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메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015126413
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 장치는 복수의 메모리 영역을 포함하며, 상기 메모리 영역 각각은 서로 다른 컨트롤러에 의해 동작이 제어되며, 상기 메모리 영역 각각은 구조 및 동작 중 적어도 하나가 서로 상이할 수 있다.
Int. CL G11C 5/02 (2006.01) G11C 7/00 (2006.01)
CPC G11C 5/025(2013.01) G11C 5/025(2013.01) G11C 5/025(2013.01) G11C 5/025(2013.01)
출원번호/일자 1020120114254 (2012.10.15)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0048462 (2014.04.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.15)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정의영 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 전민제 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0835561-50
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0043945-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0886852-07
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0172916-16
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0272603-54
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0376755-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 메모리 영역을 포함하는 메모리 장치에 있어서,상기 메모리 영역 각각은 서로 다른 컨트롤러에 의해 동작이 제어되며,상기 메모리 영역 각각은 구조 및 동작 중 적어도 하나가 서로 상이한 메모리 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 메모리 영역 각각은:데이터를 저장하는 메모리 뱅크; 그리고데이터를 입력받아 상기 메모리 뱅크로 전달하고, 상기 메모리 뱅크로부터 독출된 데이터를 출력하는 입출력 포트;를 포함하는 메모리 장치
3 3
제 2 항에 있어서,상기 메모리 영역 각각은, 상기 메모리 뱅크에 포함된 비트라인 및 워드라인 중 적어도 하나의 개수가 서로 상이한 메모리 장치
4 4
제 2 항에 있어서,상기 메모리 영역 각각은, 상기 메모리 뱅크의 개수가 서로 상이한 메모리 장치
5 5
제 2 항에 있어서,상기 메모리 영역 각각은, 상기 입출력 포트의 개수가 서로 상이한 메모리 장치
6 6
제 2 항에 있어서,상기 메모리 영역 각각은, 상기 메모리 뱅크로부터 프리페치(prefetch)되는 데이터의 크기가 서로 상이한 메모리 장치
7 7
제 1 항에 있어서,상기 메모리 영역 각각은, 버스를 통해 전송되는 데이터의 크기가 서로 상이한 메모리 장치
8 8
제 1 항에 있어서,상기 메모리 영역 각각은, 클럭 주파수의 크기가 서로 상이한 메모리 장치
9 9
제 1 항에 있어서,상기 메모리 영역 각각은, 메모리 용량이 서로 상이한 메모리 장치
10 10
제 1 항에 있어서,상기 메모리 장치는, 상기 복수의 메모리 영역을 하나의 평면 상에 포함하는 메모리 장치
11 11
제 1 항에 있어서,상기 메모리 영역 각각은, 서로 다른 코어에 연결되어 동작하는 메모리 장치
12 12
복수의 메모리 영역으로 분할되며, 상기 메모리 영역 각각은 서로 다른 컨트롤러에 의해 동작이 제어되며, 상기 메모리 영역 각각은:데이터를 저장하는 메모리 뱅크; 그리고데이터를 입력받아 상기 메모리 뱅크로 전달하고, 상기 메모리 뱅크로부터 독출된 데이터를 출력하는 입출력 포트를 포함하며,상기 메모리 영역 각각은, 상기 메모리 뱅크의 구조, 상기 메모리 뱅크의 동작, 상기 입출력 포트의 구조 및 상기 입출력 포트의 동작 중 적어도 하나가 서로 상이한 메모리 장치
13 13
제 12 항에 있어서,상기 메모리 영역 각각은:상기 메모리 뱅크에 포함된 비트라인 및 워드라인 중 적어도 하나의 개수;상기 메모리 뱅크의 개수;상기 입출력 포트의 개수;상기 메모리 뱅크로부터 프리페치되는 데이터의 크기;상기 메모리 뱅크에 포함된 버스에 의해 전송되는 데이터의 크기;클럭 주파수의 크기; 그리고메모리 용량;중 적어도 하나가 서로 상이한 메모리 장치
14 14
제 12 항에 있어서,상기 복수의 메모리 영역은 하나의 평면 상에 위치하는 메모리 장치
15 15
제 12 항에 있어서,상기 메모리 영역 각각은 서로 다른 코어에 연결되어 동작하는 메모리 장치
16 16
제 12 항에 있어서,상기 메모리 장치는 멀티코어 프로세서에 연결된 랜덤 액세스 메모리(random access memory, RAM)인 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 일반연구자지원 Memory-wall 현상 극복을 위한 DRAM-적층 프로세서 구조 연구