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성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126369
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반응감도의 튜닝(tuning)이 가능하고, 빠른 회복성(fast-recovery)과 재개 가능성(renewability)을 갖는 초 고감도 그라핀 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 홈이 형성된 기판; 상기 홈 내부에 형성된 유전체층; 상기 유전체층과 부분적으로 맞닿으며 상기 홈의 좌,우측에 위치한 기판의 상부면에 걸쳐지도록 형성된 그라핀층; 상기 기판 위에 적층되어 상기 그라핀층의 양단과 각각 연결되는 소스 전극과 드레인 전극; 상기 홈 내부에 상기 유전체층과 접촉을 이루며 형성되고, 외부로부터 전압이 인가되는 게이트 전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/02 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020120058123 (2012.05.31)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0134538 (2013.12.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.31)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성찬 대한민국 서울 서대문구
2 임주환 대한민국 서울 은평구
3 윤형서 대한민국 서울 서대문구
4 오주영 대한민국 경기 김포시
5 정영모 대한민국 서울 서대문구
6 박형구 대한민국 경기 시흥

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0436296-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0046297-04
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0517977-40
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0905185-42
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
홈이 형성된 기판; 상기 홈 내부에 형성된 유전체층;상기 유전체층과 부분적으로 맞닿으며 상기 홈의 좌,우측에 위치한 기판의 상부면에 걸쳐지도록 형성된 그라핀층;상기 기판 위에 적층되어 상기 그라핀층의 양단과 각각 연결되는 소스 전극과 드레인 전극; 상기 홈 내부에 상기 유전체층과 접촉을 이루며 형성되고, 외부로부터 전압이 인가되는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극에는 (+) 또는 (-) 극성의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
3 3
제1항에 있어서, 상기 그라핀층은 화학기상증착(CVD)을 통해 기판 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
4 4
제1항에 있어서, 상기 그라핀층은 그라핀 옥사이드(graphene oxide)를 스핀 코팅(spin coating)하여 기판 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 산화막이 형성된 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
6 6
제1항에 있어서, 상기 소스, 드레인, 게이트 전극은 금(Au)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
7 7
(a) 기판에 홈을 형성한 후, 홈 내부에 게이트 전극과 유전체를 순차적으로 적층하는 단계; (b) 상기 유전체의 상부면과 접촉되도록 기판의 상부면에 그라핀을 증착한 후 리소그라피 공정을 통해 원하는 모양으로 패터닝하는 단계; 및(c) 상기 패터닝된 그라핀의 양단과 연결되도록 기판의 상부면에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 (b)단계에서 상기 그라핀의 증착은 화학기상증착(CVD) 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 (b)단계에서 상기 그라핀의 증착은 그라핀 옥사이드(graphene oxide)를 스핀 코팅(spin coating)하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 (c)단계에서 상기 소스 전극과 드레인 전극은 리소그라피 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 (c)단계에서 상기 소스 전극과 드레인 전극은 리프트-오프(Lift-Off) 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
12 12
(a) 기판에 홈을 형성한 후, 홈 내부에 게이트 전극과 유전체를 순차적으로 적층하는 단계; (b) 상기 홈의 좌,우측에 위치한 기판의 상부면에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 및(c) 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 위치한 기판의 상부면에 그라핀 나노입자를 유전영동법(Dielectrophoresis)을 이용하여 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 (a)단계에서 상기 소스 전극과 드레인 전극은 리소그라피 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 (a)단계에서 상기 소스 전극과 드레인 전극은 리프트-오프(Lift-Off) 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
15 15
제1항의 구성을 갖는 그라핀 센서를 인쇄회로기판(PCB) 상에 회로 구성하여 제조한 반도체 칩
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술연구원(KIST) 원천기술개발사업(미래유망융합기술 파이오니어사업) 에너지 수확소자의 고효율 인터페이스 및 관리 회로 기술 개발
2 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 일반연구자지원(기본연구지원) 탄소소재를 적용한 능동 제어 나노 공진기 개발
3 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 기초연구역량강화사업(대학중점연구소 지원) 나노융합 그린에너지 원천기술 개발(나노과학기술연구소)