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용액 공정 기반 적층형 산화물 박막 트랜지스터 바이오 센서 및 그를 제조하는 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015126579
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 바이오 센서 및 그를 제조하는 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 바이오 센서는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 게이트; 상기 게이트 위에 형성된 게이트 절연 층; 상기 게이트 절연 층 위에 적층된 다수의 산화물 반도체 층; 및 상기 산화물 반도체 층 위에 형성된 소스 및 드레인;을 포함할 수 있다.
Int. CL G01N 27/406 (2006.01) G01N 27/414 (2006.01) G01N 33/483 (2006.01)
CPC G01N 27/406(2013.01) G01N 27/406(2013.01) G01N 27/406(2013.01)
출원번호/일자 1020130078509 (2013.07.04)
출원인 연세대학교 산학협력단, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1607938-0000 (2016.03.25)
공개번호/일자 10-2015-0005772 (2015.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20160401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.02)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울 송파구
2 김시준 대한민국 서울 노원구
3 정주혜 대한민국 서울 강남구
4 윤두현 대한민국 서울 서초구
5 박성하 대한민국 경기 과천시 별양로 **,
6 김병훈 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
2 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0604013-35
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0078645-13
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0684785-17
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0315650-32
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0060422-60
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0031439-19
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0660483-98
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-1147070-88
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1147110-16
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.11.24 무효 (Invalidation) 1-1-2015-1147130-29
13 보정요구서
Request for Amendment		 2015.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0184594-61
14 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2016.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0010703-17
15 등록결정서
Decision to grant		 2016.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0145090-02
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 형성된 게이트;상기 게이트 위에 형성된 게이트 절연 층;상기 게이트 절연 층 위에 적층된 다수의 산화물 반도체 층; 및상기 산화물 반도체 층 위에 형성된 소스 및 드레인;을 포함하고,상기 다수의 산화물 반도체 층은:각 산화물 반도체 층 사이의 중간 계면층을 포함하고,상기 중간 계면층은:전하를 보유하고,바이오 물질이 상기 산화물 반도체 층에 접촉되는 경우, 상기 중간 계면층으로 전하가 축적되어, 전류가 흐르는 서브 경로가 형성되는 바이오 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체 층은:InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, AlInZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 및 TiSrO3 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 바이오 센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 다수의 산화물 반도체 층은:상기 게이트 절연 층 상에 형성되며, 캐리어의 메인 이동 경로를 제공하는 제 1 산화물 반도체 층;상기 제 1 산화물 반도체 층 상에 형성되며, 상기 캐리어의 서브 이동 경로를 제공하는 제 2 산화물 반도체 층; 및상기 제 2 산화물 반도체 층 상에 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 산화물 반도체 층을 보호하는 제 3 산화물 반도체 층;을 포함하는 바이오 센서
4 4
제 3 항에 있어서,상기 다수의 산화물 반도체 층은:상기 제 1 산화물 반도체 층과 상기 제 2 산화물 반도체 층 사이의 제 1 중간 계면층, 및 상기 제 2 산화물 반도체 층과 상기 제 3 산화물 반도체 층 사이의 제 2 중간 계면층;을 포함하고,상기 제 1 중간 계면층 및 상기 제 2 중간 계면층은 전하를 보유하는 바이오 센서
5 5
제 1 항에 있어서,상기 다수의 산화물 반도체 층은 각각 다른 물질로 구성되는 바이오 센서
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 바이오 센서는:상기 산화물 반도체 층에 바이오 물질이 접촉하는 경우, 전기적 특성이 변하는 바이오 센서
8 8
제 7 항에 있어서,상기 바이오 물질은 외가닥(single-strained) DNA, 두 가닥(double-strained) DNA, 나노구조화된 DNA(nanostructure DNA), 항원, 항체 및 단백질 중 적어도 하나를 포함하는 생체 분자인 바이오 센서
9 9
기판 위에 게이트 및 게이트 절연 층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연 층 위에 다수의 산화물 반도체 층을 적층하는 단계; 및상기 산화물 반도체 층 위에 소스 및 드레인을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 다수의 산화물 반도체 층을 적층하는 단계는:산화물 전구체 물질을 용매에 녹인 산화물 전구체 용액을 상기 산화물 반도체 층의 수에 따라 희석시키는 단계;상기 희석된 산화물 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계;상기 희석된 산화물 전구체 용액이 도포된 기판을 열처리하는 단계; 및상기 희석된 산화물 전구체 용액의 기판 도포 및 상기 기판의 열처리를 상기 산화물 반도체 층의 수만큼 반복하는 단계;를 포함하는 바이오 센서 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서,상기 산화물 전구체 물질은 인듐 나이트레이트 하이드레이트(In(NO3)3H2O), 갈륨 나이트레이트 하이드레이트(Ga(NO3)3H2O) 및 징크 아세테이트 디하이드레이트(Zn(CH3COO)2H2O)를 포함하는 바이오 센서 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 산화물 전구체 용액은 인듐, 갈륨 및 아연을 3:1:2의 몰 비율로 포함하는 바이오 센서 제조 방법
13 13
제 9 항에 있어서,상기 용매는 아세트산(Acetic Acid), 암모니아(Ammonia), 물(Water), 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol) 및 폼아마이드(Formamide)로 이루어진 극성 군이나, 아세톤(Acetone), 벤젠(Benzene), 클로로포름(Chloroform), 디메틸술폭시드(Dimethyformamide), 디옥산(dioxane), 디메틸포름아미드(dimethylformamide) 및 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran) 중에서 선택되는 바이오 센서 제조 방법
14 14
제 9 항에 있어서,상기 기판을 열처리하는 단계는:상기 기판을 300℃에서 5분 동안 선 열처리하는 단계; 및상기 기판을 500℃에서 1시간 동안 후 열처리하는 단계;를 포함하는 바이오 센서 제조 방법
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
제 9 항에 있어서,상기 산화물 전구체 용액을 희석시키는 단계는:상기 산화물 전구체 용액의 농도가 상기 산화물 반도체 층의 수에 반비례하도록 상기 산화물 전구체 용액을 희석시키는 단계를 포함하는 바이오 센서 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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