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튜브형 단결정 실리콘 나노 구조물 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015127316
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판 위에 튜브형 수직 기둥 구조의 단결정 실리콘 나노 구조물을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 특히, 기존과 같은 포토 리소그라피 공정을 사용하지 않고 금속증착-003e# 급속열처리-003e# 건식 식각(RIE)과 같은 3단계의 간단한 일괄처리 공정을 통해 대면적 실리콘 기판 위에 큰 체적당 표면 비율과 초소수성 성질을 갖는 튜브형태의 실리콘 나노 구조물을 효과적으로 제조할 수 있는 튜브형 나노 구조물 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020110101830 (2011.10.06)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1336100-0000 (2013.11.27)
공개번호/일자 10-2013-0037431 (2013.04.16) 문서열기
공고번호/일자 (20131203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.06)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종백 대한민국 경기도 고양시 덕양구
2 정학균 대한민국 서울특별시 강서구
3 나형주 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 권대성 대한민국 서울특별시 양천구
5 김민욱 대한민국 대전광역시 서구
6 강정진 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0780567-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0003244-43
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0286029-30
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0572766-01
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0572815-40
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0802318-91
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 공정 장비를 이용하여 실리콘 웨이퍼 위에 금속 박막을 증착하는 단계와;상기 웨이퍼 위에 증착된 금속 박막을 급속가열하여 열적응집을 통해 나노 사이즈(nano size)의 금속 나노점(nano dot)을 형성하는 단계와; 상기 형성된 금속 나노점을 식각 마스크로 사용하여 건식 식각 공정을 수행함으로써, 상기 금속 나노점 주변에 링(Ring) 모양으로 재증착된 재증착 영역이 형성되고, 상기 재증착 영역과 상기 금속 나노점의 하부 사이에 드러난 실리콘 부분에 언더컷(undercut)이 발생되어, 최종적인 튜브형 기둥 모양의 나노 구조물을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 금속 박막은 8대 2의 혼합 비율을 갖는 Pt/Pd 합금이고,상기 나노점 형성을 위한 급속가열 단계는 1100℃ 온도에서 60~70초 동안 진행되며,상기 건식 식각 공정은 반응성 이온 식각(Reactive ion etching;RIE)으로, 상기 반응성 이온 식각(RIE)은 150 W의 전압과, 50 mTorr의 챔버 압력과, 50 sccm의 가스 토출유량 조건 하에 수행되며, 사용되는 가스는 염소(Cl2) 가스인 것을 특징으로 하는 튜브형 단결정 실리콘 나노 구조물 제조방법
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반도체 공정 장비를 이용하여 실리콘 웨이퍼 위에 금속 박막을 증착하는 단계와;상기 웨이퍼 위에 증착된 금속 박막을 급속가열하여 열적응집을 통해 나노 사이즈(nano size)의 금속 나노점(nano dot)을 형성하는 단계와; 상기 형성된 금속 나노점을 식각 마스크로 사용하여 건식 식각 공정을 수행함으로써, 상기 금속 나노점 주변에 링(Ring) 모양으로 재증착된 재증착 영역이 형성되고, 상기 재증착 영역과 상기 금속 나노점의 하부 사이에 드러난 실리콘 부분에 언더컷(undercut)이 발생되어, 최종적인 튜브형 기둥 모양의 나노 구조물을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 금속 박막은 8대 2의 혼합 비율을 갖는 Pt/Pd 합금이고,상기 나노점 형성을 위한 급속가열 단계는 1100℃ 온도에서 60~70초 동안 진행되며,상기 건식 식각 공정은 반응성 이온 식각(Reactive ion etching;RIE)으로, 상기 반응성 이온 식각(RIE)은 150 W의 전압과, 50 mTorr의 챔버 압력과, 50 sccm의 가스 토출유량 조건 하에 수행되며, 사용되는 가스는 염소(Cl2) 가스인 것을 특징으로 하여 제조되는 튜브형 단결정 실리콘 나노 구조물
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1 지식경제부 연세대학교 산학협력단 신재생에너지 기술개발 사업 실리콘 기반 MEMS 헤드형 multi e-jetting 기술 이용 고효율 유기 태양 전지 제작