요약 | 본 발명은 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법에 관한 것으로, 기판 상에 전극을 형성하는 단계와, 상기 전극을 포함한 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시키는 단계와, 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층을 형성하는 단계를 포함함으로써, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 장비에서 발생할 수 있는 미스 얼라인(miss align) 문제를 효과적으로 극복할 수 있다. 자외선, 박막 트랜지스터, 절연막, 잉크젯 프린팅, 친수성, 채널층 |
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Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) |
CPC | H01L 21/02348(2013.01) H01L 21/02348(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090027038 (2009.03.30) |
출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1020629-0000 (2011.03.02) |
공개번호/일자 | 10-2010-0108813 (2010.10.08) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20110309) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2009.03.30) |
심사청구항수 | 10 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김현재 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 |
2 | 김건희 | 대한민국 | 서울 서대문구 |
3 | 정웅희 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 정태훈 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이) |
2 | 배성호 | 대한민국 | 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소)) |
3 | 오용수 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.03.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0191083-16 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.10.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.11.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0072185-39 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.11.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0536888-61 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0057014-25 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.01.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0057015-71 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0106275-10 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 삭제 |
2 |
2 (a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; (b) 상기 절연막 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시키는 단계; 및 (c) 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 단계(a)에서, 상기 절연막은 이산화티타늄(TiO2) 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법 |
3 |
3 제2 항에 있어서, 광촉매 효과를 증가시키기 위하여 상기 이산화티타늄(TiO2) 물질에 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 규소(Si), 주석(Sn) 또는 철(Fe) 중 적어도 어느 하나의 첨가물을 도핑시키는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법 |
4 |
4 제2 항에 있어서, 상기 단계(b)에서, 상기 자외선은 300nm 내지 500nm 파장범위로 24시간 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법 |
5 |
5 제2 항에 있어서, 상기 친수성의 정도는 접촉각 0 |
6 |
6 (a') 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계; (b') 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성하는 단계; (c') 상기 제2 절연막 상의 채널영역에 자외선(UV)을 선택적으로 조사하여 친수성 상태로 변화시키는 단계; 및 (d') 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 상기 자외선이 조사된 채널영역에 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법 |
7 |
7 제6 항에 있어서, 상기 단계(a')에서, 상기 제1 절연막은 이산화규소(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 이산화하프늄(HfO2), 이산화지르코늄(ZrO2), 산화이트륨(Y2O3), 폴리비닐페닐(Poly-Vinyl-Phenyl, PVP) 중 적어도 어느 하나의 무기물 또는 유기물을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법 |
8 |
8 제6 항에 있어서, 상기 단계(b')에서, 상기 제2 절연막은 이산화티타늄(TiO2) 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법 |
9 |
9 제8 항에 있어서, 광촉매 효과를 증가시키기 위하여 상기 이산화티타늄(TiO2) 물질에 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 규소(Si), 주석(Sn) 또는 철(Fe) 중 적어도 어느 하나의 첨가물을 도핑시키는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법 |
10 |
10 제6 항에 있어서, 상기 단계(c')에서, 상기 자외선은 300nm 내지 500nm 파장범위로 24시간 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법 |
11 |
11 제6 항에 있어서, 상기 친수성의 정도는 접촉각 0 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
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특허 등록번호 | 10-1020629-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20090330 출원 번호 : 1020090027038 공고 연월일 : 20110309 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110223 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 자외선 조사를 이용한 절연막의 선택적 표면 처리방법 존속기간(예정)만료일 : 20180303 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2011년 03월 02일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2014년 02월 04일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 187,460 원 | 2015년 04월 01일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2016년 02월 02일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2017년 02월 27일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.03.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0191083-16 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.10.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2010.11.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0072185-39 |
4 | 의견제출통지서 | 2010.11.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0536888-61 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0057014-25 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.01.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0057015-71 |
7 | 등록결정서 | 2011.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0106275-10 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345165029 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A1606 |
연구과제명 | TMS정보기술사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 연세대학교 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345099874 |
---|---|
세부과제번호 | 2007-0055837 |
연구과제명 | 차세대디스플레이를위한SBS(SolutionBasedSi)박막및ASB(AllSolutionBased)TFT기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 연세대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200707~201206 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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