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가스 센서 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 가스 센서

  • 기술번호 : KST2015126737
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 센서 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 가스 센서에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 센서 제조 방법은, 기판 상에 산화텅스텐 박막을 형성하는 단계; 상기 산화텅스텐 박막에 황화수소를 공급하면서 열처리하여 이황화텅스텐 박막을 합성하는 단계; 및 상기 이황화텅스텐 박막 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/407 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020140021444 (2014.02.24)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1503438-0000 (2015.03.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.24)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울 영등포구
2 고경용 대한민국 제주 제주
3 송정규 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0179940-10
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0380529-28
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.04.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.04.30 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034485-90
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0578496-99
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1027878-35
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1027879-81
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1027881-73
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0890136-19
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0198968-12
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0743551-27
13 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0788392-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 원자층 증착법에 의해 산화텅스텐 박막을 형성하는 단계;상기 산화텅스텐 박막에 황화수소를 공급하면서 열처리하여 이황화텅스텐 박막을 합성하는 단계; 및상기 이황화텅스텐 박막 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 가스 센서 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화텅스텐 박막을 형성하는 단계는:상기 기판에 텅스텐 전구체를 공급하는 단계; 및상기 기판에 산소를 공급하는 단계;를 포함하는 가스 센서 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 산화텅스텐 박막을 형성하는 단계는:상기 기판에 텅스텐 전구체를 공급하는 단계, 및 상기 기판에 산소를 공급하는 단계를 기 결정된 횟수만큼 반복하는 가스 센서 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 이황화텅스텐 박막을 합성하는 단계는:상기 기판에 수소를 공급하면서 제 1 온도에서 제 1 열처리하는 단계; 및상기 기판에 상기 황화수소를 공급하면서 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 제 2 열처리하는 단계;를 포함하는 가스 센서 제조 방법
5 5
기판 상에 산화텅스텐 박막을 형성하는 단계;상기 산화텅스텐 박막에 황화수소를 공급하면서 열처리하여 이황화텅스텐 박막을 합성하는 단계; 및상기 이황화텅스텐 박막 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 이황화텅스텐 박막을 합성하는 단계는:상기 기판에 수소를 공급하면서 제 1 온도에서 제 1 열처리하는 단계; 및상기 기판에 상기 황화수소를 공급하면서 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 제 2 열처리하는 단계;를 포함하며,상기 제 1 열처리하는 단계는:상기 기판에 상기 수소를 공급하면서 300 내지 500℃에서 30 내지 60분 동안 열처리하는 단계를 포함하며,상기 제 2 열처리하는 단계는:상기 기판에 상기 황화수소를 공급하면서 700 내지 1000℃에서 30 내지 60분 동안 열처리하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제 1 열처리하는 단계는:수소 가스를 10 내지 30 sccm씩 공급하고, 불활성 가스를 10 내지 30 sccm씩 공급하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 제 2 열처리하는 단계는:황화수소 가스를 5 내지 30 sccm씩 공급하고, 불활성 가스를 30 내지 50 sccm씩 공급하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
8 8
제 4 항에 있어서,상기 이황화텅스텐 박막을 합성하는 단계는:상기 제 2 열처리하는 단계 후, 상기 기판을 불활성 가스 분위기에서 냉각시키는 단계를 더 포함하는 가스 센서 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 이황화텅스텐 박막을 합성하는 단계 후, 상기 이황화텅스텐 박막 상에 금속 파티클을 형성하는 단계를 더 포함하는 가스 센서 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 금속 파티클을 형성하는 단계는:상기 이황화텅스텐 박막 상에 백금, 금, 은 및 팔라듐 중 적어도 하나로 구성된 파티클을 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계는:상기 이황화텅스텐 박막 상의 일부 영역에 티타늄 박막을 형성하는 단계; 및상기 티타늄 박막 상에 금 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 가스 센서 제조 방법
12 12
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13 13
삭제
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1 KR101519971 KR 대한민국 FAMILY
2 US09781838 US 미국 FAMILY
3 US20150241386 US 미국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 중견연구자지원 테라헤르츠 기반 초민감 다중 분자 검지 시스템
2 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 신기술융합형 성장동력사업 ALD기반 그래핀 FET 및 solid-state device 응용 연구
3 지식경제부 성균관대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 초미세 반도체와 플렉서블 디스플레이 공정을 위한 무기물 박막증착용 고밀도 플라즈마 기술개발
4 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 글로벌프런티어사업(다차원 스마트 IT 융합 시스템 연구) 상시 환경 모니터링을 위한 원자층 PN 광 다이오드 기반 무전원 분자 검출 시스템 개발