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구리층 캡핑 방법 및 그를 이용한 구리 배선 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015126960
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구리층 캡핑 방법 및 그를 이용한 구리 배선 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 구리층 캡핑 방법은, 구리층이 형성된 기판을 가열하는 단계; 코발트 전구체로 코발트 사이클로펜타디에닐 디카보닐(cobalt cyclopentadienyl dicarbonyl)을 이용하고, 반응 기체로 수소를 이용하여 상기 구리층에 코발트층을 증착하는 단계; 및 상기 기판에 암모니아를 제공하면서 플라즈마를 생성하여, 상기 기판을 플라즈마 처리하는 단계;를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01)
출원번호/일자 1020140022648 (2014.02.26)
출원인 연세대학교 산학협력단, 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1553357-0000 (2015.09.09)
공개번호/일자 10-2015-0101216 (2015.09.03) 문서열기
공고번호/일자 (20150916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울 영등포구
2 윤재홍 대한민국 서울 성동구
3 김수현 대한민국 경기 의정부시 신곡로 **,
4 이한보람 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 인천광역시 연수구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0190028-10
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0201095-17
3 보정요구서
Request for Amendment
2014.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0036169-53
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0225423-41
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2014.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0040736-81
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0258118-93
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2014-0091252-23
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0003257-77
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0060422-60
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0160634-02
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0450413-41
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0518828-57
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0518827-12
16 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0457798-57
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0671486-35
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0671485-90
19 등록결정서
Decision to grant
2015.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0600062-95
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2016-5075573-17
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5212872-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
구리층이 형성된 기판을 가열하는 단계;코발트 전구체로 코발트 사이클로펜타디에닐 디카보닐(cobalt cyclopentadienyl dicarbonyl)을 이용하고, 반응 기체로 수소를 이용하여 상기 구리층에 코발트층을 증착하는 단계; 및상기 기판에 암모니아를 제공하면서 플라즈마를 생성하여, 상기 기판을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하며,상기 구리층에 코발트층을 증착하는 단계는: 상기 기판이 위치하는 챔버의 압력을 30 mTorr로 설정하고, 상기 코발트 사이클로펜타디에닐 디카보닐이 담긴 캐니스터의 온도를 0℃로 유지하고, 상기 캐니스터에 불활성 기체를 30 sccm의 유량으로 공급하고, 상기 챔버에 상기 수소를 400 sccm의 유량으로 공급하여 화학 기상 증착법으로 25 분 동안 수행되고,상기 기판을 플라즈마 처리하는 단계는:상기 기판의 온도를 180 내지 250℃로 유지하고, 상기 암모니아의 유량을 200 sccm으로 설정하고, 상기 플라즈마를 생성하기 위한 RF 전력을 300 W로 설정하여 2 분 동안 수행되는 구리층 캡핑 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 구리층이 형성된 기판을 가열하는 단계는, 상기 기판을 180 내지 250℃로 가열하는 단계를 포함하는 구리층 캡핑 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 구리층이 형성된 기판을 가열하는 단계는, 상기 기판을 200℃로 가열하는 단계를 포함하는 구리층 캡핑 방법
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11 11
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구리층이 형성된 기판을 200℃로 가열하는 단계;상기 기판이 위치하는 챔버의 압력을 30 mTorr로 설정하고, 코발트 전구체인 코발트 사이클로펜타디에닐 디카보닐이 담긴 캐니스터의 온도를 0℃로 유지하고, 상기 캐니스터에 불활성 기체를 30 sccm의 유량으로 공급하고, 상기 챔버에 반응 기체로 수소를 400 sccm의 유량으로 공급하여, 상기 구리층에 코발트층을 증착하는 단계; 및상기 기판의 온도를 200℃로 유지하고, 상기 챔버에 플라즈마 소스 가스로 암모니아를 200 sccm의 유량으로 공급하고, 플라즈마를 생성하기 위한 RF 전력을 300 W로 설정하여, 상기 기판을 플라즈마 처리하는 단계;를 포함하며,상기 구리층에 코발트층을 증착하는 단계는 상기 캐니스터에 불활성 기체를 30 sccm의 유량으로 공급하는 단계를 더 포함하며 25분 동안 수행되고,상기 기판을 플라즈마 처리하는 단계는 2분 동안 수행되는 구리층 캡핑 방법
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기판 위에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층을 기 결정된 패턴으로 식각하는 단계;식각된 부분에 구리층을 형성하는 단계;상기 구리층을 코발트로 캡핑하는 단계를 포함하되, 상기 구리층을 상기 코발트로 캡핑하는 단계는: 상기 구리층이 형성된 기판을 가열하는 단계; 코발트 전구체로 코발트 사이클로펜타디에닐 디카보닐을 이용하고, 반응 기체로 수소를 이용하여 상기 구리층에 코발트층을 증착하는 단계; 및 상기 기판에 암모니아를 제공하면서 플라즈마를 생성하여, 상기 기판을 플라즈마 처리하는 단계;를 포함하며,상기 구리층에 코발트층을 증착하는 단계는: 상기 기판이 위치하는 챔버의 압력을 30 mTorr로 설정하고, 상기 코발트 사이클로펜타디에닐 디카보닐이 담긴 캐니스터의 온도를 0℃로 유지하고, 상기 캐니스터에 불활성 기체를 30 sccm의 유량으로 공급하고, 상기 챔버에 상기 수소를 400 sccm의 유량으로 공급하여 화학 기상 증착법으로 25 분 동안 수행되고,상기 기판을 플라즈마 처리하는 단계는: 상기 기판의 온도를 180 내지 250℃로 유지하고, 상기 암모니아의 유량을 200 sccm으로 설정하고, 상기 플라즈마를 생성하기 위한 RF 전력을 300 W로 설정하여 2분 동안 수행되는 구리 배선 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국반도체연구조합 전자정보디바이스산업원천기술개발 초미세 고신뢰성 배선기술