맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

블록공중합체 ＰＳ－ｂ－ＰＰＰ를 이용한 ＳＷＮＴ 전계효과트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126944
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PS-b-PPP 컨주게이션 블록공중합체를 분산제로 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 SWNT/PS-b-PPP 복합필름을 반도체 채널층으로 사용하는 SWNT 전계효과트랜지스터에 관한 기술이다. 본 발명은 금속성 및 반도체성 SWNT가 혼합된 혼합 SWNT을 별도의 분리공정 없이 그대로 사용하여 필름으로 제조하여 전계효과트랜지스터의 반도체 채널층으로 사용함에도 불구하고, 높은 점멸비를 갖으며, 전극 재료에 대한 제한이 없이 사용될 수 있는 특징이 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/823412(2013.01) H01L 21/823412(2013.01) H01L 21/823412(2013.01)
출원번호/일자 1020100080630 (2010.08.20)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1149289-0000 (2012.05.16)
공개번호/일자 10-2012-0017799 (2012.02.29) 문서열기
공고번호/일자 (20120524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.20)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 성진우 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0536426-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0066558-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0478241-37
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0795631-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0795632-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0143894-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트전극, 게이트 절연체, SWNT 반도체 채널층, 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 SWNT 전계효과트랜지스터의 제조방법에 있어서, 유기용매, SWNT 및 PS-b-PPP으로 이루어진 혼합용액을 게이트 절연체(gate dielectric) 위에 스핀코팅하여 SWNT 반도체 채널층을 제조하는 것을 특징으로 하는 SWNT FET(Single Wall Carbon Nanotube Field Effect Transistor)의 제조방법
2 2
제1항에서, 상기 혼합용액을 게이트 절연체 위에 스핀코팅하기 전에 원심분리하는 것을 특징으로 하는 SWNT FET의 제조방법
3 3
제2항에서, 상기 혼합용액을 원심분리 후 상등액만을 분리하여 게이트 절연체 위에 스핀코팅하는 것을 특징으로 하는 SWNT FET의 제조방법
4 4
제1항에서, 상기 혼합용액을 스핀코팅한 후 열처리를 더 하는 것을 특징으로 하는 SWNT FET의 제조방법
5 5
제4항에서, 상기 열처리 온도는 PPP 블록의 유리전이온도 이상인 것을 특징으로 하는 SWNT FET의 제조방법
6 6
제1항에서, 상기 SWNT는 반도체성 SWNT와 금속성 SWNT의 혼합 SWNT인 것을 특징으로 하는 SWNT FET의 제조방법
7 7
제1항에서, 상기 유기용매가 THF, 클로로포름 및 톨루엔 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 SWNT FET의 제조방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부/한국연구재단 연세대학교 산학협력단 선도연구센터-이공학분야(SRC/ERC) ERC/3-1세부/패턴집적형 능동폴리머 소재센터