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서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노구조체

  • 기술번호 : KST2015125828
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법은, 기판 상부를 식각하고, 기판의 식각부에 제1재료를 증착하여 기판 내부에 하부전극을 형성하는 하부전극형성단계; 하부전극과 기판이 형성하는 평평한 상면에 제2재료를 증착하거나 올려놓아 서스펜더를 형성하는 서스펜더형성단계; 하부전극과, 하부전극 상부에 접속된 서스펜더 단부의 상면에 제3재료를 증착하여 상부전극을 형성하는 상부전극형성단계; 및 서스펜더가 기판 상측에 서스펜드(suspend)된 형상을 가지도록 서스펜더 하측의 기판의 상부를 식각하는 서스펜딩단계;를 포함한다.
Int. CL H01P 11/00 (2006.01) B82B 1/00 (2006.01) H01P 7/08 (2006.01) H01P 7/00 (2006.01)
CPC H01P 7/08(2013.01) H01P 7/08(2013.01) H01P 7/08(2013.01)
출원번호/일자 1020110038398 (2011.04.25)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1211793-0000 (2012.12.06)
공개번호/일자 10-2012-0120672 (2012.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20121212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.25)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성찬 대한민국 서울특별시 서대문구
2 임주환 대한민국 서울특별시 은평구
3 김환균 대한민국 서울특별시 강남구
4 조준형 대한민국 서울특별시 송파구
5 정영모 대한민국 서울특별시 서대문구
6 오주영 대한민국 경기도 김포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0306146-17
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0697604-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005784-98
6 등록결정서
Decision to grant
2012.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0608435-94
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판(10) 상부를 식각하고, 상기 기판(10)의 식각부에 제1재료(21M)를 증착하여 상기 기판(10) 내부에 하부전극(21)을 형성하는 하부전극형성단계(S1);상기 하부전극(21)과 기판(10)이 형성하는 평평한 상면에 제2재료(30M)를 증착하거나 올려놓아 서스펜더(30)를 형성하는 서스펜더형성단계(S2);상기 하부전극(21)과, 상기 하부전극(21) 상부에 접속된 상기 서스펜더(30) 단부의 상면에 제3재료(22M)를 증착하여 상부전극(22)을 형성하는 상부전극형성단계(S3); 및상기 서스펜더(30)가 상기 기판(10) 상측에 서스펜드(suspend)된 형상을 가지도록 상기 서스펜더(30) 하측의 상기 기판(10)의 상부를 식각하는 서스펜딩단계(S4);를 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 상, 하부전극(21, 22)으로 구성된 전극은 제1전극(20a), 제2전극(20b) 한쌍이 구비되며, 상기 서스펜더(30)의 양단부는 상기 제1전극(20a) 및 제2전극(20b)에 각각 접속되는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 하부전극형성단계(S1)는,리소그래피(lithography)에 의해 상기 하부전극(21) 형상의 중공부가 형성된 패턴을 상기 기판(10) 상부에 형성하는 하부전극 패터닝단계(S1-1);상기 패턴의 중공부를 통한 건식식각(dry etching)에 의해 상기 기판(10)의 상부를 상기 하부전극(21) 형상으로 식각(etching)하는 기판식각단계(S1-2);상기 기판(10)의 식각부를 포함한 상기 기판(10)의 상면에 상기 기판식각단계(S1-2)에서 식각된 깊이에 대응되는 두께로 상기 제1재료(21M)를 증착하여 상기 하부전극(21)을 형성하는 하부금속증착단계(S1-3);용제로 상기 기판(10) 상부의 패턴을 제거하면서 상기 패턴 상부에 증착된 상기 제1재료(21M)를 함께 제거하는 제1리프트오프(lift-off)단계(S1-4);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 하부전극 패터닝단계(S1-1)는,상기 기판(10) 상면에 감광물질을 코팅하는 감광제코팅단계(S1-1a);상기 하부전극(21) 형상의 패턴이 형성된 마스크를 통해 빛을 조사하여, 상기 감광물질을 노광(expose)시키는 노광단계(S1-1b); 및상기 감광물질의 노광된 부분을 용제로 제거하여 상기 감광물질에 상기 하부전극(21) 형상의 패턴을 형성하는 현상(develop)단계(S1-1c);를 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
