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루테늄 캡핑 실리사이드 나노와이어 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126141
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리사이드 나노와이어를 제조하는 방법으로서 원자층 증착법에 의해서 루테늄을 코발트가 증착된 실리콘 나노와이어에 증착시켜 캡핑하는 단계를 포함한다. 본 발명의 방법에 의해서 실리사이드 나노와이어의 균일도가 향상되며 콘택저항이 줄어 전기전도도가 좋은 반도체 소자를 제작하는데 사용이 가능하다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 33/06(2013.01) C01B 33/06(2013.01) C01B 33/06(2013.01) C01B 33/06(2013.01) C01B 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020100140092 (2010.12.31)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0077952 (2012.07.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
2 이한보람 대한민국 서울특별시 강서구
3 윤재홍 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0879871-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0087760-03
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0028225-09
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0380153-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리사이드 나노와이어를 제조하는 방법에 있어서,원자층 증착법에 의해서 루테늄을 코발트가 증착된 실리콘 나노와이어에 증착시켜 캡핑하는 단계를 포함하는 루테늄 캡핑 실리사이드 나노와이어 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 루테늄을 상기 실리콘 나노와이어에 증착시켜 캡핑하는 단계 이전에 원자층 증착법을 이용하여 코발트 원자층 박막을 실리콘 나노와이어 기판에 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 루테늄 캡핑 실리사이드 나노와이어 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 코발트 원자층 박막을 실리콘 나노와이어 기판에 증착하는 단계는 (a1) 반응기에 상기 기판을 넣고 를 전구체를 투입하여 열을 가하는 단계;(a2) 아르곤 가스로 퍼징하는 단계;(a3) 반응기에 를 반응물로서 투입하는 단계;및(a4) 아르곤 가스로 퍼징하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 루테늄 캡핑 실리사이드 나노와이어 제조방법
4 4
제3항에 있어서,실리콘 나노와이어에 목표두께의 코발트가 증착되도록 상기 (a1) 내지 (a4)단계를 반복하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 루테늄 캡핑 실리사이드 나노와이어 제조방법
5 5
제3항에 있어서,상기 전구체를 투입하여 열을 가하는 단계는 300℃ 내지 400℃로 열을 가하는 것을 특징으로 하는 루테늄 캡핑 실리사이드 나노와이어 제조방법
6 6
제2항에 있어서,상기 원자층 증착법에 의해서 루테늄을 상기 코발트가 증착된 실리콘 나노와이어에 증착시켜 캡핑하는 단계는 (b1) 반응기안에 있는 코발트가 증착되어 있는 실리콘 나노와이어 기판에 전구체로서 DER(다이메틸펜다디에닐에틸사이클로펜다디에닐루테늄)을 투입하여 증착시키는 단계;(b2) 미반응물질 및 불순물을 제거하기 위해서 아르곤 가스로 세척하는 제1퍼징단계;(b3) 반응기에 O2를 반응물로서 투입하는 단계;및(b4) 아르곤 가스로 세척하는 제2퍼징단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 루테늄 캡핑 실리사이드 나노와이어 제조방법
7 7
제6항에 있어서,목표두께의 루테늄을 캡핑할 수 있도록 상기 (b1)단계 내지 (b4) 단계를 반복하는 것을 특징으로 하는 루테늄 캡핑 실리사이드 나노와이어 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 (b1)단계 내지 (b4)단계를 거쳐 형성된 루테늄이 캡핑된 나노와이어가 루테늄이 캡핑된 코발트 실리사이드 나노와이어를 형성하도록 하기 위해서 열을 가하는 RTA공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 루테늄 캡핑 실리사이드 나노와이어 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 열을 가하는 RTA공정을 수행하는 단계는 700℃ 내지 950℃의 열을 가하는 것을 특징으로 하는 루테늄 캡핑 실리사이드 나노와이어 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.