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단일 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 제 1 데이터 블록들;
멀티 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 제 2 데이터 블록들; 및
상기 제 1 데이터 블록 및 상기 제 2 데이터 블록에 할당되는 로그 블록들을 포함하되,
상기 로그 블록들은 단일 레벨 셀 방식만으로 데이터를 저장하는 불휘발성 메모리 장치
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2
제 1 항에 있어서,
상기 불휘발성 메모리 장치는 플래시 변환 계층을 더 포함하되, 상기 플래시 변환 계층은
데이터 블록의 논리 주소를 물리 주소로 변환하는 데이터 블록 맵핑 테이블; 로그 블록의 논리 주소를 물리 주소로 변환하는 로그 블록 맵핑 테이블; 및
액세스 요청된 논리 주소를 저장하는 핫 데이터 테이블을 포함하는 불휘발성 메모리 장치
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3 |
3
제 2 항에 있어서,
상기 핫 데이터 테이블은 액세스 요청된 횟수가 기준 개수보다 많은 논리 주소를 저장하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치
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4 |
4
제 2 항에 있어서,
상기 핫 데이터 테이블은 밀어내기 방식에 의하여 액세스 요청된 논리 주소를 저장하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치
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5 |
5
제 1 항에 있어서,
상기 불휘발성 메모리 장치는 쓰기 요청에 응답하여 데이터를 상기 제 1 데이터 블록들에 저장하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치
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6 |
6
제 5 항에 있어서,
상기 제 1 데이터 블록들에 데이터가 모두 저장된 경우에 상기 제 1 데이터 블록들과 상기 제 2 데이터 블록들 사이의 이전 동작(migration operation)이 수행되는 불휘발성 메모리 장치
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7 |
7
제 6 항에 있어서,
상기 이전 동작(migration operation)은 상기 제 1 데이터 블록들 중 희생 데이터 블록을 이용하여 수행되는 불휘발성 메모리 장치
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8
제 2 항에 있어서,
상기 불휘발성 메모리 장치는 덮어 쓰기 요청에 응답하여 데이터를 상기 로그 블록들에 저장하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치
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9 |
9
제 8 항에 있어서,
상기 데이터의 논리 주소가 상기 핫 데이터 테이블에 저장된 논리 주소인 경우에 상기 제 1 데이터 블록들 중 선택된 제 1 데이터 블록에 병합 동작이 수행되는 불휘발성 메모리 장치
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10 |
10
제 9 항에 있어서,
상기 제 1 데이터 블록들에 데이터가 모두 저장된 경우에 상기 제 1 데이터 블록들과 상기 제 2 데이터 블록들 사이의 이전 동작(migration operation)이 수행되는 불휘발성 메모리 장치
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11 |
11
제 8 항에 있어서,
상기 데이터의 논리 주소가 상기 핫 데이터 테이블에 저장된 논리 주소가 아닌 경우에 상기 제 2 데이터 블록들 중 선택된 제 2 데이터 블록에 병합 동작이 수행되는 불휘발성 메모리 장치
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12
제 1 항의 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 솔리드 스테이트 드라이브(SSD, Solid State Drive) 장치
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13
쓰기 요청에 응답하여, 단일 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 제 1 데이터 블록들에 데이터를 저장하는 단계;
상기 제 1 데이터 블록들에 데이터가 모두 저장된 경우에 멀티 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 제 2 데이터 블록들과 상기 제 1 데이터 블록들 사이의 이전 동작(migration operation)을 수행하는 단계; 및
상기 이전 동작(migration operation)에 의하여 생성된 데이터 블록에 단일 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
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14
제 13 항에 있어서,
상기 이전 동작(migration operation)은 상기 제 1 데이터 블록들 중 희생 데이터 블록을 이용하여 수행되는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
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15
제 13 항에 있어서,
덮어 쓰기 요청에 응답하여, 로그 블록들에 데이터를 저장하는 단계를 더 포함하되, 상기 로그 블록들은 단일 레벨 셀 방식에 의하여 데이터를 저장하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
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16
제 15 항에 있어서,
상기 로그 블록들에 데이터가 모두 저장된 경우에 상기 제 1 및 제 2 데이터 블록들 중 선택된 데이터 블록을 병합동작을 수행하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
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17
제 16 항에 있어서,
덮어 쓰기 요청 회수가 기준 개수보다 많은 경우에 상기 제 1 데이터 블록에 병합동작을 수행하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
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18
제 16 항에 있어서,
덮어 쓰기 요청 횟수가 기준 개수보다 적은 경우에 상기 제 2 데이터 블록에 병합동작을 수행하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법
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