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자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법

  • 기술번호 : KST2015126926
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법에 관한 것으로, 기판 상에 전극을 형성하는 단계와, 상기 전극을 포함한 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시키는 단계와, 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층을 형성하는 단계를 포함함으로써, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 장비에서 발생할 수 있는 미스 얼라인(miss align) 문제를 효과적으로 극복할 수 있다. 자외선, 박막 트랜지스터, 절연막, 잉크젯 프린팅, 친수성, 채널층
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/02348(2013.01) H01L 21/02348(2013.01)
출원번호/일자 1020090027038 (2009.03.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1020629-0000 (2011.03.02)
공개번호/일자 10-2010-0108813 (2010.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20110309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 종로구
2 김건희 대한민국 서울 서대문구
3 정웅희 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
3 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0191083-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0072185-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0536888-61
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0057014-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0057015-71
7 등록결정서
Decision to grant
2011.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0106275-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
(a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; (b) 상기 절연막 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시키는 단계; 및 (c) 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 단계(a)에서, 상기 절연막은 이산화티타늄(TiO2) 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법
3 3
제2 항에 있어서, 광촉매 효과를 증가시키기 위하여 상기 이산화티타늄(TiO2) 물질에 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 규소(Si), 주석(Sn) 또는 철(Fe) 중 적어도 어느 하나의 첨가물을 도핑시키는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법
4 4
제2 항에 있어서, 상기 단계(b)에서, 상기 자외선은 300nm 내지 500nm 파장범위로 24시간 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법
5 5
제2 항에 있어서, 상기 친수성의 정도는 접촉각 0
6 6
(a') 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계; (b') 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성하는 단계; (c') 상기 제2 절연막 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시키는 단계; 및 (d') 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법
7 7
제6 항에 있어서, 상기 단계(a')에서, 상기 제1 절연막은 이산화규소(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 이산화하프늄(HfO2), 이산화지르코늄(ZrO2), 산화이트륨(Y2O3), 폴리비닐페닐(Poly-Vinyl-Phenyl, PVP) 중 적어도 어느 하나의 무기물 또는 유기물을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법
8 8
제6 항에 있어서, 상기 단계(b')에서, 상기 제2 절연막은 이산화티타늄(TiO2) 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법
9 9
제8 항에 있어서, 광촉매 효과를 증가시키기 위하여 상기 이산화티타늄(TiO2) 물질에 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 규소(Si), 주석(Sn) 또는 철(Fe) 중 적어도 어느 하나의 첨가물을 도핑시키는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법
10 10
제6 항에 있어서, 상기 단계(c')에서, 상기 자외선은 300nm 내지 500nm 파장범위로 24시간 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법
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제6 항에 있어서, 상기 친수성의 정도는 접촉각 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.