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홈이 형성된 기판; 상기 홈 내부에 형성된 유전체층;상기 유전체층과 부분적으로 맞닿으며 상기 홈의 좌,우측에 위치한 기판의 상부면에 걸쳐지도록 형성된 그라핀층;상기 기판 위에 적층되어 상기 그라핀층의 양단과 각각 연결되는 소스 전극과 드레인 전극; 상기 홈 내부에 상기 유전체층과 접촉을 이루며 형성되고, 외부로부터 전압이 인가되는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
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제1항에 있어서, 상기 게이트 전극에는 (+) 또는 (-) 극성의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
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제1항에 있어서, 상기 그라핀층은 화학기상증착(CVD)을 통해 기판 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
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제1항에 있어서, 상기 그라핀층은 그라핀 옥사이드(graphene oxide)를 스핀 코팅(spin coating)하여 기판 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 산화막이 형성된 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
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제1항에 있어서, 상기 소스, 드레인, 게이트 전극은 금(Au)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서
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7
(a) 기판에 홈을 형성한 후, 홈 내부에 게이트 전극과 유전체를 순차적으로 적층하는 단계; (b) 상기 유전체의 상부면과 접촉되도록 기판의 상부면에 그라핀을 증착한 후 리소그라피 공정을 통해 원하는 모양으로 패터닝하는 단계; 및(c) 상기 패터닝된 그라핀의 양단과 연결되도록 기판의 상부면에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 (b)단계에서 상기 그라핀의 증착은 화학기상증착(CVD) 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 (b)단계에서 상기 그라핀의 증착은 그라핀 옥사이드(graphene oxide)를 스핀 코팅(spin coating)하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 (c)단계에서 상기 소스 전극과 드레인 전극은 리소그라피 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 (c)단계에서 상기 소스 전극과 드레인 전극은 리프트-오프(Lift-Off) 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
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(a) 기판에 홈을 형성한 후, 홈 내부에 게이트 전극과 유전체를 순차적으로 적층하는 단계; (b) 상기 홈의 좌,우측에 위치한 기판의 상부면에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 및(c) 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 위치한 기판의 상부면에 그라핀 나노입자를 유전영동법(Dielectrophoresis)을 이용하여 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 (a)단계에서 상기 소스 전극과 드레인 전극은 리소그라피 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 (a)단계에서 상기 소스 전극과 드레인 전극은 리프트-오프(Lift-Off) 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 성능조절이 가능한 초 고감도 그라핀 센서 제조방법
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제1항의 구성을 갖는 그라핀 센서를 인쇄회로기판(PCB) 상에 회로 구성하여 제조한 반도체 칩
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