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주석 산화물 반도체용 조성물 및 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015126893
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물 및 용매를 포함하는 주석 산화물 반도체 형성용 조성물을 제공한다. 본 발명의 다른 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물을 용매에 녹인 조성물을 제조하는 단계; 상기 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 조성물이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/3205 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020130079897 (2013.07.08)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0006284 (2015.01.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.09)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최천기 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 모연곤 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 김현재 대한민국 서울 송파구
4 임현수 대한민국 경기 고양시 일산서구
5 김시준 대한민국 서울 노원구
6 정태수 대한민국 서울 서대문구
7 임유승 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0613633-33
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0671901-07
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0119482-13
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0792803-61
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.12.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1361611-92
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-1361610-46
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0371902-99
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0796763-93
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0796764-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
주석 전구체 화합물; 안티몬 전구체 화합물; 및 상기 주석 전구체 화합물 및 상기 안티몬 전구체 화합물에 대한 용매; 를 포함하는 주석 산화물 반도체 형성용 조성물
2 2
제1 항에 있어서, 상기 주석 전구체 화합물은 염화 주석(II), 요오드화 주석(II)(tin(II) iodide), 염화 주석(II) 이수화물(tin(II) chloride dihydrate), 브롬화 주석(II)(tin(II) bromide), 플루오린화 주석(II)(tin(II) fluoride), 옥살산 주석(II)(tin(II) oxalate), 황화 주석(II)(tin(II) sulfide), 아세트산 주석(II)(tin(II) acetate), 염화 주석(IV)(tin(IV) chloride), 염화 주석(IV) 오수화물(tin(IV) chloride pentahydrate), 플루오린화 주석(IV)(tin(IV) fluoride), 요오드화 주석(IV)(tin(IV) iodide), 황화 주석(IV)(tin(IV) sulfide) 또는 터트-부톡사이드 주석(IV)(tin(IV) tert-butoxide)을 포함하는 주석 산화물 반도체 형성용 조성물
3 3
제1 항에 있어서, 상기 안티몬 전구체 화합물은 염화 안티몬(III)(Antimony(III) chloride), 염화 안티몬(V)(Antimony(V) chloride), 안티몬(III) 에톡사이드(Antimony(III) ethoxide), 황화 안티몬(V)(Antimony(V) sulfide), 플루오린화 안티몬(V)(Antimony(V) fluoride), 안티몬(V) 프로폭사이드(Antimony(III) propoxide), 요오드화 안티몬(V)(Antimony(III) iodide), 또는 안티몬(V) 아세테이트(Antimony(III) acetate)를 포함하는 주석 산화물 반도체 형성용 조성물
4 4
제1 항에 있어서, 상기 용매는 탈이온수, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-프로폭시에탄올 2-부톡시에탄올, 메틸셀로솔브(Methyl Cellosolve), 에틸셀로솔브(Ethyl Cellosolve), 디에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에틸에테르, 메틸메톡시프로피온산, 에틸에톡시프로피온산, 에틸락트산, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈, γ-부틸로락톤, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디글라임, 테트라히드로퓨란, 아세틸아세톤 또는 아세토니트릴을 포함하는 주석 산화물 반도체 형성용 조성물
5 5
제1 항에 있어서, 상기 안티몬 전구체 화합물 대 상기 주석 전구체 화합물(Sb/Sn)의 몰비(molar ratio)는 0
6 6
제1 항에 있어서, 상기 안티몬 전구체 화합물 및 상기 주석 전구체 화합물은 상기 조성물 전체에 대하여 각각 0
7 7
주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물을 용매에 녹인 조성물을 제조하는 단계;상기 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 조성물이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
8 8
제7 항에 있어서, 상기 주석 전구체 염화 주석(II), 요오드화 주석(II), 염화 주석(II) 이수화물, 브롬화 주석(II), 플루오린화 주석(II), 옥살산 주석(II), 황화 주석(II), 아세트산 주석(II), 염화 주석(IV), 염화 주석(IV) 오수화물, 플루오린화 주석(IV), 요오드화 주석(IV), 황화 주석(IV) 또는 터트-부톡사이드 주석(IV)을 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
9 9
제7 항에 있어서, 상기 안티몬 전구체 화합물은 염화 안티몬(III), 염화 안티몬(V), 안티몬(III) 에톡사이드, 황화 안티몬(V), 플루오린화 안티몬(V), 안티몬(III) 프로폭사이드, 요오드화 안티몬(V), 또는 안티몬(III) 아세테이트를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
10 10
제7 항에 있어서, 상기 용매는 탈이온수, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-프로폭시에탄올 2-부톡시에탄올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에틸에테르, 메틸메톡시프로피온산, 에틸에톡시프로피온산, 에틸락트산, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈, γ-부틸로락톤, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디글라임, 테트라히드로퓨란, 아세틸아세톤 또는 아세토니트릴을 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
11 11
제7 항에 있어서, 상기 안티몬 전구체 화합물 대 상기 주석 전구체 화합물(Sb/Sn)의 몰비(molar ratio)는 0
12 12
제7 항에 있어서, 상기 안티몬 전구체 화합물 및 상기 주석 전구체 화합물은 상기 조성물 전체에 대하여 각각 0
13 13
제7 항에 있어서, 상기 열처리 단계는 100-300℃의 온도에서 수행되는 1차 열처리 및 300-500℃의 온도에서 수행되는 2차 열처리를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
14 14
제7 항에 있어서, 상기 도포 단계는 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이 법 또는 롤-투-롤 공정을 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
15 15
제7 항에 있어서, 상기 주석 산화물 반도체는 Sb가 도핑된 SnOx 를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
16 16
제7 항에 있어서, 상기 주석 산화물 반도체 박막은 비정질인 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
17 17
제7 항에 있어서, 상기 주석 산화물 반도체 박막의 비저항은 10-2-101 Ω？cm 인 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
18 18
제7 항에 있어서, 상기 주석 산화물 반도체 박막의 전하 운반자 농도는 1014-1016 cm-3 인 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
19 19
제17 항에 있어서, 상기 전하 운반자는 전자인 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
20 20
제7 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막의 전자 이동도는 0
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1 CN104276601 CN 중국 FAMILY
2 US09224598 US 미국 FAMILY
3 US20150011044 US 미국 FAMILY

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1 CN104276601 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN104276601 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 TW201502076 TW 대만 DOCDBFAMILY
4 US2015011044 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US9224598 US 미국 DOCDBFAMILY
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