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스택형 하이브리드 메모리 장치 및 이의 데이터 스왑 방법

  • 기술번호 : KST2022011187
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리 장치의 동작을 제어하는 컨트롤 로직 레이어, 적층되는 다수의 메모리 레이어를 각각 포함하고, 컨트롤 로직 레이어 상에 적층되는 다수의 메모리 레이어 그룹, 다수의 메모리 레이어 그룹 내의 적층된 다수의 메모리 레이어를 관통하여 형성되는 다수의 제1 TSV 및 컨트롤 로직 레이어로부터 적층된 다수의 메모리 레이어 그룹의 다수의 메모리 레이어를 관통하여 형성되는 다수의 제2 TSV를 포함하여, 스왑 처리 성능을 개선하여, 동작 속도를 향상시킬 수 있는 스택형 하이브리드 메모리 장치 및 이의 데이터 스왑 방법을 제공할 수 있다.
Int. CL G11C 5/02 (2006.01.01) G11C 5/06 (2006.01.01) G11C 11/00 (2006.01.01) G11C 7/10 (2021.01.01)
CPC G11C 5/025(2013.01) G11C 5/06(2013.01) G11C 11/005(2013.01) G11C 7/1078(2013.01)
출원번호/일자 1020200169602 (2020.12.07)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0080469 (2022.06.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.07)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정의영 서울특별시 강남구
2 김도현 서울특별시 영등포구
3 박영민 서울특별시 성북구
4 이상협 경상북도 경주시 광중길 **-

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-1322917-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0220954-24
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0429453-16
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2022-0429404-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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메모리 장치의 동작을 제어하는 컨트롤 로직 레이어; 적층되는 다수의 메모리 레이어를 각각 포함하고, 상기 컨트롤 로직 레이어 상에 적층되는 다수의 메모리 레이어 그룹; 상기 다수의 메모리 레이어 그룹 내의 적층된 다수의 메모리 레이어를 관통하여 형성되는 다수의 제1 TSV; 및 상기 컨트롤 로직 레이어로부터 적층된 다수의 메모리 레이어 그룹의 다수의 메모리 레이어를 관통하여 형성되는 다수의 제2 TSV를 포함하는 스택형 하이브리드 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 다수의 메모리 레이어 그룹 각각은 동일한 메모리 레이어 그룹 내의 다수의 메모리 레이어에 저장된 데이터를 스왑하는 경우, 상기 다수의 제1 TSV를 통해 데이터를 전송하는 스택형 하이브리드 메모리 장치
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제2항에 있어서, 상기 다수의 메모리 레이어 그룹은 서로 다른 메모리 레이어 그룹에 포함된 메모리 레이어에 저장된 데이터를 스왑하는 경우, 상기 다수의 제2 TSV를 통해 데이터를 전송하는 스택형 하이브리드 메모리 장치
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제3항에 있어서, 상기 다수의 메모리 레이어 그룹 각각은 적층되어 포함되는 상기 다수의 메모리 레이어 중 기지정된 메모리 레이어에 형성되어 스왑되는 데이터가 임시 저장되는 스왑 버퍼를 더 포함하는 스택형 하이브리드 메모리 장치
5 5
제4항에 있어서, 상기 다수의 메모리 레이어 그룹 각각은 상기 다수의 메모리 레이어 중 데이터를 스왑하는 제1 및 제2 메모리 레이어는 스왑될 데이터를 각각 선택하고, 제1 및 제2 메모리 레이어 중 상기 스왑 버퍼가 형성되지 않는 제2 메모리 레이어가 우선 선택된 데이터를 상기 다수의 제1 TSV를 통해 상기 제1 메모리 레이어의 상기 스왑 버퍼로 전송하여 저장하며, 상기 제1 메모리 레이어는 상기 스왑 버퍼를 거치지 않고 상기 다수의 제1 TSV를 통해 상기 제2 메모리 레이어로 전송하여 저장하며, 상기 스왑 버퍼에 저장된 데이터가 상기 제1 메모리 레이어에 저장되어 데이터 스왑이 수행되는 스택형 하이브리드 메모리 장치
