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불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 저장 방법

  • 기술번호 : KST2015125666
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치는 단일 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 제 1 데이터 블록들, 멀티 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 제 2 데이터 블록들 및 상기 제 1 데이터 블록 및 상기 제 2 데이터 블록에 할당되는 로그 블록들을 포함하되, 상기 로그 블록들은 단일 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장한다.
Int. CL G06F 3/06 (2006.01) G06F 12/00 (2006.01) G06F 12/06 (2006.01)
CPC G06F 3/0679(2013.01) G06F 3/0679(2013.01) G06F 3/0679(2013.01) G06F 3/0679(2013.01)
출원번호/일자 1020090129045 (2009.12.22)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1081948-0000 (2011.11.03)
공개번호/일자 10-2011-0072205 (2011.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20111110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.22)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정의영 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 원삼규 대한민국 경기도 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0794158-74
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0151662-10
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0302751-37
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0302752-83
5 등록결정서
Decision to grant
2011.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0605619-38
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단일 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 제 1 데이터 블록들; 멀티 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 제 2 데이터 블록들; 및 상기 제 1 데이터 블록 및 상기 제 2 데이터 블록에 할당되는 로그 블록들을 포함하되, 상기 로그 블록들은 단일 레벨 셀 방식만으로 데이터를 저장하는 불휘발성 메모리 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 장치는 플래시 변환 계층을 더 포함하되, 상기 플래시 변환 계층은 데이터 블록의 논리 주소를 물리 주소로 변환하는 데이터 블록 맵핑 테이블; 로그 블록의 논리 주소를 물리 주소로 변환하는 로그 블록 맵핑 테이블; 및 액세스 요청된 논리 주소를 저장하는 핫 데이터 테이블을 포함하는 불휘발성 메모리 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 핫 데이터 테이블은 액세스 요청된 횟수가 기준 개수보다 많은 논리 주소를 저장하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 핫 데이터 테이블은 밀어내기 방식에 의하여 액세스 요청된 논리 주소를 저장하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 장치는 쓰기 요청에 응답하여 데이터를 상기 제 1 데이터 블록들에 저장하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제 1 데이터 블록들에 데이터가 모두 저장된 경우에 상기 제 1 데이터 블록들과 상기 제 2 데이터 블록들 사이의 이전 동작(migration operation)이 수행되는 불휘발성 메모리 장치
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 이전 동작(migration operation)은 상기 제 1 데이터 블록들 중 희생 데이터 블록을 이용하여 수행되는 불휘발성 메모리 장치
8 8
제 2 항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리 장치는 덮어 쓰기 요청에 응답하여 데이터를 상기 로그 블록들에 저장하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 데이터의 논리 주소가 상기 핫 데이터 테이블에 저장된 논리 주소인 경우에 상기 제 1 데이터 블록들 중 선택된 제 1 데이터 블록에 병합 동작이 수행되는 불휘발성 메모리 장치
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 데이터 블록들에 데이터가 모두 저장된 경우에 상기 제 1 데이터 블록들과 상기 제 2 데이터 블록들 사이의 이전 동작(migration operation)이 수행되는 불휘발성 메모리 장치
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 데이터의 논리 주소가 상기 핫 데이터 테이블에 저장된 논리 주소가 아닌 경우에 상기 제 2 데이터 블록들 중 선택된 제 2 데이터 블록에 병합 동작이 수행되는 불휘발성 메모리 장치
12 12
제 1 항의 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 솔리드 스테이트 드라이브(SSD, Solid State Drive) 장치
13 13
쓰기 요청에 응답하여, 단일 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 제 1 데이터 블록들에 데이터를 저장하는 단계; 상기 제 1 데이터 블록들에 데이터가 모두 저장된 경우에 멀티 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 제 2 데이터 블록들과 상기 제 1 데이터 블록들 사이의 이전 동작(migration operation)을 수행하는 단계; 및 상기 이전 동작(migration operation)에 의하여 생성된 데이터 블록에 단일 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 이전 동작(migration operation)은 상기 제 1 데이터 블록들 중 희생 데이터 블록을 이용하여 수행되는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
15 15
제 13 항에 있어서, 덮어 쓰기 요청에 응답하여, 로그 블록들에 데이터를 저장하는 단계를 더 포함하되, 상기 로그 블록들은 단일 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 로그 블록들에 데이터가 모두 저장된 경우에 상기 제 1 및 제 2 데이터 블록들 중 선택된 데이터 블록을 병합동작을 수행하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 덮어 쓰기 요청 회수가 기준 개수보다 많은 경우에 상기 제 1 데이터 블록에 병합동작을 수행하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
18 18
제 16 항에 있어서, 덮어 쓰기 요청 횟수가 기준 개수보다 적은 경우에 상기 제 2 데이터 블록에 병합동작을 수행하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.