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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 덮도록 상기 기판 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 절연층 상에, 상기 게이트 전극과 대응되도록 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 절연층 상에 상기 산화물 반도체층의 일부와 접촉하는 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계;상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 인가된 전압에 의해 드레인 전류가 흐름에 따라 발생하는 줄(Joule)열로 상기 산화물 반도체층을 열처리하는 단계;를 포함하는 반도체 장치 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 상기 산화물 반도체층의 적어도 일부가 노출된 상태에서 상기 산화물 반도체층을 열처리하는 반도체 장치 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 반도체 장치 제조 방법은상기 산화물 반도체층이 노출된 분위기(atmosphere)를 제어하는 단계; 를 더 포함하고,상기 열처리하는 단계는 상기 분위기에 노출된 상기 산화물 반도체층을 열처리하는반도체 장치 제조 방법
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제3 항에 있어서,상기 제어하는 단계는 상기 분위기를 진공, 대기, 산소, 또는 질소 분위기로 제어하는 반도체 장치 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 산화물 반도체층, 상기 소스전극 및 상기 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터는 상기 기판 상에 복수 개 형성되고,상기 열처리하는 단계는 상기 트랜지스터 중 일부 트랜지스터의 상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 인가된 전압에 의해 드레인 전류가 흐름에 따라 발생하는 줄열로 상기 일부 트랜지스터의 산화물 반도체층을 열처리하는반도체 장치 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 상기 산화물 반도체층을 탈수화(dehydration) 또는 탈수소화(dehydrogenation)하는반도체 장치 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 반도체 장치의 성질은 상기 열처리에 의해 공핍형(depletion type)에서 증강형(enhancement type)으로 개질되는반도체 장치 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 열처리된 산화물 반도체층, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극을 덮도록 상기 제1 절연층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 반도체 장치 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 상기 소스전극 및 상기 드레인전극에 인가되는 전압을 제어하는 단계;를 포함하고,상기 전압의 제어에 따라 상기 열처리의 온도가 제어되는반도체 장치 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 제1 전압을 인가하고, 상기 게이트 전극에 제2 전압을 인가하는 반도체 장치 제조 방법
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반도체 장치는, 게이트 전극 ;상기 게이트 전극을 덮는 제1 절연층;상기 게이트 전극과 대응되도록 상기 제1 절연층 상에 형성된 산화물 반도체층; 및상기 산화물 반도체층의 일부와 접하도록 상기 제1 절연층 상에 형성되는 소스전극 및 드레인전극;을 포함하고,상기 산화물 반도체층은 상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 전압을 인가된 전압에 의해 드레인 전류가 흐름에 따라 발생하는 줄(Joule) 열에 의해 열처리된 반도체 장치
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제11 항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 상기 열처리에 의해 탈수화(dehydration) 또는 탈수소화(dehydrogenation)된반도체 장치
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제11 항에 있어서,상기 반도체 장치의 성질은 증강형인 반도체 장치
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제11 항에 있어서, 상기 기판 상에 게이트 전극, 산화물 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 복수 개의 트랜지스터가 구비되며,상기 트랜지스터 중 일부는 증강형이고, 다른 일부는 공핍형인반도체 장치
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제11 항에 있어서,열처리된 상기 산화물 반도체층, 상기 소스전극, 및 상기 드레인전극을 덮으며 상기 제1 절연층 상에 형성된 제2 절연층;을 더 포함하는 반도체 장치
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게이트 전극;상기 게이트 전극을 덮으며 형성된 제1 절연층;상기 게이트 전극과 대응되도록 상기 제1 절연층 상에 형성된 산화물 반도체층; 및상기 산화물 반도체층의 일부와 접하도록 상기 제1 절연층 상에 형성되는 소스전극 및 드레인전극;을 포함하는 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 장치 제조 시스템은,상기 산화물 반도체층이 노출된 분위기(atmosphere)를 제어하는 분위기제어장치;를 포함하고 상기 산화물 반도체층은 상기 분위기에 적어도 일부가 노출된 상태로 상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 인가된 전압에 의해 드레인 전류가 흐름에 따라 발생하는 줄(Joule) 열에 의해 열처리되는반도체 장치 제조 시스템
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제16항에 있어서,상기 제어장치는 상기 분위기를 진공, 대기, 산소, 또는 질소 분위기로 제어하는 반도체 장치 제조 시스템
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제16 항에 있어서,상기 소스전극 및 상기 드레인전극에 인가되는 전압을 제어하는 전압제어장치;를 더 포함하고,상기 전압의 제어에 따라 상기 열처리의 온도가 제어되는반도체 장치 제조 시스템
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