6 6
제5항에 있어서, 상기 다수의 메모리 레이어 그룹 각각은 상기 스왑 버퍼에 저장된 데이터가 상기 제1 메모리 레이어에 저장되는 동안, 상기 제2 메모리 레이어에서 선택된 다른 데이터가 상기 다수의 제1 TSV를 통해 상기 제1 메모리 레이어의 상기 스왑 버퍼에 전송되어 저장되는 스택형 하이브리드 메모리 장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 다수의 메모리 레이어 그룹 각각은 휘발성 메모리가 형성된 적어도 하나의 휘발성 메모리 레이어와 비휘발성 메모리가 형성된 적어도 하나의 비휘발성 메모리 레이어가 포함되는 스택형 하이브리드 메모리 장치
8 8
제7항에 있어서, 상기 스왑 버퍼는 상기 적어도 하나의 비휘발성 메모리 레이어에 형성되는 스택형 하이브리드 메모리 장치
9 9
메모리 장치의 동작을 제어하는 컨트롤 로직 레이어 상에 각각 다수의 메모리 레이어를 각각 포함하여 적층되는 다수의 메모리 레이어 그룹과 상기 다수의 메모리 레이어 그룹 내의 적층된 다수의 메모리 레이어를 관통하여 형성되는 다수의 제1 TSV 및 상기 컨트롤 로직 레이어로부터 적층된 다수의 메모리 레이어 그룹의 다수의 메모리 레이어를 관통하여 형성되는 다수의 제2 TSV를 포함하는 스택형 하이브리드 메모리 장치의 데이터 스왑 방법에 있어서, 다수의 메모리 레이어 중 스왑할 데이터가 저장된 제1 및 제2 메모리 레이어를 선택하는 단계; 선택된 제1 및 제2 메모리 레이어 각각에서 스왑할 데이터를 선택하는 단계; 및 선택된 제1 및 제2 메모리 레이어가 동일 메모리 레이어 그룹 내의 메모리 레이어이면, 제1 및 제2 메모리 레이어 각각에서 선택된 데이터를 기지정된 순서로 상기 다수의 제1 TSV를 통해 전송하여 저장하는 단계를 포함하는 스택형 하이브리드 메모리 장치의 데이터 스왑 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 데이터 스왑 방법은 선택된 제1 및 제2 메모리 레이어가 서로 다른 메모리 레이어 그룹 내의 메모리 레이어이면, 제1 및 제2 메모리 레이어 각각에서 선택된 데이터를 기지정된 순서로 상기 다수의 제2 TSV를 통해 전송하여 저장하는 단계를 더 포함하는 스택형 하이브리드 메모리 장치의 데이터 스왑 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 제1 메모리 레이어는 스왑되는 데이터가 임시 저장되는 스왑 버퍼가 형성되는 스택형 하이브리드 메모리 장치의 데이터 스왑 방법
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제11항에 있어서, 상기 다수의 제1 TSV를 통해 전송하여 저장하는 단계는 상기 제2 메모리 레이어에서 선택된 데이터가 상기 다수의 제1 TSV를 통해 상기 제1 메모리 레이어의 상기 스왑 버퍼로 전송되어 저장되는 단계; 상기 제1 메모리 레이어의 데이터가 상기 스왑 버퍼를 거치지 않고 상기 다수의 제1 TSV를 통해 상기 제2 메모리 레이어로 전송되어 저장되는 단계; 및 상기 스왑 버퍼에 저장된 데이터가 상기 제1 메모리 레이어에 저장되는 단계를 포함하는 스택형 하이브리드 메모리 장치의 데이터 스왑 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 다수의 제1 TSV를 통해 전송하여 저장하는 단계는 상기 스왑 버퍼에 저장된 데이터가 상기 제1 메모리 레이어에 저장되는 동안, 상기 제2 메모리 레이어에서 선택된 다른 데이터가 상기 다수의 제1 TSV를 통해 상기 제1 메모리 레이어의 상기 스왑 버퍼에 전송되어 저장되는 단계를 더 포함하는 스택형 하이브리드 메모리 장치의 데이터 스왑 방법
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제11항에 있어서, 상기 다수의 메모리 레이어 그룹 각각은 휘발성 메모리가 형성된 적어도 하나의 휘발성 메모리 레이어와 비휘발성 메모리가 형성된 적어도 하나의 비휘발성 메모리 레이어가 포함되는 스택형 하이브리드 메모리 장치의 데이터 스왑 방법
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제14항에 있어서, 상기 스왑 버퍼는 상기 적어도 하나의 비휘발성 메모리 레이어에 형성되는 스택형 하이브리드 메모리 장치의 데이터 스왑 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 연세대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 클라우드 컴퓨팅 향 통합형 Server on Chip 시스템 연구