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노광용 마스크, 그 제조 방법 및 그 마스크를 이용한 기판의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015126009
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판; 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 빛을 투과시키지 않는 물질로 형성되어 있는 불투명층 패턴; 상기 기판 및 상기 불투명층 패턴 위에 형성되어 있는 제1 유전체층; 및 상기 제1 유전체층 위에 형성되어 있는 음굴절율 메타물질층을 포함하며, 상기 노광용 마스크에서 사용하는 분산 모드는 Quasi bound 모드를 사용하는 노광용 마스크, 노광용 마스크의 제조 방법 및 노광용 마스크를 이용한 기판의 제조 방법에 대한 발명이다.
Int. CL G03F 1/68 (2012.01) G03F 1/38 (2012.01)
CPC
출원번호/일자 1020110128486 (2011.12.02)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0085467 (2013.07.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종광 대한민국 대전 동구
2 강 민 대한민국 서울 강남구
3 주진호 대한민국 서울특별시 마포구
4 김봉연 대한민국 서울특별시 구로구
5 공향식 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 김경식 대한민국 서울특별시 강남구
7 백승화 대한민국 인천 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0960883-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742791-96
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1174555-87
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.09.07 수리 (Accepted) 9-1-2017-0029069-06
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0712714-73
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1253151-66
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1253150-10
15 등록결정서
Decision to grant		 2018.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0225009-47
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복합 파장 광원을 사용하는 노광기에서 방출된 빛을 작업 대상에 조사하는 마스크로서,기판; 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 빛을 투과시키지 않는 물질로 형성되어 있는 불투명층 패턴;상기 기판 및 상기 불투명층 패턴 위에 형성되어 있는 제1 유전체층; 및상기 제1 유전체층 위에 형성되어 있는 음굴절율 메타물질층을 포함하며,상기 마스크에서 상기 제1 유전체층과 상기 음굴절율 메타물질층 사이에서 사용하는 분산 모드는 Quasi bound 모드를 사용하고상기 Quasi bound 모드는 공간 주파수(kx)값이 줄어들수록 전자기파의 에너지(eV)가 증가하며,상기 공간 주파수(kx)값은 0
2 2
삭제
3 3
제1항에서,상기 음굴절율 메타물질층은 상기 공간 주파수(kx)가 0
4 4
삭제
5 5
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6 6
제1항에서,상기 마스크는 상기 음굴절율 메타물질층 위에 형성되어 있는 제2 유전체층을 더 포함하는 노광용 마스크
7 7
삭제
8 8
제6항에서,상기 음굴절율 메타물질층은 상기 공간 주파수(kx)가 0
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
기판위에 빛을 투과시키지 않는 물질로 불투명층 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 및 상기 불투명층 패턴위에 제1 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 제1 유전체층 위에 음굴절율 메타물질층을 형성하여 마스크를 제조하는 단계를 포함하며,상기 마스크에서 상기 제1 유전체층과 상기 음굴절율 메타물질층 사이에서 사용하는 분산 모드는 Quasi bound 모드를 사용하고상기 Quasi bound 모드는 공간 주파수(kx)값이 줄어들수록 전자기파의 에너지(eV)가 증가하며,상기 공간 주파수(kx)값은 0
12 12
제11항에서,상기 마스크는 상기 음굴절율 메타물질층 위에 형성되어 있는 제2 유전체층을 더 포함하는 노광용 마스크의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
제11항에서,상기 음굴절율 메타물질층은 상기 공간 주파수(kx)가 0
15 15
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16 16
포토 레지스트를 포함하는 작업 대상인 기판과 복합 파장 광원을 가지는 노광기 사이에 노광용 마스크를 위치시키는 단계;상기 노광기에서 상기 노광용 마스크로 빛을 조사하여 일부 빛은 상기 포토 레지스트로 전달하는 단계; 및 상기 포토 레지스트를 현상하는 단계를 포함하며,상기 노광용 마스크는 기판; 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 빛을 투과시키지 않는 물질로 형성되어 있는 불투명층 패턴;상기 기판 및 상기 불투명층 패턴 위에 형성되어 있는 제1 유전체층; 및상기 제1 유전체층 위에 형성되어 있는 음굴절율 메타물질층을 포함하며,상기 노광용 마스크에서 상기 제1 유전체층과 상기 음굴절율 메타물질층 사이에서 사용하는 분산 모드는 Quasi bound 모드를 사용하고상기 Quasi bound 모드는 공간 주파수(kx)값이 줄어들수록 전자기파의 에너지(eV)가 증가하며,상기 공간 주파수(kx)값은 0
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18 18
제16항에서,상기 노광용 마스크는 상기 음굴절율 메타물질층 위에 형성되어 있는 제2 유전체층을 더 포함하는 노광용 마스크를 이용한 기판 제조 방법
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삭제
20 20
제16항에서,상기 음굴절율 메타물질층은 상기 공간 주파수(kx)가 0
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08895209 US 미국 FAMILY
2 US20130143149 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013143149 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8895209 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.