1 |
1
기판(10) 상부를 식각하고, 상기 기판(10)의 식각부에 제1재료(21M)를 증착하여 상기 기판(10) 내부에 하부전극(21)을 형성하는 하부전극형성단계(S1);상기 하부전극(21)과 기판(10)이 형성하는 평평한 상면에 제2재료(30M)를 증착하거나 올려놓아 서스펜더(30)를 형성하는 서스펜더형성단계(S2);상기 하부전극(21)과, 상기 하부전극(21) 상부에 접속된 상기 서스펜더(30) 단부의 상면에 제3재료(22M)를 증착하여 상부전극(22)을 형성하는 상부전극형성단계(S3); 및상기 서스펜더(30)가 상기 기판(10) 상측에 서스펜드(suspend)된 형상을 가지도록 상기 서스펜더(30) 하측의 상기 기판(10)의 상부를 식각하는 서스펜딩단계(S4);를 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 상, 하부전극(21, 22)으로 구성된 전극은 제1전극(20a), 제2전극(20b) 한쌍이 구비되며, 상기 서스펜더(30)의 양단부는 상기 제1전극(20a) 및 제2전극(20b)에 각각 접속되는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 하부전극형성단계(S1)는,리소그래피(lithography)에 의해 상기 하부전극(21) 형상의 중공부가 형성된 패턴을 상기 기판(10) 상부에 형성하는 하부전극 패터닝단계(S1-1);상기 패턴의 중공부를 통한 건식식각(dry etching)에 의해 상기 기판(10)의 상부를 상기 하부전극(21) 형상으로 식각(etching)하는 기판식각단계(S1-2);상기 기판(10)의 식각부를 포함한 상기 기판(10)의 상면에 상기 기판식각단계(S1-2)에서 식각된 깊이에 대응되는 두께로 상기 제1재료(21M)를 증착하여 상기 하부전극(21)을 형성하는 하부금속증착단계(S1-3);용제로 상기 기판(10) 상부의 패턴을 제거하면서 상기 패턴 상부에 증착된 상기 제1재료(21M)를 함께 제거하는 제1리프트오프(lift-off)단계(S1-4);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
|
4 |
4
제3항에 있어서, 상기 하부전극 패터닝단계(S1-1)는,상기 기판(10) 상면에 감광물질을 코팅하는 감광제코팅단계(S1-1a);상기 하부전극(21) 형상의 패턴이 형성된 마스크를 통해 빛을 조사하여, 상기 감광물질을 노광(expose)시키는 노광단계(S1-1b); 및상기 감광물질의 노광된 부분을 용제로 제거하여 상기 감광물질에 상기 하부전극(21) 형상의 패턴을 형성하는 현상(develop)단계(S1-1c);를 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
|
5 |
5
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 하부전극형성단계(S1)는,상기 기판(10)과 하부전극(21)이 연속된 평탄면을 이루도록 상기 기판(10)과 하부전극(21)의 상부를 평평하게 가공하는 폴리싱(polishing)단계(S1-5);를 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜드된 나노구조체의 제조방법
|
6 |
6
제1항에 있어서, 상기 서스펜더형성단계(S2)는,상기 하부전극(21)과 기판(10) 상면에 상기 제2재료(30M)를 필름 형태로 증착하거나, 필름 형태로 생성하여 올리거나, 코터(coater)에 의해 평평하게 도포하는 재료탑재단계(S2-1);리소그래피(lithography)에 의해 상기 서스펜더(30) 형상의 패턴을 상기 제2재료(30M) 상부에 형성하는 서스펜더 패터닝단계(S2-2);상기 서스펜더(30) 형상의 패턴을 통한 건식식각(dry etching)에 의해 상기 제2재료(30M)를 상기 서스펜더(30) 형상으로 식각(etching)하는 제2재료식각단계(S2-3); 및용제로 상기 제2재료(30M) 상부의 패턴을 제거하는 감광제제거단계(S2-4);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
|
7 |
7
제1항에 있어서, 상기 상부전극형성단계(S3)는,리소그래피(lithography)에 의해 상기 서스펜더(30)와의 접속부를 포함한 상기 하부전극(21) 상부에 상기 상부전극(22) 형상의 중공부가 형성된 패턴을 상기 기판(10) 상부에 형성하는 상부전극 패터닝단계(S3-1);상기 상부전극(22) 형상의 중공부가 형성된 패턴의 상면에 상기 제3재료(22M)를 증착하며 상기 상부전극(22)을 형성하는 상부금속증착단계(S3-2); 및용제로 상기 기판(10) 상부의 패턴을 제거하면서 상기 패턴 상부에 증착된 상기 제3재료(22M)를 함께 제거하는 제2리프트오프(lift-off)단계(S3-3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
|
8 |
8
제1항에 있어서, 상기 서스펜딩단계(S4)는,상기 제1, 2, 3재료(21M, 30M, 22M)는 녹이지 않고 상기 기판(10)만을 녹이는 용제를 이용하여 습식식각(wet etching)에 의해 상기 서스펜더(30) 하부 및 상기 하부전극(21) 둘레에 위치하는 상기 기판(10)의 상부를 식각하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
|
9 |
9
제1항에 있어서,상기 서스펜딩단계(S4) 이전 또는 상기 서스펜딩단계(S4) 이후에, 상기 하부전극(21), 서스펜더(30), 상부전극(22)으로 이루어진 나노구조체를 지정온도로 가열한 후 지정속도로 냉각시키며 상호 접합시키는 어닐링(annealing)단계(S5);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체의 제조방법
|
10 |
10
기판(10)의 재료와 다른 제1재료(21M)로 구성되며, 상기 기판(10) 상부에 상향 돌출되게 형성되는 하부전극(21);상기 기판(10)의 재료와 다른 제2재료(30M)로 구성되며, 상기 기판(10) 상측에 서스펜드(suspend)된 형상을 가지도록 가로방향으로의 연장길이를 가지고 상기 하부전극(21) 상면에 양단부가 접속되게 형성되는 서스펜더(30); 및상기 기판(10)의 재료와 다른 제3재료(22M)로 구성되며, 상기 하부전극(21) 상면에 접속된 상기 서스펜더(30)의 단부를 내부에 포함가능한 두께로 상기 하부전극(21) 상면에 증착 형성되는 상부전극(22);을 포함하는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체
|
11 |
11
제10항에 있어서,상기 하부전극(21)과 상부전극(22)으로 구성된 전극은 제1전극(20a), 제2전극(20b) 한쌍이 구비되며, 상기 서스펜더(30)의 양단부는 상기 제1전극(20a) 및 제2전극(20b)에 각각 접속되는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체
|
12 |
12
제10항에 있어서, 상기 하부전극(21)은,상기 기판(10)과 동일 평면상에 상면이 위치되는 상기 하부전극(21)의 주변의 상기 기판(10)을 지정깊이로 식각하여, 상기 기판(10)의 식각 깊이에 대응되는 높이로 상향 돌출되는 것을 특징으로 하는 서스펜더를 가지는 나노구조체
|