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투명 금속 산화물 박막 전계 효과 트랜지스터용 탄소나노튜브의 성능 개선 방법 및 상기 전계 효과 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015126117
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 탄소나노튜브 박막의 전기적 특성을 개선하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 (a) 탄소나노튜브와 계면 활성제 및 물을 결합한 분산제를 스프레이 코팅 방법을 이용하여 기재 상에 코팅하여, 제1 두께의 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계와; (b) 상기 탄소나노튜브 박막을 포함된 계면 활성제를 제거하는 단계와; (c) 상기 기재 상에 형성한 탄소나노튜브 박막에 몰드를 배치한 다음, 상기 몰드를 통해 상기 박막에 대해 기계적 압력을 인가하여, 상기 탄소나노튜브 사이의 공기 간극을 감소 혹은 제거함으로써 상기 박막의 저항을 감소시킨 제2 두께의 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01) B05D 3/12 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100117299 (2010.11.24)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1198874-0000 (2012.11.01)
공개번호/일자 10-2012-0055868 (2012.06.01) 문서열기
공고번호/일자 (20121107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 전주희 대한민국 서울특별시 서대문구
3 이태일 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0767089-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089170-87
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0122168-32
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0338960-95
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0420480-38
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0420488-03
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0655087-99
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 탄소나노튜브와 계면 활성제 및 물을 결합한 분산제를 스프레이 코팅 방법을 이용하여 기재 상에 코팅하여, 제1 두께의 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계와;(b) 상기 탄소나노튜브 박막에 포함된 계면 활성제를 제거하는 단계와;(c) 상기 기재 상에 형성한 탄소나노튜브 박막에 몰드를 배치한 다음, 상기 몰드를 통해 상기 박막에 대해 기계적 압력을 인가하여, 상기 탄소나노튜브 사이의 공기 간극을 감소 혹은 제거함으로써 상기 박막의 저항을 감소시킨 제2 두께의 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 전기적 특성을 개선하는 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 몰드는 그 표면이 상기 탄소나노튜브의 박막 표면의 형태로 변형 가능한 연질의 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 전기적 특성을 개선하는 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 몰드는 연질의 고분자 재료로 이루어진 몰드인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 전기적 특성을 개선하는 방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 몰드는 PDMS 몰드인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 전기적 특성을 개선하는 방법
5 5
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서 상기 탄소나노튜브 박막의 탄소나노튜브를 변형시키지 않는 크기의 기계적 압력을 인가하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 전기적 특성을 개선하는 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서, 20 kPa 내지 100 kPa의 압력을 인가하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 전기적 특성을 개선하는 방법
7 7
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일 벽 탄소나노튜브 혹은 멀티 월 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 전기적 특성을 개선하는 방법
8 8
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 두께는 제1 두께보다는 작은 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 전기적 특성을 개선하는 방법
9 9
전계 효과 트랜지스터(FET)에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 미리 원하는 형태로 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 유전체 층과, 상기 게이트 유전체 층에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 탄소나노튜브와 계면 활성제 및 물을 결합한 분산제를 스프레이 코팅 방법을 이용하여 상기 게이트 유전체 층 상에 코팅하여 제1 두께의 탄소나노튜브 박막을 형성한 후 그 박막을 패터닝하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한 다음, 상기 탄소나노튜브 박막으로 이루어진 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 몰드를 배치하고, 상기 몰드를 통해 상기 박막에 대해 기계적 압력을 인가하는 단계를 포함하는 방법을 통해 형성되고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 탄소나노튜브 박막은 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖고, 상기 제2 두께의 탄소나노튜브 박막의 탄소나노튜브 사이의 공기 간극은 상기 기계적 압력을 인가하기 전의 상기 제1 두께의 탄소나노튜브 박막의 탄소나노튜브 사이의 공기 간극과 비교하여 감소 혹은 제거되어, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 기계적 압력을 인가하지 않은 경우의 소스 전극 및 드레인 전극의 저항보다 작은 저항을 갖고 있으며 또한 상기 게이트 유전체 층 사이의 접촉 저항 역시 상기 기계적 압력을 인가하지 않은 경우의 접촉 저항보다 작은 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일 벽 탄소나노튜브 혹은 멀티 월 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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패밀리정보가 없습니다
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