| 1 |
1
기판 상의 전이금속 칼코겐화합물 박막;상기 전이금속 칼코겐화합물 박막 상의 금속 나노 물질; 및상기 금속 나노 물질이 형성된 전이금속 칼코겐화합물 박막 상의 전극;을 포함하는 가스 센서
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물 박막은,WS2, MoS2, MoSe2 및 WSe2 중 어느 하나를 포함하는 가스 센서
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서,상기 금속 나노 물질은,Ag, Pt, Au 및 Pd 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가스 센서
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서,상기 금속 나노 물질은,금속 나노 파티클, 금속 나노 와이어 및 금속 나노 클러스터 중 적어도 하나를 포함하는 가스 센서
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화화물은 이황화텅스텐(WS2)이고,상기 금속 나노 물질은 은(Ag) 나노 와이어인 가스 센서
|
| 6 |
6
제5 항에 있어서,상기 가스 센서는 이산화질소(NO2)를 감지하는 가스 센서
|
| 7 |
7
기판 상에 전이금속 칼코겐화합물 박막을 형성하는 단계;상기 전이금속 칼코겐화합물 박막에 금속 나노 물질을 형성하는 단계; 및상기 금속 나노 물질이 형성된 상기 전이금속 칼코겐화합물 박막 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 가스 센서 제조 방법
|
| 8 |
8
제7 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물 박막을 형성하는 단계는,기판 상에 산화텅스텐 박막을 형성하는 단계; 및상기 산화텅스텐 박막에 황화수소를 공급하면서 열처리하여 이황화텅스텐 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 가스 센서 제조 방법
|
| 9 |
9
제8 항에 있어서,상기 산화텅스텐 박막을 형성하는 단계는:증착 챔버 내의 상기 기판에 텅스텐 전구체를 공급하는 단계;퍼지 가스를 공급하여 퍼징하는 단계;상기 증착 챔버 내에 산소 가스를 공급하는 단계; 및상기 퍼지 가스를 공급하여 퍼징하는 단계;를 포함하는 가스 센서 제조 방법
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서,상기 산화텅스텐 박막을 형성하는 단계는:상기 기판에 텅스텐 전구체를 공급하는 단계, 상기 퍼지 가스를 공급하여 퍼징하는 단계, 상기 증착 챔버 내에 산소 가스를 공급하는 단계 및 상기 퍼지 가스를 공급하여 퍼징하는 단계를 기 결정된 횟수만큼 반복하는 가스 센서 제조 방법
|
| 11 |
11
제8 항에 있어서,상기 이황화텅스텐 박막을 형성하는 단계는:상기 기판에 수소를 공급하면서 제1 온도에서 제1 열처리하는 단계; 및상기 기판에 상기 황화수소를 공급하면서 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 제2 열처리하는 단계;를 포함하는 가스 센서 제조 방법
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서,상기 제1 열처리하는 단계는:상기 기판에 상기 수소를 공급하면서 300 내지 500℃에서 30 내지 60분 동안 열처리하는 단계를 포함하며,상기 제2 열처리하는 단계는:상기 기판에 상기 황화수소를 공급하면서 700 내지 1000℃에서 30 내지 60분 동안 열처리하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
|
| 13 |
13
제12 항에 있어서,상기 제1 열처리하는 단계는:수소 가스를 10 내지 30 sccm씩 공급하고, 불활성 가스를 10 내지 30 sccm씩 공급하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
|
| 14 |
14
제12 항에 있어서,상기 제2 열처리하는 단계는:황화수소 가스를 5 내지 30 sccm씩 공급하고, 불활성 가스를 30 내지 50 sccm씩 공급하는 단계를 포함하는 가스 센서 제조 방법
|
| 15 |
15
제7 항에 있어서,상기 금속 나노 물질을 형성하는 단계는:상기 전이금속 칼코겐화합물 박막 상에 금속 나노 물질을 포함하는 액체를 도포하는 단계; 및상기 기판을 비활성 기체 분위기에서 가열하여 상기 액체를 증발시키는 단계;를 포함하는 가스 센서 제조 방법
|
| 16 |
16
제15 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은 이황화텅스텐이고,상기 금속 나노 물질은 은 나노 와이어인 가스 센서 제조 방법
|
