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(a) 그라파이트 옥사이드 분말 및 계면 활성제를 용매에 분산시키는 단계;(b) 상기 분산 용액의 pH를 2 이하로 조절하는 단계;(c) 상기 pH 2 이하인 분산 용액 및 실리콘 염을 혼합하는 단계; 및(d) 상기 혼합 용액의 온도를 30℃ 내지 150℃로 유지시켜 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체를 제조하는 단계를 포함하는, 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 그라파이트 옥사이드 분말 및 계면 활성제는 초음파 처리를 통해 용매 내에서 분산되는 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 용매는 증류수인 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 그라파이트 옥사이드 분말은 용매 100 중량부에 대하여 0
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제 1 항에 있어서,계면 활성제는 용매 100 중량부에 대하여 3 중량부 내지 20 중량부로 포함되는 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 계면 활성제는 주 계면활성제 및 부 계면활성제의 혼합물인 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 주 계면활성제는 양이온성 계면 활성제, 음이온성 계면 활성제 및 고분자성 계면 활성제로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상이고, 부 계면활성제는 에탄올 및 부탄올로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 주 계면활성제는 SDS, AOT, CTAB, CTACI, P123, F127, Brij56 및 Brij78로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,단계 (b)는 황산, 염산, 질산 및 인산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 강산을 분산 용액에 혼합함으로써 수행되는 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,실리콘 염은 그라파이트 옥사이드 분말 1 중량부에 대하여 5 중량부 내지 30 중량부로 포함되는 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 실리콘 염은 TEOS(tetraethoxysilane), TMOS(tetramethylorthosilicate), 규산 나트륨(Na2SiO3), 규산 리튬(Li2SiO3) 및 규산 칼륨(K2SiO3)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,혼합 용액의 온도를 승온시키기 위하여 마이크로파를 인가하는 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,마이크로파의 진동수는 2
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제 12 항에 있어서,마이크로파의 인가 시간은 10 분 내지 60 분인 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,(e) 제조된 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체를 세척 후 건조하는 단계를 추가로 포함하는 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의해 제조된 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체
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제 16 항에 있어서,메조동공구조 실리콘 산화물의 기공 크기(pore size)가 1 nm 내지 10 nm인 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체
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제 16 항에 있어서,비표면적이 700 m2/g 이상인 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체
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제 16 항에 있어서,3차원 기공 구조를 가지는 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체
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제 16 항에 따른 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체를 포함하는 정밀 화학 촉매
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제 16 항에 따른 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체를 포함하는 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체 제조용 주형
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제 16 항에 따른 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체를 포함하는 메조동공구조 탄소/그래핀 복합체 제조용 주형
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(1) 제 16 항에 따른 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체를 전이금속 염 용액에 침지시키는 단계;(2) 상기 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체를 열처리하여 메조동공구조 전이금속 산화물/실리콘 산화물/그래핀 복합체를 제조하는 단계; 및 (3) 상기 제조된 메조동공구조 전이금속 산화물/실리콘 산화물/그래핀 복합체에서 실리콘 산화물을 제거하여 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체를 제조하는 단계를 포함하는 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,단계 (1)의 전이금속 염은 루테늄, 바나듐, 티타늄, 망간, 코발트, 철, 주석, 니켈 및 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 전이금속의 염인 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,단계 (1)에서 전이금속 염 용액의 용매는 증류수; 또는 증류수 및 알코올의 혼합물인 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,단계 (1)은 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체를 전이금속 염 용액에 넣은 후, 25℃ 내지 60℃의 온도에서 전이금속 염 용액의 용매를 증발시킴으로써 수행되는 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,(4) 단계 (1) 이후, 메조동공구조 실리콘 산화물/그래핀 복합체를 건조시키는 단계를 추가로 포함하는 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 27 항에 있어서,단계 (4)의 건조는 60℃ 내지 100℃의 온도에서 수행되는 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,단계 (2)의 열처리는 150℃ 내지 400℃의 온도에서 수행되는 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,단계 (3)에서 실리콘 산화물을 제거하는 공정은 메조동공구조 전이금속 산화물/실리콘 산화물/그래핀 복합체를 불산(HF) 용액 또는 수산화나트륨(NaOH) 용액에 침지시킴으로써 수행되는 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,(5) 단계 (3) 이후, 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체를 세척 및 건조하는 단계를 추가로 포함하는 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체의 제조 방법
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제 23 항의 제조 방법에 의해 제조된 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체
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제 32 항에 있어서,3차원 기공 구조를 가지는 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체
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제 32 항에 따른 메조동공구조 전이금속 산화물/그래핀 복합체를 포함하는 에너지 저장 소재
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제 34 항에 있어서, 에너지 저장 소재는 2차 전지, 연료 전지 및 슈퍼 캐퍼시터로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 에너지 저장 소재
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