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기판 위에 제1 산화금속막을 형성하는 단계;
상기 제1 산화금속막 위에 상기 제1 산화금속막의 금속보다 전자친화도가 큰 금속을 포함하며 상기 제1 산화금속막보다 유전율이 높은 제2 산화금속막을 형성하는 단계; 그리고,
상기 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 산화금속막을 형성하는 단계는 산화하프늄막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제2 산화금속막을 형성하는 단계는 산화티타늄막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 산화티타늄막은 원자층증착방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 산화티타늄막은 상기 산화하프늄막보다 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 산화하프늄막을 상기 기판 위에 형성한 후에 상기 산화티타늄막을 상기 산화하프늄막 위에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 산화티타늄막은 상기 산화하프늄막보다 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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11
기판 위에 산화하프늄막을 형성하는 단계;
상기 기판 위에 산화금속막을 형성하는 단계, 상기 산화금속막의 유전율은 상기 산화하프늄막의 유전율보다 높고, 상기 산화금속막의 금속의 전자친화도는 산화하프늄막의 하프늄의 전자친화도 보다 크며;그리고,
상기 기판 위에 금속 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 산화금속막을 형성하는 단계는 산화티타늄막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 산화티타늄막은 상기 산화하프늄막보다 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 14에 있어서, 상기 산화티타늄막은 원자층증착방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 산화하프늄막을 상기 기판 위에 형성한 후에 상기 산화티타늄막을 상기 산화하프늄막 위에 형성하고 상기 금속 게이트를 상기 산화티타늄막 위에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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17
기판 위에 형성된 금속 게이트 전극; 그리고,
상기 기판과 상기 금속 게이트 전극 사이에 배치된 다층 게이트 절연막을 포함하며,
상기 다층 게이트 절연막은 산화하프늄막 및 산화금속막을 포함하고,
상기 산화금속막의 유전율은 상기 산화하프늄막의 유전율보다 높고, 상기 산화금속막의 금속의 전자친화도는 상기 하프늄의 전자친화도보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 17에 있어서, 상기 산화금속막은 산화티타늄막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 18에 있어서, 상기 산화티타늄막의 두께는 상기 산화하프늄막보다 얇은 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 19에 있어서, 상기 산화티타늄막은 상기 기판과 상기 산화하프늄막 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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