5 5
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 하부전극형성단계(S1)는,상기 기판(10)과 하부전극(21)이 연속된 평탄면을 이루도록 상기 기판(10)과 하부전극(21)의 상부를 평평하게 가공하는 폴리싱(polishing)단계(S1-5);를 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜드된 나노구조체의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 서스펜더형성단계(S2)는,상기 하부전극(21)과 기판(10) 상면에 상기 제2재료(30M)를 필름 형태로 증착하거나, 필름 형태로 생성하여 올리거나, 코터(coater)에 의해 평평하게 도포하는 재료탑재단계(S2-1);리소그래피(lithography)에 의해 상기 서스펜더(30) 형상의 패턴을 상기 제2재료(30M) 상부에 형성하는 서스펜더 패터닝단계(S2-2);상기 서스펜더(30) 형상의 패턴을 통한 건식식각(dry etching)에 의해 상기 제2재료(30M)를 상기 서스펜더(30) 형상으로 식각(etching)하는 제2재료식각단계(S2-3); 및용제로 상기 제2재료(30M) 상부의 패턴을 제거하는 감광제제거단계(S2-4);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 상부전극형성단계(S3)는,리소그래피(lithography)에 의해 상기 서스펜더(30)와의 접속부를 포함한 상기 하부전극(21) 상부에 상기 상부전극(22) 형상의 중공부가 형성된 패턴을 상기 기판(10) 상부에 형성하는 상부전극 패터닝단계(S3-1);상기 상부전극(22) 형상의 중공부가 형성된 패턴의 상면에 상기 제3재료(22M)를 증착하며 상기 상부전극(22)을 형성하는 상부금속증착단계(S3-2); 및용제로 상기 기판(10) 상부의 패턴을 제거하면서 상기 패턴 상부에 증착된 상기 제3재료(22M)를 함께 제거하는 제2리프트오프(lift-off)단계(S3-3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 서스펜딩단계(S4)는,상기 제1, 2, 3재료(21M, 30M, 22M)는 녹이지 않고 상기 기판(10)만을 녹이는 용제를 이용하여 습식식각(wet etching)에 의해 상기 서스펜더(30) 하부 및 상기 하부전극(21) 둘레에 위치하는 상기 기판(10)의 상부를 식각하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 서스펜딩단계(S4) 이전 또는 상기 서스펜딩단계(S4) 이후에, 상기 하부전극(21), 서스펜더(30), 상부전극(22)으로 이루어진 나노구조체를 지정온도로 가열한 후 지정속도로 냉각시키며 상호 접합시키는 어닐링(annealing)단계(S5);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
10 10
기판(10)의 재료와 다른 제1재료(21M)로 구성되며, 상기 기판(10) 상부에 상향 돌출되게 형성되는 하부전극(21);상기 기판(10)의 재료와 다른 제2재료(30M)로 구성되며, 상기 기판(10) 상측에 서스펜드(suspend)된 형상을 가지도록 가로방향으로의 연장길이를 가지고 상기 하부전극(21) 상면에 양단부가 접속되게 형성되는 서스펜더(30); 및상기 기판(10)의 재료와 다른 제3재료(22M)로 구성되며, 상기 하부전극(21) 상면에 접속된 상기 서스펜더(30)의 단부를 내부에 포함가능한 두께로 상기 하부전극(21) 상면에 증착 형성되는 상부전극(22);을 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체
11 11
제10항에 있어서,상기 하부전극(21)과 상부전극(22)으로 구성된 전극은 제1전극(20a), 제2전극(20b) 한쌍이 구비되며, 상기 서스펜더(30)의 양단부는 상기 제1전극(20a) 및 제2전극(20b)에 각각 접속되는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체
12 12
제10항에 있어서, 상기 하부전극(21)은,상기 기판(10)과 동일 평면상에 상면이 위치되는 상기 하부전극(21)의 주변의 상기 기판(10)을 지정깊이로 식각하여, 상기 기판(10)의 식각 깊이에 대응되는 높이로 상향 돌출되는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.