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광기능성 반도체가 도입된 이중적 나노기공성 배향막 및그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015209799
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광기능성 반도체가 도입된 이중적 나노기공성 배향막 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 180 내지 220㎚의 크기를 갖는 나노기공성 알루미나 거대 기공 막 내부에 광기능성 반도체 나노입자가 도입된 5 내지 10㎚의 크기를 갖는 실리카 미세 나노기공 물질을 갖는 광기능성 반도체가 도입된 이중적 나노기공성 배향막 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 나노기공성, 배향막, 광기능성 반도체, 황화카드뮴
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC G02F 1/1337(2013.01) G02F 1/1337(2013.01)
출원번호/일자 1020040082583 (2004.10.15)
출원인 학교법인연세대학교
등록번호/일자 10-0626751-0000 (2006.09.14)
공개번호/일자 10-2006-0033457 (2006.04.19) 문서열기
공고번호/일자 (20060925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.10.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인연세대학교 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용록 대한민국 서울특별시 광진구
2 채원식 대한민국 경북 문경시
3 이상욱 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2004-0469003-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0003435-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0120659-05
5 의견서
Written Opinion		 2006.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0310821-16
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0500361-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207014-07
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2010-5224078-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
180 내지 220㎚의 크기를 갖는 나노기공성 알루미나 거대 기공막 내부에 광기능성 반도체 나노입자가 도입된 5 내지 10㎚의 크기를 갖는 실리카 미세 나노기공 물질을 갖는 것을 특징으로 하는 광기능성 반도체가 도입된 이중적 나노기공성 배향막
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 광기능성 반도체는 CdS, ZnS, PbS 및 TiO2 로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 광기능성 반도체가 도입된 이중적 나노기공성 배향막
3 3
벤젠에 용해된 옥타데실트리클로로실란(octadecyltrichlorosilane) 용액에 나노기공성 알루미나 박막을 담근 후, 8∼12시간 동안 환류시켜 나노기공막의 기공 내부 표면을 유기물질로 개질하는 단계; 이중적 나노기공성 배향막 내부에 광기능성 반도체 특성을 도입하기 위하여, 라이오트로픽(lyotropic) 전구체 용액을 준비하는 단계; 나노기공성 알루미나 지지체를 상기 라이오트로픽(lyotropic) 용액에 담근 후 기공 내부를 완전히 채우기 위해 10∼14시간 동안 천천히 교반한 후, 이 막을 50∼90℃가 유지된 상태에서 10∼14시간 동안 유지함으로써 겔화(gellation) 반응을 유도하는 단계; 라이오트로픽(Lyotropic) 초분자 전구체들로 채워진 나노기공성 알루미나 지지체 막을 8∼12시간 동안 과량의 황화수소 기체(10ml)에 노출시키는 단계; 및 반응 후 막 표면에 일부 남아있는 벌크(bulk) 상태의 생성물을 제거한 후, 이중적 구조를 갖는 나노기공성 배향막 제조에서 자기조립 주형으로 사용되었던 삼블록(triblock) 공중합체 주형 분자를 제거하기 위하여 1∼3시간 동안 300∼400℃ 온도에서 하소시켜 이중적 나노기공성 배향막을 제조하는 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광기능성 반도체가 도입된 이중적 나노기공성 배향막의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 라이오트로픽 용액은 실리카 전구체; 산화티타늄, 카드뮴, 아연 및 납으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 전구체; 및 삼블록(triblock) 공중합체(copolymer)를 산이 첨가된 에탄올 용액에 용해시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 광기능성 반도체가 도입된 이중적 나노기공성 배향막의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 에탄올 용액에 첨가되는 산은 질산, 황산, 및 염산 으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 광기능성 반도체가 도입된 이중적 나노기공성 배향막의 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 라이오트로픽(Lyotropic) 용액에서 실리카 대 황화카드뮴의 몰 비율은 1 : 0
7 6
제 4 항에 있어서, 상기 라이오트로픽(Lyotropic) 용액에서 실리카 대 황화카드뮴의 몰 비율은 1 : 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.