출된 제 1 마스크(11a)를 마련하는 단계; 상기 제 1 마스크(11a)를 이용하여 상기 기판 내에 제 1 소스 할로 도핑층(51)과 제 1 드레인 할로 도핑층(61)을 형성하는 단계; 상기 기판(10) 내에 제 2 소스 할로 도핑층(52)과 제 2 드레인 할로 도핑층(62)을 형성하기 위한 부분이 노출된 제 2 마스크 패턴(11b)을 이용하여 제 1 소스 할로 도핑층(51) 상부에 제 2 소스 할로 도핑층(52)을 형성하고 제 1 드레인 할로 도핑층(61)의 상부에 제 2 드레인 할로 도핑층(62)을 형성하는 단계; 제 3 마스크 (11c)를 이용하여 상기 기판(10) 내에 소스(30)와 드레인(40)을 형성하는 단계; 제 4 마스크(11d)를 이용하여 상기 기판(10)상에 게이트(21)를 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제 2 소스 할로 도핑층(52)은 상기 소스(30)와 상기 제 1 소스 할로 도핑층(51) 사이에서 상기 소스(30)의 채널측 하단에 인접하도록 형성되며, 상기 제 2 드레인 할로 도핑층(62)은 상기 드레인(40)과 상기 제 1 드레인 도핑층(61) 사이에서 상기 드레인(40)의 채널측 하단에 인접하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 모스펫 트랜지스터 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 제 1 소스 할로 도핑층(51)은 제 1 이온농도를 형성되고 , 상기 제 2 할로 도핑층(52)을 제 1 이온 농도보다 낮은 제 2 이온 농도로 형성되며, 상기 제 1 드레인 도핑층(61)은 제 3 이온 농도로 형성되고, 상기 제 2 드레인 도핑층(62)은 상기 제 3 이온 농도보다 낮은 제 4이온 농도를 형성되는 것을 특징으로 하는 모스펫 트랜지스터 제조 방법
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